陽極鍵合是晶片鍵合的一種方法,廣FAN用于微電子工業(yè)中,利用熱量和靜電場的結合將兩個表面密封在一起。這種鍵合技術ZUI常用于將玻璃層密封到硅晶圓上。也稱為場輔助鍵合或靜電密封,它類似于直接鍵合,與大多數其他鍵合技術不同,它通常不需要中間層,但不同之處在于,它依賴于當離子運動時表面之間的靜電吸引對組件施加高電壓。可以使用陽極鍵合將金屬鍵合到玻璃上,并使用玻璃的薄中間層將硅鍵合到硅上。但是,它特別適用于硅玻璃粘接。玻璃需要具有高含量的堿金屬(例如鈉),以提供可移動的正離子。通常使用一種特定類型的玻璃,其中包含約3.5%的氧化鈉(Na2O)。EVG鍵合機晶圓加工服務包含如下: ComBond? - 硅和化合物半導體的導電鍵合、等離子活化直接鍵合。重慶優(yōu)惠價格鍵合機
在鍵合過程中,將兩個組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸。然后它們被夾在兩個電極之間,加熱至752-932℃(華氏400-500攝氏度),和幾百到千伏的電勢被施加,使得負電極,這就是所謂的陰極,是在接觸在玻璃中,正極(陽極)與硅接觸。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動并向陰極移動,在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷,然后通過靜電吸引將其保持在適當的位置。帶負電的氧氣來自玻璃的離子向陽極遷移,并在到達邊界時與硅反應,形成二氧化硅(SiO 2)。產生的化學鍵將兩個組件密封在一起。中國臺灣EVG301鍵合機EVG鍵合機使用直接(實時)或間接對準方法,能夠支持大量不同的對準技術。
EVG®301單晶圓清洗系統(tǒng),屬于研發(fā)型單晶圓清洗系統(tǒng)。 技術數據 EVG301半自動化單晶片清洗系統(tǒng)采用一個清洗站,該清洗站使用標準的去離子水沖洗以及超音速,毛刷和稀釋化學藥品作為附加清洗選項來清洗晶片。EVG301具有手動加載和預對準功能,是一種多功能的研發(fā)型系統(tǒng),適用于靈活的清潔程序和300mm的能力。EVG301系統(tǒng)可與EVG的晶圓對準和鍵合系統(tǒng)結合使用,以消除晶圓鍵合之前的任何顆粒。旋轉夾頭可用于不同的晶圓和基板尺寸,從而可以輕松設置不同的工藝。
Abouie M 等人[4]針對金—硅共晶鍵合過程中凹坑對鍵合質量的影響展開研究,提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成,但非晶硅的實際應用限制較大??蹬d華等人[5]加工了簡單的多層硅—硅結構,但不涉及對準問題,實際應用的價值較小。陳穎慧等人[6]以金— 硅共晶鍵合技術對 MEMS 器件進行了圓片級封裝[6],其鍵合強度可以達到 36 MPa,但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想,不適用一些敏感器件的封裝處理。袁星等人[7]對帶有微結構的硅—硅直接鍵合進行了研究,但其硅片不涉及光刻、深刻蝕、清洗等對硅片表面質量影響較大的工藝,故其鍵合工藝限制較大。EVG鍵合機可配置為黏合劑,陽極,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬態(tài)液相)和金屬擴散/熱壓縮工藝。
BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準GEMINIFBXT自動熔融系統(tǒng)一起出售,每個平臺針對不同的應用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉移處理,但GEMINIFBXT將支持要求更高對準精度的應用,例如存儲器堆疊,3D片上系統(tǒng)(SoC),背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū)。特征:在單個平臺上的200mm和300mm基板上的全自動熔融/分子晶圓鍵合應用通過等離子活化的直接晶圓鍵合,可實現(xiàn)不同材料,高質量工程襯底以及薄硅層轉移應用的異質集成支持邏輯縮放,3D集成(例如M3),3DVLSI(包括背面電源分配),N&P堆棧,內存邏輯,集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層轉移工藝和工程襯底BONDSCALE?自動化生產熔融系統(tǒng)的技術數據晶圓直徑(基板尺寸):200、300毫米ZUI高數量或過程模塊8通量每小時ZUI多40個晶圓處理系統(tǒng)4個裝載口特征:多達八個預處理模塊,例如清潔模塊,LowTemp?等離子活化模塊,對準驗證模塊和解鍵合模塊XT框架概念通過EFEM(設備前端模塊)實現(xiàn)ZUI高吞吐量光學邊緣對準模塊:Xmax/Ymax=18μm3σEVG鍵合機支持全系列晶圓鍵合工藝,這對于當今和未來的器件制造是至關重要。實際價格鍵合機推薦廠家
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