天津生產(chǎn)加工螺旋擠條機制造商(剛剛推薦:2024已更新)海昌機械,電子廠工業(yè)廢氣處理中往往會使用絕緣材料、溶劑、清洗劑、顯影劑、光刻膠、蝕刻液等中含有大量有機物成分。在下加工過程中，黑龍江脫白加熱器施工這些侖機溶劑人分通過揮發(fā)成為廢氣排放。目的，針對這種氣體扒放，關于電子廠工業(yè)廢氣我們可以采用吸附、焚燒或兩者相結(jié)合的處理方法。一、電子廠工業(yè)廢氣處理吸附法吸附首先是利用多扎件固體吸附劑處理混合氣體，使其小所含的一種觀多種組分吸附于出體表面門達到分離的目的。關于電子廠工業(yè)廢氣處理吸附劑選擇性，首先能分開其他過程難以分解的混合物．有效地清除(或回收)濃度很低的有害物質(zhì)，凈化效率高，設備簡單，操作力使，月能文現(xiàn)自動控制。在電子廠工業(yè)廢氣中固體吸附劑的吸附容量小黑龍江脫白加熱器施工，需要大量的吸附劑，設備廢大，且吸附屑吸附劑需要再生處理，是吸附處理的主豐要缺點。

將自然狀態(tài)下的新鮮酒糟直接加入濕式微粉機中進行微粉，微粉加工得到的顆粒直徑為2530微米，而后將球磨微粉好的酒糟原料用單螺桿擠條機進行擠條成型處理，擠出成型的條狀半成品物料的直徑為I.82毫米。具體實施例方式下面結(jié)合實施例對本發(fā)明作進步描述。檢測并根據(jù)指標進行分類封裝，取得合格的碳分子篩產(chǎn)品。擠出成型的條狀半成品物料直接裝入旋轉(zhuǎn)式熱處理爐進行炭化成孔處理，在氮氣保護條件下升溫，所述氮氣保護條件下升溫過程所用氮氣純度為95%流量為I3ml/min壓力為0.2Mp。種碳分子篩的制備方法，其選用新鮮酒糟為原料。而后進行自然冷卻，冷卻后得到孔徑為6-5埃的碳分子篩成品。所述新鮮酒糟為新鮮糧食酒糟，可以為大麥小麥豆類薯類等各種自然狀態(tài)下的新鮮糧食酒糟，灰分含量(以干物質(zhì)計彡5%(重量含量，以下同，淀粉含量(以干物質(zhì)計為4%5%，水含量為50%70%。在600°溫度下，利用前期熱處理爐排出的炭化尾氣對炭化微孔進行微孔調(diào)整，以達到適宜氮氧分離的有效孔徑范圍。當溫度達到200°后，收集保存熱處理爐排出的炭化尾氣，當溫度升到600°后恒溫保持，并用純度95%壓力0.2Mp流量1530ml/min的氮氣保護，同時，將前期收集的炭化尾氣，在0.0.IMp壓力下，以820ml/min的流量重新引入處理爐內(nèi)，進行成孔調(diào)孔處理，時間持續(xù)30分鐘。升溫過程，在00°區(qū)間內(nèi)，控制溫升速率5°/分鐘，在2000°區(qū)間內(nèi)，控制溫升速率在15°/分鐘。

企業(yè)在選擇某種脫硫工藝或裝備時，除了對比成本外，還要結(jié)合企業(yè)自身條件和特點，如脫硫劑的獲取途徑、鐵水條件、鋼種要求、整個工藝流程流暢的需要、廠房條件的等。目前各企業(yè)諸如鐵水、處理容器、介質(zhì)、脫硫劑、設備(扒渣機、噴吹罐、噴升降裝置等)性能，操作人員水平等條件很不相同，要在同一基準上比較非常困難。而就目前的具體生產(chǎn)來看，很多能源是***的，如果不做有效的規(guī)劃，未來會出現(xiàn)無能源可用的情況。單從脫硫劑的消耗來看，不同工藝使用的石灰、螢石、鎂等脫硫劑的市場價格相差很大。另外成本中有些指標很難準確的量化，如鐵損，回硫，渣的利用價值等。2機械新能源與節(jié)能技術(shù)應用的必要性分析機械新能源與節(jié)能技術(shù)應用的必要性主要體現(xiàn)在兩個方面：其一是我國存在著嚴重的環(huán)境污染，能源消耗的情況也十分的嚴重。還有就是某些指標數(shù)值的值在各個企業(yè)的成本核算中所占的比重不盡相同。就現(xiàn)階段利用的機械設備做具體分析，其利用會有突出的環(huán)境污染產(chǎn)生，而具體的污染物包括了諸多微粒、鉛化物、碳化物等，這些污染元素對大氣、水源以及土壤形成污染，造成了生態(tài)環(huán)境的整體惡化，所以在綠色經(jīng)濟發(fā)展理念下，必須要對上述的污染元素做有效的控制。1機械設備的污染因素分析機械設備在當前的社會生產(chǎn)實踐中有重要的價值，強調(diào)其科學合理的使用，這對于設備價值體現(xiàn)有突出的意義。由于鑄件是承壓件需要，因此白模應該致密，不能有珠粒融合的疏松，進而在刷涂料時會造成涂料內(nèi)滲形成涂料渣，澆注的鑄件就會有滲漏現(xiàn)象。

34種典型的VOCs處理技術(shù)3.1吸附工藝技術(shù)該吸附技術(shù)是指吸附劑通過***結(jié)合的方式或化學反應的方式對有害物質(zhì)進行吸附，進而達到凈化廢氣的目的。2）清除法有熱氧化、催化熄滅、生物氧化及集成技巧。目前市場上的吸附劑種類較多，常用的有活性炭、分子篩沸石等。其主要是通過化學反應或生化反應，比如在熱、催化劑或微生物的作用下，把有害的有機物轉(zhuǎn)化成無害的CO2和H2O。目前在VOCs凈化過程中常用的吸附劑有無機和有機吸附劑兩類，吸附劑應選擇有巨大的表面積、良好的選擇性、較強的再生性、較好的熱穩(wěn)定性以及化學穩(wěn)定性、較大的吸附容量等等。在吸附過程中，吸附劑、設備、工藝、再生等都是其關鍵控制點。該技術(shù)在有機廢氣濃度較低時使用具有較好的效果，但是不宜直接用該技術(shù)處理高濃度有機廢氣，可以在冷凝等方式處理后，再使用該技術(shù)對廢氣進行凈化。

捏合處理將混合料置于捏合機中處理30min，直至具備定的可塑性；成型預處理將捏合完畢的混合料置于擠條機中成型，然后把成型料置于定溫度下的烘箱中預固化2h；炭化活化將預固化的成型料置于管式爐中，在惰性氛圍下炭化活化；

企業(yè)在選擇某種脫硫工藝或裝備時，除了對比成本外，還要結(jié)合企業(yè)自身條件和特點，如脫硫劑的獲取途徑、鐵水條件、鋼種要求、整個工藝流程流暢的需要、廠房條件的等。目前各企業(yè)諸如鐵水、處理容器、介質(zhì)、脫硫劑、設備(扒渣機、噴吹罐、噴升降裝置等)性能，操作人員水平等條件很不相同，要在同一基準上比較非常困難。高C/Si時,外延膜中基本不存在BPDs.說明高C/Si比有利于降低外延膜中的BPDs.在較高C/Si比生長條件下BPDs密度的降低可能是富C情況下臺階側(cè)向生長所占比例降低,空間螺旋生長所占比例增加,提高了BPDs轉(zhuǎn)化成TEDs的幾率[13-14].2.5表面的控制研究在低生長速率時,由于生長初期界面由腐蝕(表面粒子解離為主)到生長(表面粒子吸附固定)的轉(zhuǎn)變相對較平穩(wěn),因此外延膜表面較少.但在高生長速率時,初期界面的轉(zhuǎn)換非常劇烈,導致初期在界面處波動太大,形成大量的中心,從而在后續(xù)正常生長中引入大量的點,根據(jù)三角形產(chǎn)生的機制,終在外延膜表面形成大量的三角形凹坑.從上述分析可以看出,外延膜的密度受生長速率密切影響.高生長速率時在生長初期容易在界面上形成異常成核或者異常堆積,從而產(chǎn)生大量并延續(xù)到外延膜中,形成更多的表面.因此在高生長速率的情況下,要得到低密度的外延膜,需要控制并減少在初期生長界面處形成.通過在生長初期逐漸增加源氣體流量,控制生長初期時生長界面的異常成核,可以減少在外延過程中形成.圖8是生長速率為5.5μm/h時,直接外延生長和改進后的外延膜表面的光學照片,從圖中可以看出改進初期生長條件后外延膜表面的密度極大地降低,提高了外延膜的質(zhì)量.利用熔融KOH腐蝕對有無初期生長的外延膜結(jié)晶做了對比研究.從圖9中可以看出,加入初期生長的外延膜在熔融KOH腐蝕后發(fā)現(xiàn),即使在很高生長速率(5.5μm/h,接近飽和生長速率)條件下,腐蝕坑密度也迅速減少,說明通過引入初期生長能外延生長初期的形成,從而極大降低高速生長時外延膜中的密度,因此引入初期生長是提高高速生長外延膜質(zhì)量的重要手段之一。單從脫硫劑的消耗來看，不同工藝使用的石灰、螢石、鎂等脫硫劑的市場價格相差很大。另外成本中有些指標很難準確的量化，如鐵損，回硫，渣的利用價值等。之后升溫至1400℃并通入源氣體進行外延生長.具體的生長工藝條件見圖1,原位處理采用H2/HCl,生長的氣源系統(tǒng)為H2SiH4C3H8.通過改變丙烷的流量控制生長過程中的碳硅比(C/Si).部分高生長速率樣品在生長初始階段先以高C/Si比(2.5~4.0)、低生長速率生長一層200nm左右的界面過渡層,再逐漸過渡到正常生長過程.1.2測試方法生長后得到的外延膜通過光學顯微鏡觀察表面形貌.通過Raman光譜并輔以KOH腐蝕結(jié)果確認晶型.通過斷面SEM計算外延膜的生長速率.通過KOH腐蝕研究外延膜中的晶體.2結(jié)果與討論2.1外延膜的晶型表征生長完成后,首行了Raman表征以確定1400℃生長時外延膜的晶型.如圖2所示,對比外延膜和襯底的Raman光譜可以看出,即使在1400℃的低生長溫度下,外延膜仍很好的延續(xù)襯底晶型.需要注意的是,在實驗樣品中折疊縱光學(FLO)模出現(xiàn)在980cm1,與理論上的964cm1有一定差別.Kitamura等[8]研究發(fā)現(xiàn),晶體的摻雜濃度會明顯改變FLO的位置.根據(jù)他們實驗的結(jié)果,980cm1對應的雜質(zhì)濃度約~1018cm3,這與本實驗通過霍爾(Hall)對樣品測試得到的結(jié)果相吻合.因為3C-SiC的折疊橫光學(FTO)模出現(xiàn)的位置與4H-SiCFTO模x(0)位置相同,都為796cm1.為此對外延膜進行了進一步的KOH腐蝕實驗.根據(jù)文獻報道[9],外延膜中的3C-SiC多晶會出現(xiàn)三角形的腐蝕坑,而在本實驗中,只出現(xiàn)了六方和橢圓形腐蝕坑.因此,可以確認即使是在1400℃的低生長溫度下,4H-SiC同質(zhì)外延仍能獲得結(jié)晶性非常好的單晶外延膜.2.2生長速率由于外延膜與襯底的摻雜性質(zhì)不同,在SEM下會呈現(xiàn)明顯不同的襯度,因此可以通過斷面SEM準確地測出外延膜的厚度,如圖3(a)插圖所示.通過這種方法,可以得到不同SiH4流量以及不同C/Si條件下外延膜的生長速率.圖3(a)是不同SiH4流量時的生長速率關系圖,從圖中可以看出,生長速率與SiH4流量的關系可以分為兩個區(qū)域.在區(qū)域Ⅰ,生長速率隨SiH4流量增加而線性增加.在這個區(qū)域,系統(tǒng)內(nèi)反應物質(zhì)處于非飽和狀態(tài),因此生長速率由反應物的質(zhì)量輸運過程控制,與源氣體的流量呈明顯的線性關系.在區(qū)域Ⅱ,生長速率已達到系統(tǒng)的飽和值,增加SiH4流量并不增加生長速率.對于本實驗設備,在1400℃條件下飽和生長速率約在6μm/h左右.圖3(b)是SiH4流量保持為0.8sccm,改變C3H8流量得到的不同C/Si比的生長速率圖,從中可以看出,在C/Si1.5時,生長速率達到飽和狀態(tài),反應受SiH4流量,再增加C3H8流量并不能增加生長速率.由于在生長溫度下SiH4和C3H8的裂解效率不同,因此飽和生長速率對應的C/Si一般都大于1.2.3表面形貌利用光學顯微鏡研究了外延膜表面的形貌.外延膜表面出現(xiàn)的典型為圖4(a)所示的三角形.圖4(a)中內(nèi)嵌插圖為三角形的SEM照片,從圖中可以看出,三角形在表面凹陷,沿生長方向,在臺階流上方的頂點處深,其對應的底邊通常與臺階流方向(即方向)垂直.圖4(a)~(d)為不同生長速率時外延膜的表面形貌光學照片.在低的生長速度下外延膜表面較少,隨著生長速率的增加,外延膜表面的密度迅速增加.當生長速率達到6μm/h時,表面已幾乎被覆蓋.因此,在較高生長速度下,需做進一步地研究來控制和降低外延膜表面密度.不同C/Si比生長的外延膜表面形貌見圖5.在C/Si比為0.5時,在外延膜表面形成大量的“逗號”狀的凹坑.通過Raman測試表明凹坑中存在著晶體Si,說明在此條件下,Si源嚴重過量,導致表面出現(xiàn)硅液滴的不斷沉積與揮發(fā)過程.但C/Si比大于1.5時,外延膜表面形貌沒有太大區(qū)別.通過對生長機制的分析,可以認為三角形凹坑是由臺階側(cè)向的特性所決定的.按照SiC“臺階控制”生長理論模型,同質(zhì)外延利用臺階的側(cè)向生長以復制襯底的堆積順序(晶型)[10].如圖6所示,當外延生長過程中,在界面處出現(xiàn)(形成)一個點(可能是晶體、外來粒子等),就會阻礙此處臺階的側(cè)向移動.隨著生長的不斷進行,點不斷阻止側(cè)向生長的進行,而在臺階流下方會逐漸恢復到正常的生長過程.終就會在外延膜表面留下一個臺階流上方頂點處凹陷下去的三角形,且三角形在臺階流上方的頂點深,而對應邊與臺階流方向垂直.2.4外延膜的結(jié)晶由于襯底以及生長工藝因素的影響,外延膜中通常會形成一些結(jié)晶.用510℃熔融KOH腐蝕5min后發(fā)現(xiàn),襯底表面存在著如圖7(a)所示的“貝殼狀”腐蝕坑,對應著基平面位錯(BPD)[11].Stahlbush等[12]研究發(fā)現(xiàn)BPDs在正向?qū)娏髯饔孟聲葑冃纬啥讯鈱渝e,造成高頻二極管(PiN)器件正向?qū)妷旱钠?而露頭刃位錯(對應7(b)中“六邊形”腐蝕坑)對器件性能的影響則相對較小.因此,在SiC外延生長過程中阻止襯底中的BPDs向外延膜中延伸對提高器件性能有很重要的意義.圖7(b)和(c)是生長速率分別為2.2和3.5μm/h時外延膜表面腐蝕后的光學照片(MP).生長速率為2.2μm/h時,外延膜表面主要為六邊形的腐蝕坑,即露頭刃位錯(TEDs),說明低生長速率有利于襯底上的BPDs轉(zhuǎn)化成TEDs.當生長速度增加到3.5μm/h時,由圖7(c)可以看到膜上的腐蝕坑密度增大,說明生長速度提高后,外延膜生長過程中形成了大量的新.不同C/Si比條件生長的外延膜也進行了KOH腐蝕試驗.結(jié)果表明,低C/Si時,外延膜中仍存在著BPDs;還有就是某些指標數(shù)值的值在各個企業(yè)的成本核算中所占的比重不盡相同。而企業(yè)作為加工應用技術(shù)研究、研發(fā)投入的主體，單個企業(yè)投入研究可能負擔較重，因此同類應用企業(yè)和加工裝備制造企業(yè)應當聯(lián)合起來形成產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，如以股份制形式共同出資投入組建研究團隊，形成共有共享的技術(shù)，從而促進產(chǎn)業(yè)的發(fā)展著碳化硅晶體質(zhì)量的不斷提高,對碳化硅(SiC)基半導體器件已開始大量研究開發(fā)[1-2].由于SiC晶體具有很強的共價鍵,高溫擴散或離子注入等方式制備器件功能層都存在很大的局限性[3].而通過化學氣相外延(CVD)方法同質(zhì)外延一層結(jié)晶質(zhì)量高,摻雜可控的功能層是目前進行器件制備的一個重要途徑[4-6].早期的碳化硅同質(zhì)外延使用(0001)正角襯底,很難避免3C-SiC多晶的產(chǎn)生.而通過采用偏離(0001)面一定角度的襯底,利用臺階側(cè)向生長的方法可以實現(xiàn)晶型的穩(wěn)定延續(xù),即使在較低的生長溫度下也可獲得高結(jié)晶質(zhì)量的SiC同質(zhì)外延膜[6].碳化硅同質(zhì)外延常用的CVD設備主要有常壓冷壁和低壓熱壁兩種類型[7].常壓冷壁CVD系統(tǒng)具有設備相對簡單,外延膜摻雜更易控制等優(yōu)點,適合生長微電子器件所需的優(yōu)質(zhì)摻雜控制的薄膜,但是由于熱解效率低等因素,常壓冷壁CVD系統(tǒng)的外延膜生長速率一般較低,通常在2~3μm/h.為了在常壓冷壁CVD設備上實現(xiàn)外延膜的優(yōu)質(zhì)高速生長,本研究使用自制常壓冷壁CVD設備,在1400℃下進行4H-SiC外延膜生長研究.1實驗方法1.1碳化硅同質(zhì)外延膜的制備實驗使用的是Cree公司生長的8°偏向的4H-SiC晶片.晶片經(jīng)過、V(NH4OH):V(H2O2):V(H2O)=1:1:5清洗后,在10%HF中浸泡5min.每步清洗后均用去離子水漂洗,后用高純N2吹干后立刻放入CVD反應腔內(nèi)進行生長.生長過程分為兩步:首先在1300℃進行原位腐蝕處理;2.強化產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新模式我國的材料應用企業(yè)一般規(guī)模不大。由于鑄件是承壓件需要，因此白模應該致密，不能有珠粒融合的疏松，進而在刷涂料時會造成涂料內(nèi)滲形成涂料渣，澆注的鑄件就會有滲漏現(xiàn)象。

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