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據(jù)外媒報道，美國威斯康星大學麥迪遜分校（UWMadison）的研究人員們，已經(jīng)同合作伙伴聯(lián)手實現(xiàn)了一種突破性的方法。不僅大達簡化了低成本高性能、無線靈活的金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的制造工藝，還克服了許多使用標準技術制造設備時所遇到的操作上的問題。該技術可用于制造大卷的柔性塑料印刷線路板，并在可穿戴電子設備和彎曲傳感器等領域派上大用場。研究人員稱，這項突破性的納米壓印平板印刷制造工藝，可以在普通的塑料片上打造出整卷非常高性能的晶體管。由于出色的低電流需求和更好的高頻性能，MOSFET已經(jīng)迅速取代了電子電路中常見的雙極晶體管。為了滿足不斷縮小的集成電路需求，MOSFET尺寸也在不斷變小，然而這也引發(fā)了一些問題。NIL已被證明是能夠在大面積上制造納米圖案的蕞經(jīng)濟、高 效的方法。

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