山西陶瓷激光打孔機(jī)(2024更新成功)(今日/展示)，3、速度同比增長(zhǎng)2-3秒每個(gè)產(chǎn)品。

山西陶瓷激光打孔機(jī)(2024更新成功)(今日/展示)， 6.激光活化金屬陶瓷基板(LAM)LAM陶瓷基板通過(guò)激光束加熱活化需要金屬化的陶瓷基板表面，然后通過(guò)電鍍或化學(xué)鍍形成金屬化布線(xiàn)。該工藝無(wú)需采用光刻、顯影、刻蝕等微加工工藝，通過(guò)激光直寫(xiě)制備線(xiàn)路層，且線(xiàn)寬由激光光斑決定，精度高，可在維結(jié)構(gòu)陶瓷表面制備線(xiàn)路層，突破了傳統(tǒng)平面陶瓷基板金屬化的限制，金屬層與陶瓷基片結(jié)合強(qiáng)度高，線(xiàn)路層表面平整，粗糙度在納米級(jí)別。但其難以大批量生產(chǎn)，價(jià)格極高，目前主要應(yīng)用于航空航天領(lǐng)域。

根據(jù)制備原理與工藝不同，平面陶瓷基板可分為薄膜陶瓷基板(TFC)、厚膜印刷陶瓷基板(TPC)、直接鍵合銅陶瓷基板(DBC)、活性金屬焊接陶瓷基板(AMB)、直接電鍍銅陶瓷基板(DPC)和激光活化金屬陶瓷基板(LAM)等。1.薄膜陶瓷基板(TFC)TFC利用磁控濺射、真空蒸鍍和電化學(xué)沉積等薄膜工藝在陶瓷基板表面形成金屬層，然后通過(guò)掩膜和刻蝕等工藝形成特定的金屬圖形。該工藝工作溫度低、布線(xiàn)精度高、金屬層厚度可控以及金屬陶瓷間結(jié)合強(qiáng)度高。常用于薄膜工藝的陶瓷基片材料主要有Al2OAlN 和 BeO等。薄膜陶瓷基板主要應(yīng)用于電流小、尺寸小、散熱要求高、布線(xiàn)精度要求高的器件封裝。

山西陶瓷激光打孔機(jī)(2024更新成功)(今日/展示)， 3.直接鍵合銅陶瓷基板(DBC)DBC陶瓷基板是在1000℃以上的高溫條件下，在含氧的氮?dú)庵屑訜?，使銅箔和陶瓷基板通過(guò)共晶鍵合的方式牢固結(jié)合在一起，其鍵合強(qiáng)度高且具有良好的導(dǎo)熱性和熱穩(wěn)定性。廣泛應(yīng)用于絕緣雙極極管、激光器、聚焦光伏等器件封裝散熱中。

陶瓷基板又稱(chēng)陶瓷電路板，由陶瓷基片和布線(xiàn)金屬層兩部分組成。封裝基板起著承上啟下，連接內(nèi)外散熱通道的關(guān)鍵作用，同時(shí)兼有電互連和機(jī)械支撐等功能。陶瓷熱導(dǎo)率高、耐熱性好、機(jī)械強(qiáng)度高、熱膨脹系數(shù)低，是功率半導(dǎo)體器件封裝常用的基板材料。根據(jù)封裝結(jié)構(gòu)和應(yīng)用要求，陶瓷基板可分為平面陶瓷基板和維陶瓷基板兩大類(lèi)。

山西陶瓷激光打孔機(jī)(2024更新成功)(今日/展示)， 常見(jiàn)的維陶瓷基板主要有：高/低溫共燒陶瓷基板(HTCC/LTCC) 、 多層燒結(jié)維陶瓷基板(MSC)、直接粘接維陶瓷基板(DAC)、多層鍍銅維陶瓷基板(MPC)以及直接成型維陶瓷基板(DMC)等。1.高溫共燒陶瓷基板(HTCC)HTCC基板制備過(guò)程中先將陶瓷粉(Al2O3或AlN)加入有機(jī)黏結(jié)劑，混合均勻成為膏狀陶瓷漿料后，用刮刀將陶瓷漿料刮成片狀，再通過(guò)干燥工藝使片狀漿料形成生胚，然后根據(jù)線(xiàn)路層設(shè)計(jì)鉆導(dǎo)通孔，采用絲網(wǎng)印刷金屬漿料進(jìn)行布線(xiàn)填孔，后將生胚層疊加，置于高溫爐中燒結(jié)。該工藝溫度高，導(dǎo)電金屬選擇受限，只能采用熔點(diǎn)高但導(dǎo)電性較差的金屬，制作成本較高。受限于絲網(wǎng)印刷工藝，線(xiàn)路精度較差，難以滿(mǎn)足高精度封裝需求。但HTCC基板具有較高機(jī)械強(qiáng)度和熱導(dǎo)率，物化性能穩(wěn)定，適合大功率及高溫環(huán)境下器件封裝。工藝流程如下圖。

5.多層電鍍維陶瓷基板(MPC)MPC基板采用圖形電鍍工藝制備線(xiàn)路層，避免基板線(xiàn)路粗糙問(wèn)題，滿(mǎn)足高精度封裝要求。陶瓷基板與金屬?lài)鷫我惑w化成型為密封腔體，結(jié)構(gòu)緊湊，無(wú)中間粘結(jié)層，氣密性高。MPC基板整體為全無(wú)機(jī)材料，具有良好的耐熱性、抗腐蝕、抗輻射等。金屬?lài)鷫谓Y(jié)構(gòu)形狀可以任意設(shè)計(jì)，圍壩頂部可制備出定位臺(tái)階，便于放置玻璃透鏡或蓋板。但干膜厚度限制，制備過(guò)程耗時(shí)長(zhǎng)，生產(chǎn)成本高，由于電鍍圍壩銅層較厚，內(nèi)部應(yīng)力大，MPC基板容易翹曲變形，影響后續(xù)的芯片封裝質(zhì)量與效率。6.直接成型維陶瓷基板(DMC)首先制備平面DPC陶瓷基板，同時(shí)制備帶孔橡膠模具，將橡膠模具與 DPC陶瓷基板對(duì)準(zhǔn)合模后，向模具腔內(nèi)填充犧牲模材料，待犧牲模材料固化后，取下橡膠模具，犧牲模粘接于DPC陶瓷基板上，并復(fù)制橡膠模具孔結(jié)構(gòu)特征，作為鋁硅酸鹽漿料成型模具，隨后將鋁硅酸鹽漿料涂覆于DPC陶瓷基板上并刮平，加熱固化，后將犧牲模材料腐蝕，得到含鋁硅酸鹽免燒陶瓷圍壩的維陶瓷基板。該工藝制備的維陶瓷基板精度高，重復(fù)性好，適合量產(chǎn)。鋁硅酸鹽漿料加熱后脫水縮合，主要產(chǎn)物為無(wú)機(jī)聚合物，其耐熱性好，熱膨脹系數(shù)與陶瓷基片匹配，具有良好的熱穩(wěn)定性。固化體與陶瓷、金屬粘接強(qiáng)度高，制備的維陶瓷基板可靠性高。圍壩厚度(腔體高度)取決于模具厚度，理論上不受限制，可滿(mǎn)足不同結(jié)構(gòu)和尺寸的電子器件封裝要求。