中國(guó)絕緣柵雙極晶體管（IGBT）市場(chǎng)發(fā)展?fàn)顩r與前景模式分析報(bào)告2023-2028年
【報(bào)告編號(hào)】: 392527
【出版時(shí)間】: 2023年3月
【出版機(jī)構(gòu)】: 中研智業(yè)研究院
【交付方式】: EMIL電子版或特快專遞
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第一章 絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）行業(yè)相關(guān)概述
第一節(jié) 功率半導(dǎo)體相關(guān)介紹
一、 基本概念
二、 性能對(duì)比
三、 應(yīng)用范圍
第二節(jié) IGBT相關(guān)概述
一、 基本概念
二、 基本分類
三、 產(chǎn)品類別
第二章 2020-2022年功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜合分析
第一節(jié) 2020-2022年全球功率半導(dǎo)體發(fā)展分析
一、 發(fā)展驅(qū)動(dòng)因素
二、 市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
三、 細(xì)分市場(chǎng)占比
四、 企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局
五、 應(yīng)用領(lǐng)域狀況
六、 廠商擴(kuò)產(chǎn)情況
第二節(jié) 2020-2022年中國(guó)功率半導(dǎo)體發(fā)展分析
一、 行業(yè)發(fā)展特點(diǎn)
二、 市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
三、 市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局
四、 支持基金分布
五、 企業(yè)研發(fā)狀況
六、 下游應(yīng)用狀況
第三節(jié) 功率半導(dǎo)體行業(yè)項(xiàng)目投資案例
一、 項(xiàng)目基本概況
二、 項(xiàng)目投資計(jì)劃
三、 項(xiàng)目投資必要性
四、 項(xiàng)目投資可行性
第四節(jié) 功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展困境及建議
一、 行業(yè)發(fā)展困境
二、 行業(yè)發(fā)展建議
第三章 2020-2022年IGBT行業(yè)發(fā)展環(huán)境分析
第一節(jié) 政策環(huán)境
一、 行業(yè)監(jiān)管主體部門
二、 行業(yè)相關(guān)政策匯總
三、 產(chǎn)業(yè)目錄引導(dǎo)發(fā)展
四、 集成電路稅收政策
五、 新能源汽車政策推動(dòng)
第二節(jié) 經(jīng)濟(jì)環(huán)境
一、 世界經(jīng)濟(jì)形勢(shì)分析
二、 國(guó)內(nèi)宏觀經(jīng)濟(jì)概況
三、 工業(yè)經(jīng)濟(jì)運(yùn)行狀況
四、 未來(lái)經(jīng)濟(jì)發(fā)展走勢(shì)
第三節(jié) 社會(huì)環(huán)境
一、 居民收入水平
二、 居民消費(fèi)結(jié)構(gòu)
三、 社會(huì)消費(fèi)規(guī)模
第四章 2020-2022年IGBT行業(yè)發(fā)展綜合分析
第一節(jié) 2020-2022年全球IGBT行業(yè)發(fā)展分析
一、 行業(yè)發(fā)展歷程
二、 市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
三、 市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局
四、 下游應(yīng)用占比
第二節(jié) 2020-2022年中國(guó)IGBT行業(yè)發(fā)展分析
一、 需求驅(qū)動(dòng)因素
二、 市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
三、 市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局
四、 企業(yè)技術(shù)布局
五、 應(yīng)用領(lǐng)域分布
第三節(jié) IGBT行業(yè)商業(yè)模式分析
一、 無(wú)工廠芯片供應(yīng)商（Fabless）模式
二、 代工廠（Foundry）模式
三、 集成器件制造（IDM）模式
第四節(jié) IGBT產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展分析
一、 產(chǎn)業(yè)鏈條結(jié)構(gòu)
二、 產(chǎn)業(yè)核心環(huán)節(jié)
三、 上游領(lǐng)域分析
四、 下游領(lǐng)域分析
第五章 2020-2022年IGBT技術(shù)研發(fā)狀況
第一節(jié) IGBT技術(shù)進(jìn)展及挑戰(zhàn)分析
一、 封裝技術(shù)分析
二、 車用技術(shù)要求
三、 技術(shù)發(fā)展挑戰(zhàn)
第二節(jié) 車規(guī)級(jí)IGBT芯片技術(shù)發(fā)展分析
一、 大電流密度和低損耗技術(shù)
二、 高壓/高溫技術(shù)
三、 智能集成技術(shù)
第三節(jié) 車規(guī)級(jí)IGBT模塊封裝技術(shù)
一、 芯片表面互連技術(shù)
二、 貼片互連技術(shù)
三、 端子引出技術(shù)
四、 散熱設(shè)計(jì)技術(shù)
第四節(jié) 車規(guī)級(jí)IGBT的技術(shù)挑戰(zhàn)與解決方案
一、 主要技術(shù)挑戰(zhàn)
二、 技術(shù)解決方案