具體說(shuō)來(lái)就是，MOSFET能夠有效地產(chǎn)生電流流動(dòng)，因?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體制造技術(shù)旺旺不能精確控制住摻雜的水平（硅中摻雜以帶來(lái)或正或負(fù)的電荷），以確保跨各組件的通道性能的一致性。通常MOSFET是在一層二氧化硅（SiO2）襯底上，然后沉積一層金屬或多晶硅制成的。然而這種方法可以不精確且難以完全掌控，摻雜有時(shí)會(huì)泄到別的不需要的地方，那樣就創(chuàng)造出了所謂的“短溝道效應(yīng)”區(qū)域，并導(dǎo)致性能下降。一個(gè)典型MOSFET不同層級(jí)的剖面圖。不過(guò)威斯康星大學(xué)麥迪遜分校已經(jīng)同全美多個(gè)合作伙伴攜手（包括密歇根大學(xué)、德克薩斯大學(xué)、以及加州大學(xué)伯克利分校等），開(kāi)發(fā)出了能夠降低摻雜劑泄露以提升半導(dǎo)體品質(zhì)的新技術(shù)。研究人員通過(guò)電子束光刻工藝在表面上形成定制形狀和塑形，從而帶來(lái)更加“物理可控”的生產(chǎn)過(guò)程。（來(lái)自網(wǎng)絡(luò)。NIL已被證明是能夠在大面積上制造納米圖案的蕞經(jīng)濟(jì)、高效的方法。步進(jìn)重復(fù)納米壓印

HERCULES®NIL：完全集成的納米壓印光刻解決方案，可實(shí)現(xiàn)300mm的大批量生產(chǎn)■批量生產(chǎn)低至40nm的結(jié)構(gòu)或更小尺寸（分辨率取決于過(guò)程和模板）■結(jié)合了預(yù)處理（清潔/涂布/烘烤/冷卻）和SmartNIL®技術(shù)■全自動(dòng)壓印和受控的低力分離，可蕞大程度地重復(fù)使用工作印章■具備工作印章制造能力EVG®770：連續(xù)重復(fù)的納米壓印光刻技術(shù)，可進(jìn)行有效的母版制作■用于晶圓級(jí)光學(xué)器件的微透鏡的高效母模制造，直至SmartNIL®的納米結(jié)構(gòu)■不同類型的母版的簡(jiǎn)單實(shí)現(xiàn)■可變的光刻膠分配模式■分配，壓印和脫模過(guò)程中的實(shí)時(shí)圖像■用于壓印和脫模的原位力控制步進(jìn)重復(fù)納米壓印EV Group能夠提供混合和單片微透鏡成型工藝。

HERCULES®NIL特征：全自動(dòng)UV-NIL壓印和低力剝離蕞多300毫米的基材完全模塊化的平臺(tái)，具有多達(dá)八個(gè)可交換過(guò)程模塊（壓印和預(yù)處理）200毫米/300毫米橋接工具能力全區(qū)域烙印覆蓋批量生產(chǎn)ZUI小40nm或更小的結(jié)構(gòu)支持各種結(jié)構(gòu)尺寸和形狀，包括3D適用于高地形（粗糙）表面*分辨率取決于過(guò)程和模板HERCULES®NIL技術(shù)數(shù)據(jù)：晶圓直徑（基板尺寸）：100至200毫米/200和300毫米解析度：≤40nm（分辨率取決于模板和工藝）支持流程：SmartNIL®曝光源：大功率LED（i線）>400mW/cm2對(duì)準(zhǔn)：≤±3微米自動(dòng)分離：支持的前處理：提供所有預(yù)處理模塊迷你環(huán)境和氣候控制：可選的工作印章制作：支持的

納米壓印微影技術(shù)可望優(yōu)先導(dǎo)入LCD面板領(lǐng)域原本計(jì)劃應(yīng)用在半導(dǎo)體生產(chǎn)制程的納米壓印微影技術(shù)(Nano-ImpLithography；NIL)，現(xiàn)將率先應(yīng)用在液晶顯示器(LCD)制程中。NIL為次世代圖樣形成技術(shù)。據(jù)ETNews報(bào)導(dǎo)，南韓顯示器面板企業(yè)LCD制程研發(fā)小組，未確認(rèn)NIL設(shè)備實(shí)際圖樣形成能力，直接參訪海外NIL設(shè)備廠。該制程研發(fā)小組透露，若引進(jìn)相關(guān)設(shè)備，將可提升面板性能。并已展開(kāi)具體供貨協(xié)商。NIL是以刻印圖樣的壓印機(jī)，像蓋章般在玻璃基板上形成圖樣的制程。在基板上涂布UV感光液后，再以壓印機(jī)接觸施加壓力，印出面板圖樣。之后再經(jīng)過(guò)蝕刻制程形成圖樣。NIL可在LCD玻璃基板上刻印出偏光圖樣，不需再另外貼附偏光薄膜。雖然在面板制程中需增加NIL、蝕刻制程，但省落偏光膜貼附制程，可維持同樣的生產(chǎn)成本。偏光膜會(huì)吸收部分光線降低亮度。若在玻璃基板上直接形成偏光圖樣，將不會(huì)發(fā)生降低亮度的情況。通常面板分辨率越高，因配線較多，較難確保開(kāi)口率(ApertureRatio)。EVG開(kāi)拓了這種非常規(guī)光刻技術(shù)，擁有多年技術(shù)，掌握了NIL，并已在不斷增長(zhǎng)的基板尺寸上實(shí)現(xiàn)了批量生產(chǎn)。

IQAlignerUV-NIL特征：用于光學(xué)元件的微成型應(yīng)用用于全場(chǎng)納米壓印應(yīng)用三個(gè)獨(dú)力控制的Z軸，可在印模和基材之間實(shí)現(xiàn)出色的楔形補(bǔ)償三個(gè)獨(dú)力控制的Z軸，用于壓印抗蝕劑的總厚度變化（TTV）控制利用柔軟的印章進(jìn)行柔軟的UV-NIL工藝EVG專有的全自動(dòng)浮雕功能抵抗分配站集成粘合對(duì)準(zhǔn)和紫外線粘合功能IQAlignerUV-NIL技術(shù)數(shù)據(jù)：晶圓直徑（基板尺寸）：150至300毫米解析度：≤50nm（分辨率取決于模板和工藝）支持流程：柔軟的UV-NIL，鏡片成型曝光源：汞光源對(duì)準(zhǔn)：≤±0.5微米自動(dòng)分離：支持的前處理：涂層：水坑點(diǎn)膠（可選）迷你環(huán)境和氣候控制：可選的工作印章制作：支持的NIL已被證明是在大面積上實(shí)現(xiàn)納米級(jí)圖案的蕞具成本效益的方法。步進(jìn)重復(fù)納米壓印

EVG紫外光納米壓印系統(tǒng)還有：EVG?7200LA，HERCULES?NIL，EVG?770，IQAligner?等。步進(jìn)重復(fù)納米壓印

IQAlignerUV-NIL自動(dòng)化紫外線納米壓印光刻系統(tǒng)應(yīng)用：用于晶圓級(jí)透鏡成型和堆疊的高精度UV壓印系統(tǒng)IQAlignerUV-NIL系統(tǒng)允許使用直徑從150mm至300mm的壓模和晶片進(jìn)行微成型和納米壓印工藝，非常適合高度平行地制造聚合物微透鏡。該系統(tǒng)從從晶圓尺寸的主圖章復(fù)制的軟性圖章開(kāi)始，提供了混合和整體式微透鏡成型工藝，可以輕松地將其與工作圖章和微透鏡材料的各種材料組合相適應(yīng)。此外，EVGroup提供合格的微透鏡成型工藝，包括所有相關(guān)的材料專業(yè)知識(shí)。EVGroup專有的卡盤(pán)設(shè)計(jì)可為高產(chǎn)量大面積印刷提供均勻的接觸力。配置包括從壓印基材上釋放印章的釋放機(jī)制。步進(jìn)重復(fù)納米壓印