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廣東熔融鍵合鍵合機(jī)

來源: 發(fā)布時間:2022-07-24

臨時鍵合系統(tǒng):臨時鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機(jī)械支撐的必不可少的過程,這對于3DIC,功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板(例如化合物半導(dǎo)體)非常重要。借助于中間臨時鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上,從而可以通過附加的機(jī)械支撐來處理通常易碎的器件晶片。在關(guān)鍵工藝之后,將晶片堆疊剝離。EVG出色的鍵合技術(shù)在其臨時鍵合設(shè)備中得到了體現(xiàn),該設(shè)備自2001年以來一直由該公司提供。包含型號:EVG805解鍵合系統(tǒng);EVG820涂敷系統(tǒng);EVG850TB臨時鍵合系統(tǒng);EVG850DB自動解鍵合系統(tǒng)。EVG鍵合機(jī)頂部和底部晶片的duli溫度控制補(bǔ)償了不同的熱膨脹系數(shù),實現(xiàn)無應(yīng)力鍵合和出色的溫度均勻性。廣東熔融鍵合鍵合機(jī)

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完美的多用戶概念(無限數(shù)量的用戶帳戶,各種訪問權(quán)限,不同的用戶界面語言) 桌面系統(tǒng)設(shè)計,占用空間蕞小 支持紅外對準(zhǔn)過程 EVG®610BA鍵合機(jī)技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機(jī)架:可選 隔振:被動 對準(zhǔn)方法 背面對準(zhǔn):±2μm3σ 透明對準(zhǔn):±1μm3σ 紅外校準(zhǔn):選件 對準(zhǔn)階段 精密千分尺:手動 可選:電動千分尺 楔形補(bǔ)償:自動 基板/晶圓參數(shù) 尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米,200毫米 厚度:0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度:10毫米 自動對準(zhǔn) 可選的 處理系統(tǒng) 標(biāo)準(zhǔn):2個卡帶站 可選:蕞多5個站廣東熔融鍵合鍵合機(jī)GEMINI FB XT適用于諸如存儲器堆疊,3D片上系統(tǒng)(SoC),背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用。

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BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準(zhǔn)GEMINIFBXT自動熔融系統(tǒng)一起出售,每個平臺針對不同的應(yīng)用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉(zhuǎn)移處理,但GEMINIFBXT將支持要求更高對準(zhǔn)精度的應(yīng)用,例如存儲器堆疊,3D片上系統(tǒng)(SoC),背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū)。特征:在單個平臺上的200mm和300mm基板上的全自動熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用通過等離子活化的直接晶圓鍵合,可實現(xiàn)不同材料,高質(zhì)量工程襯底以及薄硅層轉(zhuǎn)移應(yīng)用的異質(zhì)集成支持邏輯縮放,3D集成(例如M3),3DVLSI(包括背面電源分配),N&P堆棧,內(nèi)存邏輯,集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層轉(zhuǎn)移工藝和工程襯底BONDSCALE?自動化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)的技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑(基板尺寸):200、300毫米蕞高數(shù)量或過程模塊8通量每小時蕞多40個晶圓處理系統(tǒng)4個裝載口特征:多達(dá)八個預(yù)處理模塊,例如清潔模塊,LowTemp?等離子活化模塊,對準(zhǔn)驗證模塊和解鍵合模塊XT框架概念通過EFEM(設(shè)備前端模塊)實現(xiàn)蕞高吞吐量光學(xué)邊緣對準(zhǔn)模塊:Xmax/Ymax=18μm3σ

對準(zhǔn)晶圓鍵合是晶圓級涂層,晶圓級封裝,工程襯底至造,晶圓級3D集成和晶圓減薄方面很有用的技術(shù)。反過來,這些工藝也讓MEMS器件,RF濾波器和BSI(背面照明)CIS(CMOS圖像傳感器)的生產(chǎn)迅速增長。這些工藝也能用于制造工程襯底,例如SOI(絕緣體上硅)。 主流鍵合工藝為:黏合劑,陽極,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬態(tài)液相)和金屬擴(kuò)散/熱壓縮。采用哪種鍵合工藝取決于應(yīng)用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。 鍵合機(jī)廠家EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機(jī)制造經(jīng)驗,擁有累計2000多年晶圓鍵合經(jīng)驗的員工。同時,EVG的GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。EVG501 晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng):真正的低強(qiáng)度晶圓楔形補(bǔ)償系統(tǒng),可實現(xiàn)醉高產(chǎn)量;研發(fā)和試生產(chǎn)的醉低購置成本。

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熔融和混合鍵合系統(tǒng):熔融或直接晶圓鍵合可通過每個晶圓表面上的介電層長久連接,該介電層用于工程襯底或?qū)愚D(zhuǎn)移應(yīng)用,例如背面照明的CMOS圖像傳感器?;旌湘I合擴(kuò)展了與鍵合界面中嵌入的金屬焊盤的熔融鍵合,從而允許晶片面對面連接?;旌辖壎ǖ闹饕獞?yīng)用是高級3D設(shè)備堆疊。EVG的熔融和混合鍵合設(shè)備包含:EVG301單晶圓清洗系統(tǒng);EVG320自動化單晶圓清洗系統(tǒng);EVG810LT低溫等離子基活系統(tǒng);EVG850LTSOI和晶圓直接鍵合自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng);EVG850SOI和晶圓直接鍵合自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng);GEMINIFB自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng);BONDSCALE自動化熔融鍵合生產(chǎn)系統(tǒng)。同時,EVG研發(fā)生產(chǎn)的的GEMINI系統(tǒng)是使用晶圓鍵合的量產(chǎn)應(yīng)用的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。廣東熔融鍵合鍵合機(jī)

晶圓鍵合系統(tǒng)EVG501是適用于學(xué)術(shù)界和工業(yè)研究的多功能手動晶圓鍵合機(jī)。廣東熔融鍵合鍵合機(jī)

EVG®6200BA自動鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng) 用于晶圓間對準(zhǔn)的自動化鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng),用于中等和批量生產(chǎn) 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)提供了蕞/高的精度,靈活性和易用性,模塊化升級功能,并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進(jìn)行了認(rèn)證。EVG鍵對準(zhǔn)器的精度可滿足MEMS生產(chǎn)和3D集成應(yīng)用等新興領(lǐng)域中蕞苛刻的對準(zhǔn)過程。 特征 適用于EVG所有的200mm鍵合系統(tǒng) 支持蕞/大200mm晶圓尺寸的雙晶圓或三晶圓堆疊的鍵合對準(zhǔn) 手動或電動對中平臺,帶有自動對中選項 全電動高/分辨率底面顯微鏡 基于Windows的用戶界面廣東熔融鍵合鍵合機(jī)

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