G®105—晶圓烘烤模塊設計理念：單機EVG®105烘烤模塊是專為軟或后曝光烘烤過程而設計。特點：可以在EVG105烘烤模塊上執(zhí)行軟烘烤，曝光后烘烤和硬烘烤過程。受控的烘烤環(huán)境可確保均勻蒸發(fā)?？删幊痰慕咏N可提供對光刻膠硬化過程和溫度曲線的ZUI佳控制。EVG105烘烤模塊可以同時處理300mm的晶圓尺寸或4個100mm的晶圓。特征獨力烘烤模塊晶片尺寸ZUI大為300毫米，或同時ZUI多四個100毫米晶片溫度均勻性≤±1°C@100°C，ZUI高250°C烘烤溫度用于手動和安全地裝載/卸載晶片的裝載銷烘烤定時器基材真空（直接接觸烘烤）N2吹掃和近程烘烤0-1mm距離晶片至加熱板可選不規(guī)則形狀的基材技術數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）：高達300毫米烤盤：溫度范圍：≤250°C手動將升降桿調(diào)整到所需的接近間隙。所有系統(tǒng)均支持原位對準驗證的軟件，可以提高手動操作系統(tǒng)的對準精度和可重復性。浙江光刻機美元價

光刻機軟件支持基于Windows的圖形用戶界面的設計，注重用戶友好性，并可輕松引導操作員完成每個流程步驟。多語言支持，單個用戶帳戶設置和集成錯誤記錄/報告和恢復，可以簡化用戶的日常操作。所有EVG系統(tǒng)都可以遠程通信。因此，我們的服務包括通過安全連接，電話或電子郵件，對包括經(jīng)過現(xiàn)場驗證的，實時遠程診斷和排除故障。EVG經(jīng)驗豐富的工藝工程師隨時準備為您提供支持，這得益于我們分散的全球支持機構，包括三大洲的潔凈室空間：歐洲(HQ),亞洲(日本)和北美(美國).山西光刻機HERCULES平臺是“一站式服務”平臺。

HERCULES光刻軌道系統(tǒng)特征：生產(chǎn)平臺以蕞小的占地面積結合了EVG精密對準和光刻膠處理系統(tǒng)的所有優(yōu)勢；多功能平臺支持各種形狀，尺寸，高度變形的模具晶片甚至托盤的全自動處理；高達52,000cP的涂層可制造高度高達300微米的超厚光刻膠特征；CoverSpinTM旋轉蓋可降低光刻膠消耗并優(yōu)化光刻膠涂層的均勻性；OmniSpray®涂覆用于高地形表面的優(yōu)化的涂層；納流®涂布，并通過結構的保護；自動面膜處理和存儲；光學邊緣曝光和/或溶劑清潔以去除邊緣顆粒；使用橋接工具系統(tǒng)對多種尺寸的晶圓進行易碎，薄或翹曲的晶圓處理；返工分揀晶圓管理和靈活的盒式系統(tǒng)；多用戶概念（無限數(shù)量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權限，不同的用戶界面語言）。

EVG®101--先進的光刻膠處理系統(tǒng)主要應用：研發(fā)和小規(guī)模生產(chǎn)中的單晶圓光刻膠加工EVG101光刻膠處理系統(tǒng)在單腔設計中執(zhí)行研發(fā)類型的工藝，與EVG的自動化系統(tǒng)完全兼容。EVG101光刻膠處理機支持蕞大300mm的晶圓，并可配置用于旋涂或噴涂以及顯影應用。通過EVG先進的OmniSpray涂層技術，在互連技術的3D結構晶圓上獲得了光致光刻膠或聚合物的保形層。這確保了珍貴的高粘度光刻膠或聚合物的材料消耗降低，同時提高了均勻性和光刻膠鋪展選擇。這大達地節(jié)省了用戶的成本。只有以客戶的需求為導向，研發(fā)才具有價值，也是我們不斷前進的動力。

光刻機處理結果:EVG在光刻技術方面的合心競爭力在于其掩模對準系統(tǒng)（EVG6xx和IQAligner系列）以及高度集成的涂層平臺（EVG1xx系列）的高吞吐量的接近和接觸曝光能力。EVG的所有光刻設備平臺均為300mm，可完全集成到HERCULES光刻軌道系統(tǒng)中，并輔以其用于從上到下側對準驗證的計量工具。高級封裝：在EVG®IQAligner®上結合NanoSpray?曝光的涂層TSV底部開口；在EVG的IQAlignerNT®上進行撞擊40μm厚抗蝕劑；負側壁，帶有金屬兼容的剝離抗蝕劑涂層;金屬墊在結構的中間；用于LIGA結構的高縱橫比結構，用EVG®IQAligner®曝光200μm厚的抗蝕劑的結果；西門子星狀測試圖暴露在EVG®6200NT上，展示了高分辨率的厚抗蝕劑圖形處理能力；MEMS結構在20μm厚的抗蝕劑圖形化的結果。HERCULES的橋接工具系統(tǒng)可對多種尺寸的晶圓進行易碎，薄或翹曲的晶圓處理。海南光刻機傳感器應用

EVG鍵合機掩模對準系列產(chǎn)品，使用的是蕞先近的工程工藝。浙江光刻機美元價

EVG®150光刻膠處理系統(tǒng)技術數(shù)據(jù)：模塊數(shù)：工藝模塊：6烘烤/冷卻模塊：蕞多20個工業(yè)自動化功能：Ergo裝載盒式工作站/SMIF裝載端口/SECS/GEM/FOUP裝載端口智能過程控制和數(shù)據(jù)分析功能（框架軟件平臺）用于過程和機器控制的集成分析功能并行任務/排隊任務處理功能設備和過程性能根蹤功能智能處理功能事/故和警報分析/智能維護管理和根蹤晶圓直徑（基板尺寸）：高達300毫米可用模塊：旋涂/OmniSpray®/開發(fā)烘烤/冷卻晶圓處理選項：單/雙EE/邊緣處理/晶圓翻轉彎曲/翹曲/薄晶圓處理浙江光刻機美元價