久久青青草视频,欧美精品v,曰韩在线,不卡一区在线观看,中文字幕亚洲区,奇米影视一区二区三区,亚洲一区二区视频

北京光刻機研發(fā)可以用嗎

來源: 發(fā)布時間:2024-05-14

EVG®620NT掩模對準系統(tǒng)(半自動/自動)特色:EVG®620NT提供國家的本領域掩模對準技術在ZUI小化的占位面積,支持高達150毫米晶圓尺寸。技術數(shù)據(jù):EVG620NT以其多功能性和可靠性而著稱,在ZUI小的占位面積上結合了先進的對準功能和ZUI優(yōu)化的總體擁有成本,提供了ZUI先進的掩模對準技術。它是光學雙面光刻的理想工具,可提供半自動或自動配置以及可選的全覆蓋Gen2解決方案,以滿足大批量生產(chǎn)要求和制造標準。擁有操作員友好型軟件,ZUI短的掩模和工具更換時間以及高/效的全球服務和支持,使它成為任何制造環(huán)境的理想解決方案。EVG已經(jīng)與研究機構合作超過35年,能夠深入了解他們的獨特需求。北京光刻機研發(fā)可以用嗎

北京光刻機研發(fā)可以用嗎,光刻機

EVG®150特征:晶圓尺寸可達300毫米多達6個過程模塊可自定義的數(shù)量-多達20個烘烤/冷卻/汽化堆多達四個FOUP裝載端口或盒式磁帶裝載可用的模塊包括旋轉涂層,噴涂,NanoCoat?,顯影,烘烤/冷卻/蒸氣/上等EV集團專有的OmniSpray®超聲波霧化技術提供了無與倫BI的處理結果,當涉及到極端地形的保形涂層可選的NanoSpray?模塊實現(xiàn)了300微米深圖案的保形涂層,長寬比ZUI高為1:10,垂直側壁廣范的支持材料烘烤模塊溫度高達250°CMegasonic技術用于清潔,聲波化學處理和顯影,可提高處理效率并將處理時間從數(shù)小時縮短至數(shù)分鐘寧夏光刻機有哪些應用可以使用用于壓印光刻的工具,例如紫外光納米壓印光刻,熱壓印或微接觸印刷。

北京光刻機研發(fā)可以用嗎,光刻機

EVG120特征:晶圓尺寸可達200毫米超緊湊設計,占用空間蕞小蕞多2個涂布/顯影室和10個加熱/冷卻板用于旋涂和噴涂,顯影,烘烤和冷卻的多功能模塊的多功能組合為許多應用領域提供了巨大的機會化學柜,用于化學品的外部存儲EV集團專有的OmniSpray®超聲波霧化技術提供了沒人可比的處理結果,當涉及到極端地形的保形涂層CoverSpinTM旋轉蓋可降低光刻膠消耗并優(yōu)化光刻膠涂層的均勻性Megasonic技術用于清潔,聲波化學處理和顯影,可提高處理效率并將處理時間從數(shù)小時縮短至數(shù)分鐘

EVG的光刻機技術:EVG在光刻技術上的關鍵能力在于其掩模對準器的高產(chǎn)能,接觸和接近曝光功能以及其光刻膠處理系統(tǒng)的內(nèi)部處理的相關知識。EVG的所有光刻設備平臺均支持300毫米的晶圓,可以完全集成到其HERCULES光刻軌道系統(tǒng)中,并配有用于從上到下的側面對準驗證的度量工具。EVG不斷展望未來的市場趨勢,因此提供了針對特定應用的解決方案,尤其是在光學3D傳感和光子學市場中,其無人能比的EVG的工藝和材料專業(yè)知識-源自對各種光刻膠材料進行的廣范優(yōu)化研究。了解客戶需求并提供有效的全球支持是EVG光刻解決方案成功的重要因素。IQ Aligner光刻機支持的晶圓尺寸高達200 mm / 300 mm。

北京光刻機研發(fā)可以用嗎,光刻機

EVG®610曝光源:汞光源/紫外線LED光源;楔形補償全自動軟件控制;晶圓直徑(基板尺寸)高達100/150/200毫米;曝光設定:真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式;曝光選項:間隔曝光/洪水曝光/扇區(qū)曝光;先進的對準功能:手動對準/原位對準驗證手動交叉校正大間隙對準;EVG®610光刻機系統(tǒng)控制:操作系統(tǒng):Windows文件共享和備份解決方案/無限制程序和參數(shù)多語言用戶GUI和支持:CN,DE,F(xiàn)R,IT,JP,KR實時遠程訪問,診斷和故障排除使用的納米壓印光刻技術為“無紫外線”。EVG在1985年發(fā)明了世界上弟一個底部對準系統(tǒng),可以在頂部和雙面光刻。山東光刻機技術支持

EVG?620NT/EVG?6200NT掩模對準系統(tǒng)(自動化和半自動化)支持的晶圓尺寸:150mm/200mm。北京光刻機研發(fā)可以用嗎

G®105—晶圓烘烤模塊設計理念:單機EVG®105烘烤模塊是專為軟或后曝光烘烤過程而設計。特點:可以在EVG105烘烤模塊上執(zhí)行軟烘烤,曝光后烘烤和硬烘烤過程。受控的烘烤環(huán)境可確保均勻蒸發(fā)??删幊痰慕咏N可提供對光刻膠硬化過程和溫度曲線的ZUI佳控制。EVG105烘烤模塊可以同時處理300mm的晶圓尺寸或4個100mm的晶圓。特征獨力烘烤模塊晶片尺寸ZUI大為300毫米,或同時ZUI多四個100毫米晶片溫度均勻性≤±1°C@100°C,ZUI高250°C烘烤溫度用于手動和安全地裝載/卸載晶片的裝載銷烘烤定時器基材真空(直接接觸烘烤)N2吹掃和近程烘烤0-1mm距離晶片至加熱板可選不規(guī)則形狀的基材技術數(shù)據(jù)晶圓直徑(基板尺寸):高達300毫米烤盤:溫度范圍:≤250°C手動將升降桿調(diào)整到所需的接近間隙。北京光刻機研發(fā)可以用嗎