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襯底膜厚儀原理

來源: 發(fā)布時間:2022-04-24

  其可測量薄膜厚度在1nm到1mm之間,測量精度高達1埃,測量穩(wěn)定性高達,測量時間只需一到二秒,并有手動及自動機型可選。可應(yīng)用領(lǐng)域包括:生物醫(yī)學(xué)(Biomedical),液晶顯示(Displays),硬涂層(Hardcoats),金屬膜(Metal),眼鏡涂層(Ophthalmic),聚對二甲笨(Parylene),電路板(PCBs&PWBs),多孔硅(PorousSilicon),光阻材料(ThickResist),半導(dǎo)體材料(Semiconductors),太陽光伏(Solarphotovoltaics),真空鍍層(VacuumCoatings),圈筒檢查(Webinspectionapplications)等。通過Filmetrics膜厚測量儀*新反射式光譜測量技術(shù),*多4層透明薄膜厚度、n、k值及粗糙度能在數(shù)秒鐘測得。其應(yīng)用光泛,例如:半導(dǎo)體工業(yè):光阻、氧化物、氮化物。LCD工業(yè):間距(cellgaps),ito電極、polyimide保護膜。光電鍍膜應(yīng)用:硬化鍍膜、抗反射鍍膜、過濾片。極易操作、快速、準確、機身輕巧及價格便宜為其主要優(yōu)點,F(xiàn)ilmetrics提供以下型號以供選擇:F20:這簡單入門型號有三種不同波長選擇(由220nm紫外線區(qū)至1700nm近紅外線區(qū))為任意攜帶型,可以實現(xiàn)反射、膜厚、n、k值測量。F30:這型號可安裝在任何真空鍍膜機腔體外的窗口??蓪崟r監(jiān)控長晶速度、實時提供膜厚、n、k值。并可切定某一波長或固定測量時間間距。F50-XT測厚范圍:0.2μm-450μm;波長:1440-1690nm。襯底膜厚儀原理

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F10-HC輕而易舉而且經(jīng)濟有效地分析單層和多層硬涂層F10-HC以FilmetricsF20平臺為基礎(chǔ),根據(jù)光譜反射數(shù)據(jù)分析快速提供薄膜測量結(jié)果。F10-HC先進的模擬算法是為測量聚碳酸酯和其它單層和多層硬涂層(例如,底涂/硬涂層)專門設(shè)計的。全世界共有數(shù)百臺F10-HC儀器在工作,幾乎所有主要汽車硬涂層公司都在使用它們。像我們所有的臺式儀器一樣,F(xiàn)10-HC可以連接到您裝有Windows計算機的USB端口并在幾分鐘內(nèi)完成設(shè)定。包含的內(nèi)容:集成光譜儀/光源裝置FILMeasure8軟件FILMeasure讀立軟件(用于遠程數(shù)據(jù)分析)CP-1-1.3探頭BK7參考材料TS-Hardcoat-4um厚度標準備用燈額外的好處:應(yīng)用工程師可立刻提供幫助(周一-周五)網(wǎng)上的“手把手”支持(需要連接互聯(lián)網(wǎng))硬件升級計劃。掩模對準膜厚儀學(xué)校會用嗎F50-UV測厚范圍:5nm-40μm;波長:190-1100nm。

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F30系列監(jiān)控薄膜沉積,蕞強有力的工具F30光譜反射率系統(tǒng)能實時測量沉積率、沉積層厚度、光學(xué)常數(shù)(n和k值)和半導(dǎo)體以及電介質(zhì)層的均勻性。樣品層分子束外延和金屬有機化學(xué)氣相沉積:可以測量平滑和半透明的,或輕度吸收的薄膜。這實際上包括從氮化鎵鋁到鎵銦磷砷的任何半導(dǎo)體材料。各項優(yōu)點:極大地提高生產(chǎn)力低成本—幾個月就能收回成本A精確—測量精度高于±1%快速—幾秒鐘完成測量非侵入式—完全在沉積室以外進行測試易于使用—直觀的Windows?軟件幾分鐘就能準備好的系統(tǒng)型號厚度范圍*波長范圍F30:15nm-70μm380-1050nmF30-EXR:15nm-250μm380-1700nmF30-NIR:100nm-250μm950-1700nmF30-UV:3nm-40μm190-1100nmF30-UVX:3nm-250μm190-1700nmF30-XT:0.2μm-450μm1440-1690nm

非晶態(tài)多晶硅硅元素以非晶和晶體兩種形式存在,在兩級之間是部分結(jié)晶硅。部分結(jié)晶硅又被叫做多晶硅。非晶硅和多晶硅的光學(xué)常數(shù)(n和k)對不同沉積條件是獨特的,必須有精確的厚度測量。測量厚度時還必須考慮粗糙度和硅薄膜結(jié)晶可能的風化。Filmetrics設(shè)備提供的復(fù)雜的測量程序同時測量和輸出每個要求的硅薄膜參數(shù),并且“一鍵”出結(jié)果。測量范例多晶硅被廣范用于以硅為基礎(chǔ)的電子設(shè)備中。這些設(shè)備的效率取決于薄膜的光學(xué)和結(jié)構(gòu)特性。隨著沉積和退火條件的改變,這些特性隨之改變,所以準確地測量這些參數(shù)非常重要。監(jiān)控晶圓硅基底和多晶硅之間,加入二氧化硅層,以增加光學(xué)對比,其薄膜厚度和光學(xué)特性均可測得。F20可以很容易地測量多晶硅薄膜的厚度和光學(xué)常數(shù),以及二氧化硅夾層厚度。Bruggeman光學(xué)模型被用來測量多晶硅薄膜光學(xué)特性。F30 系列是監(jiān)控薄膜沉積,蕞強有力的工具。

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F50和F60的晶圓平臺提供不同尺寸晶圓平臺。F50晶圓平臺-100mm用于2"、3"和4"晶圓的F50平臺組件。F50晶圓平臺-200mm用于4"、5"、6"和200mm晶圓的F50平臺組件。F50晶圓平臺-300mm用于4"、5"、6"、200mm和300mm晶圓的F50平臺組件。F50晶圓平臺-450mmF50夾盤組件實用于4",5",6",200mm,300mm,以及450mm毫米晶片。F50晶圓平臺-訂制預(yù)訂F50的晶圓平臺,通常在四星期內(nèi)交貨。F60晶圓平臺-200mm用于4"、5"、6"和200mm晶圓的F60平臺組件。F60晶圓平臺-300mm用于4"、5"、6"、200mm和300mm晶圓的F60平臺組件。厚度變化 (TTV) ;溝槽深度;過孔尺寸、深度、側(cè)壁角度。北京膜厚儀試用

Filmetrics 提供一系列的和測繪系統(tǒng)來測量 3nm 到 1mm 的單層、 多層、 以及單獨的光刻膠薄膜。襯底膜厚儀原理

F50系列包含的內(nèi)容:集成光譜儀/光源裝置光纖電纜4",6"and200mm參考晶圓TS-SiO2-4-7200厚度標準BK7參考材料整平濾波器(用于高反射基板)真空泵備用燈型號厚度范圍*波長范圍F50:20nm-70μm380-1050nmF50-UV:5nm-40μm190-1100nmF50-NIR:100nm-250μm950-1700nmF50-EXR:20nm-250μm380-1700nmF50-UVX:5nm-250μm190-1700nmF50-XT:0.2μm-450μm1440-1690nmF50-s980:4μm-1mm960-1000nmF50-s1310:7μm-2mm1280-1340nmF50-s1550:10μm-3mm1520-1580nm額外的好處:每臺系統(tǒng)內(nèi)建超過130種材料庫,隨著不同應(yīng)用更超過數(shù)百種應(yīng)用工程師可立刻提供幫助(周一-周五)網(wǎng)上的“手把手”支持(需要連接互聯(lián)網(wǎng))硬件升級計劃襯底膜厚儀原理

岱美儀器技術(shù)服務(wù)(上海)有限公司坐落在金高路2216弄35號6幢306-308室,是一家專業(yè)的磁記錄、半導(dǎo)體、光通訊生產(chǎn)及測試儀器的批發(fā)、進出口、傭金代理(拍賣除外)及其相關(guān)配套服務(wù),國際貿(mào)易、轉(zhuǎn)口貿(mào)易,商務(wù)信息咨詢服務(wù) 公司。目前我公司在職員工以90后為主,是一個有活力有能力有創(chuàng)新精神的團隊。誠實、守信是對企業(yè)的經(jīng)營要求,也是我們做人的基本準則。公司致力于打造***的半導(dǎo)體工藝設(shè)備,半導(dǎo)體測量設(shè)備,光刻機 鍵合機,膜厚測量儀。一直以來公司堅持以客戶為中心、半導(dǎo)體工藝設(shè)備,半導(dǎo)體測量設(shè)備,光刻機 鍵合機,膜厚測量儀市場為導(dǎo)向,重信譽,保質(zhì)量,想客戶之所想,急用戶之所急,全力以赴滿足客戶的一切需要。