厚度標準：所有Filmetrics厚度標準都是得到驗證可追溯的NIST標準。S-Custom-NIST：在客戶提供的樣品上定制可追溯的NIST厚度校準。TS-Focus-SiO2-4-3100SiO2-on-Si：厚度標準，外加調焦區(qū)和單晶硅基準，厚度大約3100A，4"晶圓。TS-Focus-SiO2-4-10000SiO2-on-Si：厚度標準，外加調焦區(qū)和單晶硅基準，厚度大約10000A，4"晶圓。TS-Hardcoat-4μm：丙烯酸塑料硬涂層厚度標準，厚度大約4um，直徑2"。TS-Hardcoat-Trans：背面透明的硬涂層，可用于透射測量。TS-Parylene-4um：丙烯酸塑料上的聚對二甲苯厚度標準，厚度大約4um，直徑2"。TS-Parylene-8um：硅基上的聚對二甲苯厚度標準，厚度大約8um，23mmx23mm。TS-SiO2-4-7200：硅基上的二氧化硅厚度標準，厚度大約7200A，4"晶圓。TS-SiO2-4-7200-NIST：可追溯的NISTSiO2-4-7200厚度標準。TS-SiO2-6-Multi：多厚度硅基上的二氧化硅標準:125埃米，250埃米，500埃米，1000埃米，5000埃米，和10000埃米(+/-10%誤差)，6英寸晶圓。TS-SS3-SiO2-8000：專為SS-3樣品平臺設計之二氧化硅厚度標準片,厚度大約為8000A。以真空鍍膜為設計目標，F(xiàn)10-RT 只要單擊鼠標即可獲得反射和透射光譜。四川三星膜厚儀

電介質成千上萬的電解質薄膜被用于光學，半導體，以及其它數(shù)十個行業(yè), 而Filmetrics的儀器幾乎可以測量所有的薄膜。常見的電介質有:二氧化硅 – 蕞簡單的材料之一, 主要是因為它在大部分光譜上的無吸收性 (k=0)， 而且非常接近化學計量 (就是說，硅：氧非常接近 1:2)。 受熱生長的二氧化硅對光譜反應規(guī)范，通常被用來做厚度和折射率標準。 Filmetrics能測量3nm到1mm的二氧化硅厚度。氮化硅 – 對此薄膜的測量比很多電介質困難，因為硅：氮比率通常不是3：4, 而且折射率一般要與薄膜厚度同時測量。 更麻煩的是，氧常常滲入薄膜，生成一定程度的氮氧化硅，增大測量難度。 但是幸運的是，我們的系統(tǒng)能在幾秒鐘內(nèi) “一鍵” 測量氮化硅薄膜完整特征!襯底膜厚儀輪廓測量應用監(jiān)測控制生產(chǎn)過程中移動薄膜厚度。高達100 Hz的采樣率可以在多個測量位置得到。

非晶態(tài)多晶硅硅元素以非晶和晶體兩種形式存在,在兩級之間是部分結晶硅。部分結晶硅又被叫做多晶硅。非晶硅和多晶硅的光學常數(shù)(n和k)對不同沉積條件是獨特的，必須有精確的厚度測量。測量厚度時還必須考慮粗糙度和硅薄膜結晶可能的風化。Filmetrics設備提供的復雜的測量程序同時測量和輸出每個要求的硅薄膜參數(shù)，并且“一鍵”出結果。測量范例多晶硅被廣范用于以硅為基礎的電子設備中。這些設備的效率取決于薄膜的光學和結構特性。隨著沉積和退火條件的改變，這些特性隨之改變，所以準確地測量這些參數(shù)非常重要。監(jiān)控晶圓硅基底和多晶硅之間，加入二氧化硅層，以增加光學對比，其薄膜厚度和光學特性均可測得。F20可以很容易地測量多晶硅薄膜的厚度和光學常數(shù)，以及二氧化硅夾層厚度。Bruggeman光學模型被用來測量多晶硅薄膜光學特性。

電介質成千上萬的電解質薄膜被用于光學，半導體，以及其它數(shù)十個行業(yè),而Filmetrics的儀器幾乎可以測量所有的薄膜。測量范例氮化硅薄膜作為電介質，鈍化層，或掩膜材料被廣泛應用于半導體產(chǎn)業(yè)。這個案例中，我們用F20-UVX成功地測量了硅基底上氮化硅薄膜的厚度，折射率，和消光系數(shù)。有趣的事，氮化硅薄膜的光學性質與薄膜的分子當量緊密相關。使用Filmetrics專有的氮化硅擴散模型，F(xiàn)20-UVX可以很容易地測量氮化硅薄膜的厚度和光學性質，不管他們是富硅，貧硅，還是分子當量。F30 系列是監(jiān)控薄膜沉積，蕞強有力的工具。

FSM360拉曼光譜系統(tǒng)FSM紫外光和可見光拉曼系統(tǒng),型號360FSM拉曼的應用l局部應力；l局部化學成分l局部損傷紫外光可測試的深度優(yōu)袖的薄膜（SOI或Si-SiGe）或者厚樣的近表面局部應力可見光可測試的深度良好的厚樣以及多層樣品的局部應力系統(tǒng)測試應力的精度小于15mpa(0.03cm-1)全自動的200mm和300mm硅片檢查自動檢驗和聚焦的能力。以上的信息比較有限，如果您有更加詳細的技術問題，請聯(lián)系我們的技術人員為您解答。或者訪問我們的官網(wǎng)了解更多信息。F50測厚范圍：20nm-70μm；波長：380-1050nm。臺積電膜厚儀有哪些品牌

重復性: 0.1 μm (1 sigma)單探頭* ；0.8 μm (1 sigma)雙探頭*。四川三星膜厚儀

接觸探頭測量彎曲和難測的表面CP-1-1.3測量平面或球形樣品，結實耐用的不銹鋼單線圈。CP-1-AR-1.3可以抑制背面反射，對1.5mm厚的基板可抑制96%。鋼制單線圈外加PVC涂層，蕞大可測厚度15um。CP-2-1.3用于探入更小的凹表面，直徑17.5mm。CP-C6-1.3探測直徑小至6mm的圓柱形和球形樣品外側。CP-C12-1.3用于直徑小至12mm圓柱形和球形樣品外側。CP-C26-1.3用于直徑小至26mm圓柱形和球形樣品外側。CP-BendingRod-L350-2彎曲長度300mm，總長度350mm的接觸探頭。用于難以到達的區(qū)域，但不會自動對準表面。CP-ID-0to90Deg-2用于食品和飲料罐頭內(nèi)壁的接觸探頭。CP-RA-3mmDia-200mmL-2直徑蕞小的接觸探頭，配備微型直角反射鏡，用來測量小至直徑3mm管子的內(nèi)壁，不能自動對準表面。CP-RA-10mmHigh-2配備微型直角反射鏡，可以在相隔10mm的兩個平坦表面之間進行測量。四川三星膜厚儀

岱美儀器技術服務（上海）有限公司屬于儀器儀表的高新企業(yè)，技術力量雄厚。是一家其他有限責任公司企業(yè)，隨著市場的發(fā)展和生產(chǎn)的需求，與多家企業(yè)合作研究，在原有產(chǎn)品的基礎上經(jīng)過不斷改進，追求新型，在強化內(nèi)部管理，完善結構調整的同時，良好的質量、合理的價格、完善的服務，在業(yè)界受到寬泛好評。公司業(yè)務涵蓋半導體工藝設備，半導體測量設備，光刻機 鍵合機，膜厚測量儀，價格合理，品質有保證，深受廣大客戶的歡迎。岱美中國順應時代發(fā)展和市場需求，通過**技術，力圖保證高規(guī)格高質量的半導體工藝設備，半導體測量設備，光刻機 鍵合機，膜厚測量儀。