（光刻膠）polyerlayers（高分子聚合物層）polymide（聚酰亞胺）polysilicon（多晶硅）amorphoussilicon（非晶硅）基底實(shí)例：對(duì)于厚度測(cè)量，大多數(shù)情況下所要求的只是一塊光滑、反射的基底。對(duì)于光學(xué)常數(shù)測(cè)量，需要一塊平整的鏡面反射基底；如果基底是透明的，基底背面需要進(jìn)行處理使之不能反射。包括：silicon（硅）glass（玻璃）aluminum（鋁）gaas（砷化鎵）steel（鋼）polycarbonate（聚碳酸脂）polymerfilms（高分子聚合物膜）應(yīng)用半導(dǎo)體制造液晶顯示器光學(xué)鍍膜photoresist光刻膠oxides氧化物nitrides氮化物cellgaps液晶間隙polyimide聚酰亞胺ito納米銦錫金屬氧化物hardnesscoatings硬鍍膜anti-reflectioncoatings增透鍍膜filters濾光f20使用**仿真活動(dòng)來(lái)分析光譜反射率數(shù)據(jù)。標(biāo)準(zhǔn)配置和規(guī)格F20-UVF20F20-NIRF20-EXR只測(cè)試厚度1nm~40μm15nm~100μm100nm~250μm15nm~250μm測(cè)試厚度和n&k值50nmandup100nmandup300nmandup100nmandup波長(zhǎng)范圍200-1100nm380-1100nm950-1700nm380-1700nm準(zhǔn)確度大于％或2nm精度1A2A1A穩(wěn)定性光斑大小20μm至可選樣品大小1mm至300mm及更大探測(cè)器類型1250-元素硅陣列512-元素砷化銦鎵1000-元素硅&512-砷化銦鎵陣列光源鎢鹵素?zé)?。F40-UV范圍：4nm-40μm，波長(zhǎng)：190-1100nm。晶圓片膜厚儀質(zhì)量怎么樣

生物醫(yī)療設(shè)備涂層應(yīng)用生物醫(yī)療器械應(yīng)用中的涂層生物醫(yī)療器械的制造和準(zhǔn)備方面會(huì)用到許多類型的涂層。有些涂層是為了保護(hù)設(shè)備免受腐蝕，而其他的則是為了預(yù)防組織損傷、敢染或者是排異反應(yīng)。藥物傳輸涂層也變得日益普通。其它生物醫(yī)學(xué)器械，如血管成型球囊，具有讀立的隔膜，必須具有均勻和固定的厚度才能正常工作。這些涂層厚度的測(cè)量方法各不相同，但有一件事是確定的。使用普通方法(例如，在涂層前后稱某一部分的重量)，無(wú)法檢測(cè)到會(huì)導(dǎo)致器械故障的涂層不完全覆蓋或涂層的不均勻性等問(wèn)題。半導(dǎo)體設(shè)備膜厚儀原理當(dāng)測(cè)量斑點(diǎn)只有1微米（μm）時(shí)，需要用您自己的顯微鏡或者用我們提供的整個(gè)系統(tǒng)。

集成電路故障分析故障分析(FA)技術(shù)用來(lái)尋找并確定集成電路內(nèi)的故障原因。故障分析中需要進(jìn)行薄膜厚度測(cè)量的兩種主要類型是正面去層(用于傳統(tǒng)的面朝上的電路封裝)和背面薄化(用于較新的覆晶技術(shù)正面朝下的電路封裝)。正面去層正面去層的工藝需要了解電介質(zhì)薄化后剩余電介質(zhì)的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在電路系統(tǒng)成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每個(gè)薄化步驟后剩余的硅厚度是相當(dāng)關(guān)鍵的。FilmetricsF3-sX是為了測(cè)量在不同的背面薄化過(guò)程的硅層厚度而專門設(shè)計(jì)的系統(tǒng)。厚度從5微米到1000微米能夠很容易的測(cè)量，另外可選配模組來(lái)延伸蕞小測(cè)量厚度至0.1微米，同時(shí)具有單點(diǎn)和多點(diǎn)測(cè)繪的版本可供選擇。測(cè)量范例現(xiàn)在我們使用我們的F3-s1550系統(tǒng)測(cè)量在不同的背面薄化過(guò)程的硅層厚度.具備特殊光學(xué)設(shè)計(jì)之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測(cè)量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅層厚度

F60系列包含的內(nèi)容：集成平臺(tái)/光譜儀/光源裝置（不含平臺(tái)）4",6"and200mm參考晶圓TS-SiO2-4-7200厚度標(biāo)準(zhǔn)真空泵備用燈型號(hào)厚度范圍*波長(zhǎng)范圍F60-t:20nm-70μm380-1050nmF60-t-UV:5nm-40μm190-1100nmF60-t-NIR:100nm-250μm950-1700nmF60-t-EXR:20nm-250μm380-1700nmF60-t-UVX:5nm-250μm190-1700nmF60-t-XT0:2μm-450μm1440-1690nmF60-t-s980:4μm-1mm960-1000nmF60-t-s1310:7μm-2mm1280-1340nmF60-t-s1550:10μm-3mm1520-1580nm額外的好處：每臺(tái)系統(tǒng)內(nèi)建超過(guò)130種材料庫(kù),隨著不同應(yīng)用更超過(guò)數(shù)百種應(yīng)用工程師可立刻提供幫助（周一-周五）網(wǎng)上的“手把手”支持(需要連接互聯(lián)網(wǎng))硬件升級(jí)計(jì)劃監(jiān)測(cè)控制生產(chǎn)過(guò)程中移動(dòng)薄膜厚度。高達(dá)100 Hz的采樣率可以在多個(gè)測(cè)量位置得到。

FSM8018VITE測(cè)試系列設(shè)備VITE技術(shù)介紹：VITE是傅里葉頻域技術(shù)，利用近紅外光源的相位剪切技術(shù)（Phasesheartechnology）設(shè)備介紹適用于所有可讓近紅外線通過(guò)的材料：硅、藍(lán)寶石、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………應(yīng)用:襯底厚度(不受圖案硅片、有膠帶、凹凸或者粘合硅片影響)平整度厚度變化(TTV)溝槽深度過(guò)孔尺寸、深度、側(cè)壁角度粗糙度薄膜厚度不同半導(dǎo)體材料的厚度環(huán)氧樹(shù)脂厚度襯底翹曲度晶圓凸點(diǎn)高度(bumpheight)MEMS薄膜測(cè)量TSV深度、側(cè)壁角度...F20測(cè)厚范圍：15nm - 70μm；波長(zhǎng)：380-1050nm。晶圓片膜厚儀質(zhì)量怎么樣

F30-UV測(cè)厚范圍：3nm-40μm；波長(zhǎng)：190-1100nm。晶圓片膜厚儀質(zhì)量怎么樣

樣品視頻包括硬件和照相機(jī)的F20系統(tǒng)視頻。視頻實(shí)時(shí)顯示精確測(cè)量點(diǎn)。 不包括SS-3平臺(tái)。SampleCam-sXsX探頭攝像機(jī)包含改裝的sX探頭光學(xué)配件，但不包含平臺(tái)。StageBase-XY8-Manual-40mm8“×8” 樣品平臺(tái)，具有SS-3鏡頭與38mm的精密XY平移聚焦平臺(tái)。能夠升級(jí)成電動(dòng)測(cè)繪與自動(dòng)對(duì)焦。StageBase-XY10-Auto-100mm10“×10” 全電動(dòng)樣品平臺(tái)。可以進(jìn)行100mm高精度XY平移，包括自動(dòng)焦距調(diào)節(jié)。SS-Microscope- UVX-1顯微鏡（15倍反射式物鏡）及X-Y平臺(tái)。 包含UV光源與照明光纖。SS-Microscope- EXR-1顯微鏡包含X- Y平臺(tái)及照明光纖. 需另選購(gòu)物鏡. 通常使用顯微鏡內(nèi)建照明。SS-Trans-Curved用于平坦或彎曲表面的透射平臺(tái)，包括光纖，和 F10-AR 一起使用。 波長(zhǎng)范圍 250nm -2500nm。T-1SS-3 平臺(tái)的透射測(cè)量可選件。包括光纖、平臺(tái)轉(zhuǎn)接器和平臺(tái)支架。 用于平坦的樣品。WS-300用于小于 300mm 樣品的平移旋轉(zhuǎn)平臺(tái)。晶圓片膜厚儀質(zhì)量怎么樣