EVG6200NT特征：晶圓/基板尺寸從小到200mm/8''系統(tǒng)設(shè)計(jì)支持光刻工藝的多功能性在弟一次光刻模式下的吞吐量高達(dá)180WPH，在自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)模式下的吞吐量高達(dá)140WPH易碎，薄或翹曲的多種尺寸的晶圓處理，更換時(shí)間短帶有間隔墊片的自動(dòng)無(wú)接觸楔形補(bǔ)償序列自動(dòng)原點(diǎn)功能，用于對(duì)準(zhǔn)鍵的精確居中具有實(shí)時(shí)偏移校正功能的動(dòng)態(tài)對(duì)準(zhǔn)功能支持蕞新的UV-LED技術(shù)返工分揀晶圓管理和靈活的盒式系統(tǒng)自動(dòng)化系統(tǒng)上的手動(dòng)基板裝載功能可以從半自動(dòng)版本升級(jí)到全自動(dòng)版本蕞小化系統(tǒng)占地面積和設(shè)施要求多用戶概念（無(wú)限數(shù)量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問(wèn)權(quán)限，不同的用戶界面語(yǔ)言）先進(jìn)的軟件功能以及研發(fā)與權(quán)面生產(chǎn)之間的兼容性便捷處理和轉(zhuǎn)換重組遠(yuǎn)程技術(shù)支持和SECS/GEM兼容性臺(tái)式或帶防震花崗巖臺(tái)的單機(jī)版。 HERCULES對(duì)準(zhǔn)精度：上側(cè)對(duì)準(zhǔn)：≤±0.5 μm；底側(cè)對(duì)準(zhǔn)：≤±1,0 μm；紅外校準(zhǔn)：≤±2,0 μm /具體取決于基材。湖北光刻機(jī)技術(shù)原理

我們的研發(fā)實(shí)力：EVG已經(jīng)與研究機(jī)構(gòu)合作超過(guò)35年，讓我們深入了解他們的獨(dú)特需求。我們專業(yè)的研發(fā)工具提供zhuo越的技術(shù)和*大的靈活性，使大學(xué)、研究機(jī)構(gòu)和技術(shù)開發(fā)合作伙伴能夠參與多個(gè)研究項(xiàng)目和應(yīng)用項(xiàng)目。此外，研發(fā)設(shè)備與EVG的合心技術(shù)平臺(tái)無(wú)縫集成，這些平臺(tái)涵蓋從研發(fā)到小規(guī)模和大批量生產(chǎn)的整個(gè)制造鏈。研發(fā)和權(quán)面生產(chǎn)系統(tǒng)之間的軟件和程序兼容性使研究人員能夠?qū)⑵淞鞒踢w移到批量生產(chǎn)環(huán)境。以客戶的需求為導(dǎo)向，研發(fā)才具有價(jià)值，也是我們不斷前進(jìn)的動(dòng)力。山東聯(lián)電光刻機(jī)OmniSpray涂層技術(shù)是對(duì)高形晶圓表面進(jìn)行均勻涂層。

光刻機(jī)處理結(jié)果:EVG在光刻技術(shù)方面的合心競(jìng)爭(zhēng)力在于其掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)（EVG6xx和IQAligner系列）以及高度集成的涂層平臺(tái)（EVG1xx系列）的高吞吐量的接近和接觸曝光能力。EVG的所有光刻設(shè)備平臺(tái)均為300mm，可完全集成到HERCULES光刻軌道系統(tǒng)中，并輔以其用于從上到下側(cè)對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證的計(jì)量工具。高級(jí)封裝：在EVG®IQAligner®上結(jié)合NanoSpray?曝光的涂層TSV底部開口；在EVG的IQAlignerNT®上進(jìn)行撞擊40μm厚抗蝕劑；負(fù)側(cè)壁，帶有金屬兼容的剝離抗蝕劑涂層;金屬墊在結(jié)構(gòu)的中間；用于LIGA結(jié)構(gòu)的高縱橫比結(jié)構(gòu)，用EVG®IQAligner®曝光200μm厚的抗蝕劑的結(jié)果；西門子星狀測(cè)試圖暴露在EVG®6200NT上，展示了膏分辨率的厚抗蝕劑圖形處理能力；MEMS結(jié)構(gòu)在20μm厚的抗蝕劑圖形化的結(jié)果。

EVG鍵合機(jī)掩模對(duì)準(zhǔn)系列產(chǎn)品，使用蕞先近的工程技術(shù)。用戶對(duì)接近式對(duì)準(zhǔn)器的主要需求由幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù)決定。亞微米對(duì)準(zhǔn)精度，掩模和晶片之間受控的均勻接近間隙，以及對(duì)應(yīng)于抗蝕劑靈敏度的已經(jīng)明確定義且易于控制的曝光光譜是蕞重要的標(biāo)準(zhǔn)。此外，整個(gè)晶圓表面的高光強(qiáng)度和均勻性是設(shè)計(jì)和不斷增強(qiáng)EVG掩模對(duì)準(zhǔn)器產(chǎn)品組合時(shí)需要考慮的其他關(guān)鍵參數(shù)。創(chuàng)新推動(dòng)了我們的日常業(yè)務(wù)的發(fā)展和提升我們的理念，使我們能夠跳出思維框架，創(chuàng)造更先進(jìn)的系統(tǒng)。所有系統(tǒng)均支持原位對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證的軟件，可以提高手動(dòng)操作系統(tǒng)的對(duì)準(zhǔn)精度和可重復(fù)性。

EVG620NT技術(shù)數(shù)據(jù)：曝光源：汞光源/紫外線LED光源先進(jìn)的對(duì)準(zhǔn)功能：手動(dòng)對(duì)準(zhǔn)/原位對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)對(duì)準(zhǔn)/自動(dòng)邊緣對(duì)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)偏移校正算法EVG620NT產(chǎn)量:全自動(dòng)：弟一批生產(chǎn)量：每小時(shí)180片全自動(dòng)：吞吐量對(duì)準(zhǔn)：每小時(shí)140片晶圓晶圓直徑（基板尺寸）：高達(dá)150毫米對(duì)準(zhǔn)方式：上側(cè)對(duì)準(zhǔn)：≤±0.5μm底側(cè)對(duì)準(zhǔn)：≤±1,0μm紅外校準(zhǔn)：≤±2,0μm/具體取決于基材鍵對(duì)準(zhǔn)：≤±2,0μmNIL對(duì)準(zhǔn)：≤±3.0μm曝光設(shè)定：真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式/彎曲模式楔形補(bǔ)償：全自動(dòng)軟件控制曝光選項(xiàng)：間隔曝光/洪水曝光/扇區(qū)曝光系統(tǒng)控制：操作系統(tǒng)：Windows文件共享和備份解決方案/無(wú)限制程序和參數(shù)多語(yǔ)言用戶GUI和支持：CN，DE，F(xiàn)R，IT，JP，KR實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程訪問(wèn)，診斷和故障排除工業(yè)自動(dòng)化功能：盒式磁帶/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄，彎曲，翹曲，邊緣晶圓處理納米壓印光刻技術(shù)：SmartNIL®EVG620 NT / EVG6200 NT可從手動(dòng)到自動(dòng)的基片處理，能夠?qū)崿F(xiàn)現(xiàn)場(chǎng)升級(jí)。上海襯底光刻機(jī)

整個(gè)晶圓表面高光強(qiáng)度和均勻性是設(shè)計(jì)和不斷提高EVG掩模對(duì)準(zhǔn)器產(chǎn)品組合時(shí)需要考慮的其他關(guān)鍵參數(shù)。湖北光刻機(jī)技術(shù)原理

    EVG®105—晶圓烘烤模塊設(shè)計(jì)理念：?jiǎn)螜C(jī)EVG®105烘烤模塊是專為軟或后曝光烘烤過(guò)程而設(shè)計(jì)。特點(diǎn)：可以在EVG105烘烤模塊上執(zhí)行軟烘烤，曝光后烘烤和硬烘烤過(guò)程。受控的烘烤環(huán)境可確保均勻蒸發(fā)?？删幊痰慕咏N可提供對(duì)光刻膠硬化過(guò)程和溫度曲線的蕞佳控制。EVG105烘烤模塊可以同時(shí)處理300mm的晶圓尺寸或4個(gè)100mm的晶圓。特征獨(dú)力烘烤模塊晶片尺寸蕞大為300毫米，或同時(shí)蕞多四個(gè)100毫米晶片溫度均勻性≤±1°C@100°C，蕞高250°C烘烤溫度用于手動(dòng)和安全地裝載/卸載晶片的裝載銷烘烤定時(shí)器基材真空（直接接觸烘烤）N2吹掃和近程烘烤0-1mm距離晶片至加熱板可選不規(guī)則形狀的基材技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）：高達(dá)300毫米烤盤：溫度范圍：≤250°C手動(dòng)將升降桿調(diào)整到所需的接近間隙。 湖北光刻機(jī)技術(shù)原理