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福建生產加工輪碾機成套設備(今日/熱點)

時間:2025-02-07 06:13:44 
淄博市臨淄海昌機械有限公司是一家做工業(yè)催化劑、分子篩、活性炭、化工等成套設備的設計與加工制作、制造擠出成型、干燥、焙燒、粉碎等化工設備的企業(yè)。主要產品有分子篩加工、自動壓料單螺桿擠條機、雙螺桿擠條機、捏合機、電器PLC遠程自動控制工程、工業(yè)窯爐、帶式干燥機等大規(guī)模生產及實驗室用的設備,催化劑載體異形加工及化工用非標設備的設計、加工與安裝等。目前公司開展了載體成型加工業(yè)務,歡迎客戶光臨指導。

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(1)業(yè)務流程:前期調研(項目基本信息、客戶需求)--方案設計(工藝選擇、系統(tǒng)設計)--項目實施(安裝調試、培訓、試運行)--竣工驗收(檢測驗收、交付使用)(2)湖州分子篩核心技術:①氧化水解技術:以水為介質,通過活性氧基團和羥基自由基的氧化作用,使有機氣體氧化降解。②RTO/RCO技術:分子篩設備通過高溫氧化作用,使有機氣體分解成無污染氣體。(5)應用行業(yè):①電子、光伏、表面處理②化工、印染、制藥③噴涂、皮革、橡膠④涂料、污水站等⑤垃圾中轉站、處理廠單人用的制氧設備至少應由制氧主機流量計和濕化器等組成。③光分解技術:采用特殊波段輻照場,污染物能態(tài)躍遷并發(fā)生氧化反應,從而去除污染物。該類產品適用于以為目的,以沸石分子篩為吸附劑,用變壓吸附法(ps)制取氧氣的分子篩設備。(3)常規(guī)技術:①低溫等離子②吸附/脫附③生物/化學洗滌④冷凝回收⑤干法/濕法除塵(4)服務項目:項目環(huán)評報告、技術咨詢服務、工程設計施工、設備提標改造、廢氣檢測。產品的結構組成制氧機—分子篩制氧設備分子篩制氧設備。

已申請中國專利,并在數(shù)家工廠使用。4】廢鉑徠催化劑回收其一,物資再生利用研究所與長嶺煉油廠合作,采取"全溶法"浸出,離子交換吸附鉑徠,沉淀劑分離鉑徠的方法。其二,物資再生利用研究所與核工業(yè)部所合作采用"全熔法"浸出,離子交換吸附鉑(或鈀),鉑的回收率>98%。鉑的萃取率>99%,反萃率>99%,鉑直收率>97%,產品鉑純度99%;其二,清華大學與北京稀貴金屬提煉廠合作。95%。鈀回收率>98%。鉑回收率>98%,徠收率>93%,鉑徠產品純度均>995%,尾液硫酸鋁可做為生產催化劑載體原料。鈀的收率>97%。產品純度均>99。已申請中國專利。徠的萃取率>99%,反認率>99%。其三,物資再生利用研究所與揚子石化公司合作研究從廢鈀碳催化劑中回收鈀。廢催化劑用40%硫酸溶解,溶解液中用40%二異辛基亞礬萃取徠,反萃液生產徠酸鉀,硫酸不溶渣灼燒除碳,酸溶浸鉑,浸鉑液經40%二異辛基亞堿萃取鉑,反萃液還原沉鉑。廢催化劑經燒碳,氯化浸出,氨絡合,酸化提純,***后水合腓還原獲純度>995%海綿鈀,絡合渣等廢液中少量鈀經樹脂吸附回收。用萃取法回收廢催化劑中的鉑徠。

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常用的擠條機主要有雙螺桿擠條機單螺桿擠條機以及柱塞式擠條機滾輪擠條機環(huán)滾筒式擠條機等。有些物料擠出性能較好,能夠混合均勻就可以擠出,一般混合機能達到要求;有些物料混合后須煉制(捏合),否則無法擠出或擠出質量差,則需捏合機捏合。

近年來,擠條機(單螺桿擠條機和雙螺桿擠條機)成為機械行業(yè)為的機械設備,那么擠條機到底有哪些優(yōu)勢呢。高速高產化擠條機具備高產的優(yōu)勢,這可使者以比較低的投入得到較大的產出以及高額的回報,但是螺桿擠條機高速高產化也帶來了一些問題,如物料在螺桿內停留時間減少會導致物料混塑化不均,物料經受過度剪。多功能化的塑料擠條機的主要體現(xiàn)在高產出。低能耗造成本方面,它的用途已拓寬到食品飼料建材包裝紙漿陶瓷等領域。

今年來,擠出機市場前景發(fā)展旺盛。從世界范圍看,塑料機械的種類主要由注塑機塑料擠出機/擠出生產線和吹塑機三大類商品組成,它們占到了塑料機械總產值的80%以上,商場受歡迎程度高居不下。而中國塑料機械職業(yè)近兩年開展對比達觀,擠出機商場也有了不小的前進與打破。

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還有就是某些指標數(shù)值的值在各個企業(yè)的成本核算中所占的比重不盡相同。由于鑄件是承壓件需要,因此白模應該致密,不能有珠粒融合的疏松,進而在刷涂料時會造成涂料內滲形成涂料渣,澆注的鑄件就會有滲漏現(xiàn)象。而企業(yè)作為加工應用技術研究、研發(fā)投入的主體,單個企業(yè)投入研究可能負擔較重,因此同類應用企業(yè)和加工裝備制造企業(yè)應當聯(lián)合起來形成產業(yè)聯(lián)盟,如以股份制形式共同出資投入組建研究團隊,形成共有共享的技術,從而促進產業(yè)的發(fā)展著碳化硅晶體質量的不斷提高,對碳化硅(SiC)基半導體器件已開始大量研究開發(fā)[1-2].由于SiC晶體具有很強的共價鍵,高溫擴散或離子注入等方式制備器件功能層都存在很大的局限性[3].而通過化學氣相外延(CVD)方法同質外延一層結晶質量高,摻雜可控的功能層是目前進行器件制備的一個重要途徑[4-6].早期的碳化硅同質外延使用(0001)正角襯底,很難避免3C-SiC多晶的產生.而通過采用偏離(0001)面一定角度的襯底,利用臺階側向生長的方法可以實現(xiàn)晶型的穩(wěn)定延續(xù),即使在較低的生長溫度下也可獲得高結晶質量的SiC同質外延膜[6].碳化硅同質外延常用的CVD設備主要有常壓冷壁和低壓熱壁兩種類型[7].常壓冷壁CVD系統(tǒng)具有設備相對簡單,外延膜摻雜更易控制等優(yōu)點,適合生長微電子器件所需的優(yōu)質摻雜控制的薄膜,但是由于熱解效率低等因素,常壓冷壁CVD系統(tǒng)的外延膜生長速率一般較低,通常在2~3μm/h.為了在常壓冷壁CVD設備上實現(xiàn)外延膜的優(yōu)質高速生長,本研究使用自制常壓冷壁CVD設備,在1400℃下進行4H-SiC外延膜生長研究.1實驗方法1.1碳化硅同質外延膜的制備實驗使用的是Cree公司生長的8°偏向的4H-SiC晶片.晶片經過、V(NH4OH):V(H2O2):V(H2O)=1:1:5清洗后,在10%HF中浸泡5min.每步清洗后均用去離子水漂洗,后用高純N2吹干后立刻放入CVD反應腔內進行生長.生長過程分為兩步:首先在1300℃進行原位腐蝕處理;目前各企業(yè)諸如鐵水、處理容器、介質、脫硫劑、設備(扒渣機、噴吹罐、噴升降裝置等)性能,操作人員水平等條件很不相同,要在同一基準上比較非常困難。另外成本中有些指標很難準確的量化,如鐵損,回硫,渣的利用價值等。2.強化產業(yè)創(chuàng)新模式我國的材料應用企業(yè)一般規(guī)模不大。企業(yè)在選擇某種脫硫工藝或裝備時,除了對比成本外,還要結合企業(yè)自身條件和特點,如脫硫劑的獲取途徑、鐵水條件、鋼種要求、整個工藝流程流暢的需要、廠房條件的等。高C/Si時,外延膜中基本不存在BPDs.說明高C/Si比有利于降低外延膜中的BPDs.在較高C/Si比生長條件下BPDs密度的降低可能是富C情況下臺階側向生長所占比例降低,空間螺旋生長所占比例增加,提高了BPDs轉化成TEDs的幾率[13-14].2.5表面的控制研究在低生長速率時,由于生長初期界面由腐蝕(表面粒子解離為主)到生長(表面粒子吸附固定)的轉變相對較平穩(wěn),因此外延膜表面較少.但在高生長速率時,初期界面的轉換非常劇烈,導致初期在界面處波動太大,形成大量的中心,從而在后續(xù)正常生長中引入大量的點,根據(jù)三角形產生的機制,終在外延膜表面形成大量的三角形凹坑.從上述分析可以看出,外延膜的密度受生長速率密切影響.高生長速率時在生長初期容易在界面上形成異常成核或者異常堆積,從而產生大量并延續(xù)到外延膜中,形成更多的表面.因此在高生長速率的情況下,要得到低密度的外延膜,需要控制并減少在初期生長界面處形成.通過在生長初期逐漸增加源氣體流量,控制生長初期時生長界面的異常成核,可以減少在外延過程中形成.圖8是生長速率為5.5μm/h時,直接外延生長和改進后的外延膜表面的光學照片,從圖中可以看出改進初期生長條件后外延膜表面的密度極大地降低,提高了外延膜的質量.利用熔融KOH腐蝕對有無初期生長的外延膜結晶做了對比研究.從圖9中可以看出,加入初期生長的外延膜在熔融KOH腐蝕后發(fā)現(xiàn),即使在很高生長速率(5.5μm/h,接近飽和生長速率)條件下,腐蝕坑密度也迅速減少,說明通過引入初期生長能外延生長初期的形成,從而極大降低高速生長時外延膜中的密度,因此引入初期生長是提高高速生長外延膜質量的重要手段之一。單從脫硫劑的消耗來看,不同工藝使用的石灰、螢石、鎂等脫硫劑的市場價格相差很大。之后升溫至1400℃并通入源氣體進行外延生長.具體的生長工藝條件見圖1,原位處理采用H2/HCl,生長的氣源系統(tǒng)為H2SiH4C3H8.通過改變丙烷的流量控制生長過程中的碳硅比(C/Si).部分高生長速率樣品在生長初始階段先以高C/Si比(2.5~4.0)、低生長速率生長一層200nm左右的界面過渡層,再逐漸過渡到正常生長過程.1.2測試方法生長后得到的外延膜通過光學顯微鏡觀察表面形貌.通過Raman光譜并輔以KOH腐蝕結果確認晶型.通過斷面SEM計算外延膜的生長速率.通過KOH腐蝕研究外延膜中的晶體.2結果與討論2.1外延膜的晶型表征生長完成后,首行了Raman表征以確定1400℃生長時外延膜的晶型.如圖2所示,對比外延膜和襯底的Raman光譜可以看出,即使在1400℃的低生長溫度下,外延膜仍很好的延續(xù)襯底晶型.需要注意的是,在實驗樣品中折疊縱光學(FLO)模出現(xiàn)在980cm1,與理論上的964cm1有一定差別.Kitamura等[8]研究發(fā)現(xiàn),晶體的摻雜濃度會明顯改變FLO的位置.根據(jù)他們實驗的結果,980cm1對應的雜質濃度約~1018cm3,這與本實驗通過霍爾(Hall)對樣品測試得到的結果相吻合.因為3C-SiC的折疊橫光學(FTO)模出現(xiàn)的位置與4H-SiCFTO模x(0)位置相同,都為796cm1.為此對外延膜進行了進一步的KOH腐蝕實驗.根據(jù)文獻報道[9],外延膜中的3C-SiC多晶會出現(xiàn)三角形的腐蝕坑,而在本實驗中,只出現(xiàn)了六方和橢圓形腐蝕坑.因此,可以確認即使是在1400℃的低生長溫度下,4H-SiC同質外延仍能獲得結晶性非常好的單晶外延膜.2.2生長速率由于外延膜與襯底的摻雜性質不同,在SEM下會呈現(xiàn)明顯不同的襯度,因此可以通過斷面SEM準確地測出外延膜的厚度,如圖3(a)插圖所示.通過這種方法,可以得到不同SiH4流量以及不同C/Si條件下外延膜的生長速率.圖3(a)是不同SiH4流量時的生長速率關系圖,從圖中可以看出,生長速率與SiH4流量的關系可以分為兩個區(qū)域.在區(qū)域Ⅰ,生長速率隨SiH4流量增加而線性增加.在這個區(qū)域,系統(tǒng)內反應物質處于非飽和狀態(tài),因此生長速率由反應物的質量輸運過程控制,與源氣體的流量呈明顯的線性關系.在區(qū)域Ⅱ,生長速率已達到系統(tǒng)的飽和值,增加SiH4流量并不增加生長速率.對于本實驗設備,在1400℃條件下飽和生長速率約在6μm/h左右.圖3(b)是SiH4流量保持為0.8sccm,改變C3H8流量得到的不同C/Si比的生長速率圖,從中可以看出,在C/Si1.5時,生長速率達到飽和狀態(tài),反應受SiH4流量,再增加C3H8流量并不能增加生長速率.由于在生長溫度下SiH4和C3H8的裂解效率不同,因此飽和生長速率對應的C/Si一般都大于1.2.3表面形貌利用光學顯微鏡研究了外延膜表面的形貌.外延膜表面出現(xiàn)的典型為圖4(a)所示的三角形.圖4(a)中內嵌插圖為三角形的SEM照片,從圖中可以看出,三角形在表面凹陷,沿生長方向,在臺階流上方的頂點處深,其對應的底邊通常與臺階流方向(即方向)垂直.圖4(a)~(d)為不同生長速率時外延膜的表面形貌光學照片.在低的生長速度下外延膜表面較少,隨著生長速率的增加,外延膜表面的密度迅速增加.當生長速率達到6μm/h時,表面已幾乎被覆蓋.因此,在較高生長速度下,需做進一步地研究來控制和降低外延膜表面密度.不同C/Si比生長的外延膜表面形貌見圖5.在C/Si比為0.5時,在外延膜表面形成大量的“逗號”狀的凹坑.通過Raman測試表明凹坑中存在著晶體Si,說明在此條件下,Si源嚴重過量,導致表面出現(xiàn)硅液滴的不斷沉積與揮發(fā)過程.但C/Si比大于1.5時,外延膜表面形貌沒有太大區(qū)別.通過對生長機制的分析,可以認為三角形凹坑是由臺階側向的特性所決定的.按照SiC“臺階控制”生長理論模型,同質外延利用臺階的側向生長以復制襯底的堆積順序(晶型)[10].如圖6所示,當外延生長過程中,在界面處出現(xiàn)(形成)一個點(可能是晶體、外來粒子等),就會阻礙此處臺階的側向移動.隨著生長的不斷進行,點不斷阻止側向生長的進行,而在臺階流下方會逐漸恢復到正常的生長過程.終就會在外延膜表面留下一個臺階流上方頂點處凹陷下去的三角形,且三角形在臺階流上方的頂點深,而對應邊與臺階流方向垂直.2.4外延膜的結晶由于襯底以及生長工藝因素的影響,外延膜中通常會形成一些結晶.用510℃熔融KOH腐蝕5min后發(fā)現(xiàn),襯底表面存在著如圖7(a)所示的“貝殼狀”腐蝕坑,對應著基平面位錯(BPD)[11].Stahlbush等[12]研究發(fā)現(xiàn)BPDs在正向導通電流作用下會演變形成堆垛層錯,造成高頻二極管(PiN)器件正向導通電壓的漂移.而露頭刃位錯(對應7(b)中“六邊形”腐蝕坑)對器件性能的影響則相對較小.因此,在SiC外延生長過程中阻止襯底中的BPDs向外延膜中延伸對提高器件性能有很重要的意義.圖7(b)和(c)是生長速率分別為2.2和3.5μm/h時外延膜表面腐蝕后的光學照片(MP).生長速率為2.2μm/h時,外延膜表面主要為六邊形的腐蝕坑,即露頭刃位錯(TEDs),說明低生長速率有利于襯底上的BPDs轉化成TEDs.當生長速度增加到3.5μm/h時,由圖7(c)可以看到膜上的腐蝕坑密度增大,說明生長速度提高后,外延膜生長過程中形成了大量的新.不同C/Si比條件生長的外延膜也進行了KOH腐蝕試驗.結果表明,低C/Si時,外延膜中仍存在著BPDs;

輪碾機和輥式磨機,這是以擠壓和碾磨作為主要的破碎方式。顎式破碎機和圓錐以及輥式破碎機,它們是以擠壓為主要的方式。錘式破碎機和反擊式破碎機,這兩種破碎機以沖擊為主,這是它們的破碎方式。接下來就跟大家介紹下這些破碎機的不同使用