湖南催化劑成型機(jī)((服務(wù)到家)2024已更新)海昌機(jī)械,目前各企業(yè)諸如鐵水、處理容器、介質(zhì)、脫硫劑、設(shè)備(扒渣機(jī)、噴吹罐、噴升降裝置等)性能，操作人員水平等條件很不相同，要在同一基準(zhǔn)上比較非常困難。另外成本中有些指標(biāo)很難準(zhǔn)確的量化，如鐵損，回硫，渣的利用價值等。還有就是某些指標(biāo)數(shù)值的值在各個企業(yè)的成本核算中所占的比重不盡相同。企業(yè)在選擇某種脫硫工藝或裝備時，除了對比成本外，還要結(jié)合企業(yè)自身?xiàng)l件和特點(diǎn)，如脫硫劑的獲取途徑、鐵水條件、鋼種要求、整個工藝流程流暢的需要、廠房條件的等。單從脫硫劑的消耗來看，不同工藝使用的石灰、螢石、鎂等脫硫劑的市場價格相差很大。由于鑄件是承壓件需要，因此白模應(yīng)該致密，不能有珠粒融合的疏松，進(jìn)而在刷涂料時會造成涂料內(nèi)滲形成涂料渣，澆注的鑄件就會有滲漏現(xiàn)象。2.強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新模式我國的材料應(yīng)用企業(yè)一般規(guī)模不大。而企業(yè)作為加工應(yīng)用技術(shù)研究、研發(fā)投入的主體，單個企業(yè)投入研究可能負(fù)擔(dān)較重，因此同類應(yīng)用企業(yè)和加工裝備制造企業(yè)應(yīng)當(dāng)聯(lián)合起來形成產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，如以股份制形式共同出資投入組建研究團(tuán)隊(duì)，形成共有共享的技術(shù)，從而促進(jìn)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展著碳化硅晶體質(zhì)量的不斷提高,對碳化硅(SiC)基半導(dǎo)體器件已開始大量研究開發(fā)[1-2].由于SiC晶體具有很強(qiáng)的共價鍵,高溫?cái)U(kuò)散或離子注入等方式制備器件功能層都存在很大的局限性[3].而通過化學(xué)氣相外延(CVD)方法同質(zhì)外延一層結(jié)晶質(zhì)量高,摻雜可控的功能層是目前進(jìn)行器件制備的一個重要途徑[4-6].早期的碳化硅同質(zhì)外延使用(0001)正角襯底,很難避免3C-SiC多晶的產(chǎn)生.而通過采用偏離(0001)面一定角度的襯底,利用臺階側(cè)向生長的方法可以實(shí)現(xiàn)晶型的穩(wěn)定延續(xù),即使在較低的生長溫度下也可獲得高結(jié)晶質(zhì)量的SiC同質(zhì)外延膜[6].碳化硅同質(zhì)外延常用的CVD設(shè)備主要有常壓冷壁和低壓熱壁兩種類型[7].常壓冷壁CVD系統(tǒng)具有設(shè)備相對簡單,外延膜摻雜更易控制等優(yōu)點(diǎn),適合生長微電子器件所需的優(yōu)質(zhì)摻雜控制的薄膜,但是由于熱解效率低等因素,常壓冷壁CVD系統(tǒng)的外延膜生長速率一般較低,通常在2~3μm/h.為了在常壓冷壁CVD設(shè)備上實(shí)現(xiàn)外延膜的優(yōu)質(zhì)高速生長,本研究使用自制常壓冷壁CVD設(shè)備,在1400℃下進(jìn)行4H-SiC外延膜生長研究.1實(shí)驗(yàn)方法1.1碳化硅同質(zhì)外延膜的制備實(shí)驗(yàn)使用的是Cree公司生長的8°偏向的4H-SiC晶片.晶片經(jīng)過、V(NH4OH):V(H2O2):V(H2O)=1:1:5清洗后,在10%HF中浸泡5min.每步清洗后均用去離子水漂洗,后用高純N2吹干后立刻放入CVD反應(yīng)腔內(nèi)進(jìn)行生長.生長過程分為兩步:首先在1300℃進(jìn)行原位腐蝕處理;之后升溫至1400℃并通入源氣體進(jìn)行外延生長.具體的生長工藝條件見圖1,原位處理采用H2/HCl,生長的氣源系統(tǒng)為H2SiH4C3H8.通過改變丙烷的流量控制生長過程中的碳硅比(C/Si).部分高生長速率樣品在生長初始階段先以高C/Si比(2.5~4.0)、低生長速率生長一層200nm左右的界面過渡層,再逐漸過渡到正常生長過程.1.2測試方法生長后得到的外延膜通過光學(xué)顯微鏡觀察表面形貌.通過Raman光譜并輔以KOH腐蝕結(jié)果確認(rèn)晶型.通過斷面SEM計(jì)算外延膜的生長速率.通過KOH腐蝕研究外延膜中的晶體.2結(jié)果與討論2.1外延膜的晶型表征生長完成后,首行了Raman表征以確定1400℃生長時外延膜的晶型.如圖2所示,對比外延膜和襯底的Raman光譜可以看出,即使在1400℃的低生長溫度下,外延膜仍很好的延續(xù)襯底晶型.需要注意的是,在實(shí)驗(yàn)樣品中折疊縱光學(xué)(FLO)模出現(xiàn)在980cm1,與理論上的964cm1有一定差別.Kitamura等[8]研究發(fā)現(xiàn),晶體的摻雜濃度會明顯改變FLO的位置.根據(jù)他們實(shí)驗(yàn)的結(jié)果,980cm1對應(yīng)的雜質(zhì)濃度約~1018cm3,這與本實(shí)驗(yàn)通過霍爾(Hall)對樣品測試得到的結(jié)果相吻合.因?yàn)?C-SiC的折疊橫光學(xué)(FTO)模出現(xiàn)的位置與4H-SiCFTO模x(0)位置相同,都為796cm1.為此對外延膜進(jìn)行了進(jìn)一步的KOH腐蝕實(shí)驗(yàn).根據(jù)文獻(xiàn)報(bào)道[9],外延膜中的3C-SiC多晶會出現(xiàn)三角形的腐蝕坑,而在本實(shí)驗(yàn)中,只出現(xiàn)了六方和橢圓形腐蝕坑.因此,可以確認(rèn)即使是在1400℃的低生長溫度下,4H-SiC同質(zhì)外延仍能獲得結(jié)晶性非常好的單晶外延膜.2.2生長速率由于外延膜與襯底的摻雜性質(zhì)不同,在SEM下會呈現(xiàn)明顯不同的襯度,因此可以通過斷面SEM準(zhǔn)確地測出外延膜的厚度,如圖3(a)插圖所示.通過這種方法,可以得到不同SiH4流量以及不同C/Si條件下外延膜的生長速率.圖3(a)是不同SiH4流量時的生長速率關(guān)系圖,從圖中可以看出,生長速率與SiH4流量的關(guān)系可以分為兩個區(qū)域.在區(qū)域Ⅰ,生長速率隨SiH4流量增加而線性增加.在這個區(qū)域,系統(tǒng)內(nèi)反應(yīng)物質(zhì)處于非飽和狀態(tài),因此生長速率由反應(yīng)物的質(zhì)量輸運(yùn)過程控制,與源氣體的流量呈明顯的線性關(guān)系.在區(qū)域Ⅱ,生長速率已達(dá)到系統(tǒng)的飽和值,增加SiH4流量并不增加生長速率.對于本實(shí)驗(yàn)設(shè)備,在1400℃條件下飽和生長速率約在6μm/h左右.圖3(b)是SiH4流量保持為0.8sccm,改變C3H8流量得到的不同C/Si比的生長速率圖,從中可以看出,在C/Si1.5時,生長速率達(dá)到飽和狀態(tài),反應(yīng)受SiH4流量,再增加C3H8流量并不能增加生長速率.由于在生長溫度下SiH4和C3H8的裂解效率不同,因此飽和生長速率對應(yīng)的C/Si一般都大于1.2.3表面形貌利用光學(xué)顯微鏡研究了外延膜表面的形貌.外延膜表面出現(xiàn)的典型為圖4(a)所示的三角形.圖4(a)中內(nèi)嵌插圖為三角形的SEM照片,從圖中可以看出,三角形在表面凹陷,沿生長方向,在臺階流上方的頂點(diǎn)處深,其對應(yīng)的底邊通常與臺階流方向(即方向)垂直.圖4(a)~(d)為不同生長速率時外延膜的表面形貌光學(xué)照片.在低的生長速度下外延膜表面較少,隨著生長速率的增加,外延膜表面的密度迅速增加.當(dāng)生長速率達(dá)到6μm/h時,表面已幾乎被覆蓋.因此,在較高生長速度下,需做進(jìn)一步地研究來控制和降低外延膜表面密度.不同C/Si比生長的外延膜表面形貌見圖5.在C/Si比為0.5時,在外延膜表面形成大量的“逗號”狀的凹坑.通過Raman測試表明凹坑中存在著晶體Si,說明在此條件下,Si源嚴(yán)重過量,導(dǎo)致表面出現(xiàn)硅液滴的不斷沉積與揮發(fā)過程.但C/Si比大于1.5時,外延膜表面形貌沒有太大區(qū)別.通過對生長機(jī)制的分析,可以認(rèn)為三角形凹坑是由臺階側(cè)向的特性所決定的.按照SiC“臺階控制”生長理論模型,同質(zhì)外延利用臺階的側(cè)向生長以復(fù)制襯底的堆積順序(晶型)[10].如圖6所示,當(dāng)外延生長過程中,在界面處出現(xiàn)(形成)一個點(diǎn)(可能是晶體、外來粒子等),就會阻礙此處臺階的側(cè)向移動.隨著生長的不斷進(jìn)行,點(diǎn)不斷阻止側(cè)向生長的進(jìn)行,而在臺階流下方會逐漸恢復(fù)到正常的生長過程.終就會在外延膜表面留下一個臺階流上方頂點(diǎn)處凹陷下去的三角形,且三角形在臺階流上方的頂點(diǎn)深,而對應(yīng)邊與臺階流方向垂直.2.4外延膜的結(jié)晶由于襯底以及生長工藝因素的影響,外延膜中通常會形成一些結(jié)晶.用510℃熔融KOH腐蝕5min后發(fā)現(xiàn),襯底表面存在著如圖7(a)所示的“貝殼狀”腐蝕坑,對應(yīng)著基平面位錯(BPD)[11].Stahlbush等[12]研究發(fā)現(xiàn)BPDs在正向?qū)娏髯饔孟聲葑冃纬啥讯鈱渝e,造成高頻二極管(PiN)器件正向?qū)妷旱钠?而露頭刃位錯(對應(yīng)7(b)中“六邊形”腐蝕坑)對器件性能的影響則相對較小.因此,在SiC外延生長過程中阻止襯底中的BPDs向外延膜中延伸對提高器件性能有很重要的意義.圖7(b)和(c)是生長速率分別為2.2和3.5μm/h時外延膜表面腐蝕后的光學(xué)照片(MP).生長速率為2.2μm/h時,外延膜表面主要為六邊形的腐蝕坑,即露頭刃位錯(TEDs),說明低生長速率有利于襯底上的BPDs轉(zhuǎn)化成TEDs.當(dāng)生長速度增加到3.5μm/h時,由圖7(c)可以看到膜上的腐蝕坑密度增大,說明生長速度提高后,外延膜生長過程中形成了大量的新.不同C/Si比條件生長的外延膜也進(jìn)行了KOH腐蝕試驗(yàn).結(jié)果表明,低C/Si時,外延膜中仍存在著BPDs;高C/Si時,外延膜中基本不存在BPDs.說明高C/Si比有利于降低外延膜中的BPDs.在較高C/Si比生長條件下BPDs密度的降低可能是富C情況下臺階側(cè)向生長所占比例降低,空間螺旋生長所占比例增加,提高了BPDs轉(zhuǎn)化成TEDs的幾率[13-14].2.5表面的控制研究在低生長速率時,由于生長初期界面由腐蝕(表面粒子解離為主)到生長(表面粒子吸附固定)的轉(zhuǎn)變相對較平穩(wěn),因此外延膜表面較少.但在高生長速率時,初期界面的轉(zhuǎn)換非常劇烈,導(dǎo)致初期在界面處波動太大,形成大量的中心,從而在后續(xù)正常生長中引入大量的點(diǎn),根據(jù)三角形產(chǎn)生的機(jī)制,終在外延膜表面形成大量的三角形凹坑.從上述分析可以看出,外延膜的密度受生長速率密切影響.高生長速率時在生長初期容易在界面上形成異常成核或者異常堆積,從而產(chǎn)生大量并延續(xù)到外延膜中,形成更多的表面.因此在高生長速率的情況下,要得到低密度的外延膜,需要控制并減少在初期生長界面處形成.通過在生長初期逐漸增加源氣體流量,控制生長初期時生長界面的異常成核,可以減少在外延過程中形成.圖8是生長速率為5.5μm/h時,直接外延生長和改進(jìn)后的外延膜表面的光學(xué)照片,從圖中可以看出改進(jìn)初期生長條件后外延膜表面的密度極大地降低,提高了外延膜的質(zhì)量.利用熔融KOH腐蝕對有無初期生長的外延膜結(jié)晶做了對比研究.從圖9中可以看出,加入初期生長的外延膜在熔融KOH腐蝕后發(fā)現(xiàn),即使在很高生長速率(5.5μm/h,接近飽和生長速率)條件下,腐蝕坑密度也迅速減少,說明通過引入初期生長能外延生長初期的形成,從而極大降低高速生長時外延膜中的密度,因此引入初期生長是提高高速生長外延膜質(zhì)量的重要手段之一。

合成氨工業(yè)能有,與催化劑領(lǐng)域的科學(xué)與技術(shù)進(jìn)步密切相關(guān)。今后合成氨工業(yè)的革新也將有待于新的催化劑的發(fā)明和老催化劑的更新。如氨合成工業(yè)存在節(jié)能降耗的技術(shù)難題,希望能開發(fā)出低水碳比新型蒸汽轉(zhuǎn)化催化劑;要實(shí)現(xiàn)“等壓合成”新流程,多半要依賴于低溫低壓高活性的新型合成氨催化劑的研制成功,等等。

二攪的工藝設(shè)備常選用單軸攪拌機(jī)、帶擠出單軸強(qiáng)力攪拌機(jī)或連續(xù)進(jìn)出料的濕式輪碾機(jī)?！　≌駝与姍C(jī)軸承的潤滑是整臺振動給料機(jī)正常工作的關(guān)鍵，例如一臺給料量為數(shù)百噸的圓盤給料機(jī)價格達(dá)數(shù)十萬元，年耗電費(fèi)用多達(dá)到數(shù)萬元。在使用過程中應(yīng)定期對軸承加注潤滑脂，每兩個月加注一次，高溫季節(jié)每月加注一次，每半年拆修一次電機(jī)，更換內(nèi)部軸承。無給料機(jī)降低了配料系統(tǒng)的高差，對新建系統(tǒng)來說可節(jié)省，對老系統(tǒng)來說，增加配料皮帶秤的方案更容易實(shí)施。拖料皮帶秤用于流動性能較好、濕度適中、較適合于皮帶給料機(jī)給料的物料。如果在此能對泥料進(jìn)行壓實(shí)致密，則能為成型提供更佳的泥料，即為提高成型質(zhì)量提供了良好的條件。這幾種設(shè)備應(yīng)根據(jù)泥料的成分和性質(zhì)進(jìn)行合理選用。

　　新款165型大型米粉機(jī)由變速箱、高速熟化機(jī)和低速高壓成型機(jī)組成，采用生物變性技術(shù)，以大米、小米、玉米等為原料，通過高速熟化擠條機(jī)摩擦產(chǎn)熱使米粉米粉糊化和膨化，自動聚合，成條狀均勻的擠入低速高壓成型機(jī)，更換不同的模具可生產(chǎn)米線、米粉、牛筋面、冷面，雜糧面條、粉條、粉絲等。拉桿式大型米線機(jī)實(shí)現(xiàn)了生產(chǎn)自動化，提高了產(chǎn)能，節(jié)約能源百分之四十，減少人工百分之七十以上。大型米線機(jī)生產(chǎn)過程中熟化度、糊化度和膨化度的提高和穩(wěn)定，使米線不斷條，不糊湯，咬勁足，求滑度高，口感好，且物料均在機(jī)器上運(yùn)行，便于長期保存。米線機(jī)加工產(chǎn)品不需任何添加劑，符合衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)，口感細(xì)膩，爽滑筋道，風(fēng)味獨(dú)特，適用于個體、鄉(xiāng)鎮(zhèn)加工廠及城市食品加工廠。

對于熔點(diǎn)低的物枰，盡管有可保持物料溫度在熔點(diǎn)之上，因此很難出現(xiàn)環(huán)結(jié)現(xiàn)象。為了避免環(huán)結(jié)發(fā)生，要在開車之前，認(rèn)真檢查加熱器及溫度控制儀表，保障各儀表正常工作。在機(jī)器擠出工作期間，應(yīng)定時檢查儀表及監(jiān)測各加熱區(qū)溫度。發(fā)現(xiàn)異常時，及時處理。

遵義法國制氧分子篩設(shè)備租賃費(fèi)用體積是指氣體所處的容器之容積。常以立方毫米(mm3)、立方厘米(cm3)、立方米(m3)表示。比容是單位重量物質(zhì)所占有的容積，用符號V表示，氣體比容單位用m3/kg，液態(tài)比容l/kg表示。壓力、壓強(qiáng)、大氣壓、壓力、相對壓力氣體分子運(yùn)動時對容器壁的撞擊時產(chǎn)生的力稱壓力。

螺桿螺紋的局部斷裂可采用堆焊的方法修復(fù)。這時螺桿動力消耗增加，可能使螺桿螺紋局部斷裂，劃傷機(jī)筒，甚至扭斷螺桿。機(jī)筒的劃傷是很難修復(fù)的。為了防止螺桿被物料中硬質(zhì)異物卡傷，應(yīng)嚴(yán)格管理混料和加料操作。某些擠出機(jī)物料加人口處設(shè)置磁性或其他金屬。

隨機(jī)標(biāo)配4種不同孔徑的模板，亦可按用戶需求加工。擠條機(jī)設(shè)備特點(diǎn)——結(jié)構(gòu)簡單使用方便。對螺桿進(jìn)行限壓力保護(hù)。螺桿無級調(diào)速，轉(zhuǎn)速值實(shí)時顯示。為研究用設(shè)備增配了數(shù)字式擠出壓力測量機(jī)構(gòu)。清洗拆換便捷。與物料接觸部分采用不銹鋼制造。

這意味著需要對加氫脫硫催化劑進(jìn)行更廣泛和更深入的研究，不斷開拓新型催化劑，以滿足工業(yè)生產(chǎn)的實(shí)際需要。但新型催化劑的研制比較困難，活性組分性能的提高空間不大，而對催化劑載體進(jìn)行改性即可大大改善催化劑的活性，因此，眾多的目光均集中于對加氫脫硫催化劑載體的研究。

催化劑載體的未來發(fā)展前景活性氧化鋁載體是一類使用為廣泛的催化劑載體，且作為惰性固體催化劑載體，約占工業(yè)上負(fù)載型催化劑的70%。氧化鋁有多種形態(tài)，不僅不同形態(tài)有不同性質(zhì)，即使同一形態(tài)也因其來源不同，而有不同的性質(zhì)，如密度孔隙結(jié)構(gòu)比表面積等。

γ型氧化鋁不溶于水，能溶于強(qiáng)酸或強(qiáng)堿溶液，將它加熱至1200°C就全部轉(zhuǎn)化為α型氧化鋁。γ型氧化鋁是一種多孔性物質(zhì)，每克的內(nèi)表面積高達(dá)數(shù)百平方米，活性高吸附能力強(qiáng)。工業(yè)品常為無色或微帶粉紅的圓柱型顆粒，耐壓性好。

催化劑載體的應(yīng)用——比如催化劑載體，將鉑負(fù)載于活性炭上。若用分子篩為載體，鉑可達(dá)到接近于原子級的分散度。對于某些強(qiáng)放熱反應(yīng)，載體使催化劑中的活性組分稀釋，以達(dá)到熱平衡要求;良好熱導(dǎo)率的載體，如金屬碳化硅等,有助于移去反應(yīng)熱，避免催化劑表面局部過熱。