電介質(zhì)成千上萬的電解質(zhì)薄膜被用于光學(xué)，半導(dǎo)體，以及其它數(shù)十個(gè)行業(yè), 而Filmetrics的儀器幾乎可以測量所有的薄膜。常見的電介質(zhì)有:二氧化硅 – ZUI簡單的材料之一, 主要是因?yàn)樗诖蟛糠止庾V上的無吸收性 (k=0)， 而且非常接近化學(xué)計(jì)量 (就是說，硅：氧非常接近 1:2)。 受熱生長的二氧化硅對(duì)光譜反應(yīng)規(guī)范，通常被用來做厚度和折射率標(biāo)準(zhǔn)。 Filmetrics能測量3nm到1mm的二氧化硅厚度。氮化硅 – 對(duì)此薄膜的測量比很多電介質(zhì)困難，因?yàn)楣瑁旱嚷释ǔ２皇?：4, 而且折射率一般要與薄膜厚度同時(shí)測量。 更麻煩的是，氧常常滲入薄膜，生成一定程度的氮氧化硅，增大測量難度。 但是幸運(yùn)的是，我們的系統(tǒng)能在幾秒鐘內(nèi) “一鍵” 測量氮化硅薄膜完整特征!F20測厚范圍：15nm - 70μm；波長：380-1050nm。浙江氮化鎵膜厚儀

生物醫(yī)療器械應(yīng)用中的涂層生物醫(yī)療器械的制造和準(zhǔn)備方面會(huì)用到許多類型的涂層。有些涂層是為了保護(hù)設(shè)備免受腐蝕，而其他的則是為了預(yù)防組織損傷、感然或者是排異反應(yīng)。 藥物傳輸涂層也變得日益普通。其它生物醫(yī)學(xué)器械，如血管成型球囊，具有獨(dú)力的隔膜，必須具有均勻和固定的厚度才能正常工作。測量范例：支架是塑料或金屬制成的插入血管防止收縮的小管。很多時(shí)候，這些支架用聚合物或藥物涂層處理，以提高功能和耐腐蝕。F40配上20倍物鏡（25微米光斑），我們能夠測量沿不銹鋼支架外徑這些涂層的厚度。這個(gè)功能強(qiáng)大的儀器提供醫(yī)療器械行業(yè)快速可靠，非破壞性，無需樣品準(zhǔn)備的厚度測量。Filmetrics F32膜厚儀試用FSM拉曼的應(yīng)用：局部應(yīng)力； 局部化學(xué)成分；局部損傷。

FSM8018VITE測試系列設(shè)備VITE技術(shù)介紹：VITE是傅里葉頻域技術(shù)，利用近紅外光源的相位剪切技術(shù)（Phasesheartechnology）設(shè)備介紹適用于所有可讓近紅外線通過的材料：硅、藍(lán)寶石、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………應(yīng)用:襯底厚度(不受圖案硅片、有膠帶、凹凸或者粘合硅片影響)平整度厚度變化(TTV)溝槽深度過孔尺寸、深度、側(cè)壁角度粗糙度薄膜厚度不同半導(dǎo)體材料的厚度環(huán)氧樹脂厚度襯底翹曲度晶圓凸點(diǎn)高度(bumpheight)MEMS薄膜測量TSV深度、側(cè)壁角度...

F50系列包含的內(nèi)容：集成光譜儀/光源裝置光纖電纜4",6"and200mm參考晶圓TS-SiO2-4-7200厚度標(biāo)準(zhǔn)BK7參考材料整平濾波器(用于高反射基板)真空泵備用燈型號(hào)厚度范圍*波長范圍F50：20nm-70μm380-1050nmF50-UV：5nm-40μm190-1100nmF50-NIR：100nm-250μm950-1700nmF50-EXR：20nm-250μm380-1700nmF50-UVX：5nm-250μm190-1700nmF50-XT：0.2μm-450μm1440-1690nmF50-s980：4μm-1mm960-1000nmF50-s1310：7μm-2mm1280-1340nmF50-s1550：10μm-3mm1520-1580nm額外的好處：每臺(tái)系統(tǒng)內(nèi)建超過130種材料庫,隨著不同應(yīng)用更超過數(shù)百種應(yīng)用工程師可立刻提供幫助（周一-周五）網(wǎng)上的“手把手”支持(需要連接互聯(lián)網(wǎng))硬件升級(jí)計(jì)劃。F3-s980 是波長為980奈米的版本，是為了針對(duì)成本敏銳的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。

FSM413MOT紅外干涉測量設(shè)備：適用于所有可讓紅外線通過的材料：硅、藍(lán)寶石、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………應(yīng)用:襯底厚度(不受圖案硅片、有膠帶、凹凸或者粘合硅片影響)平整度厚度變化(TTV)溝槽深度過孔尺寸、深度、側(cè)壁角度粗糙度薄膜厚度不同半導(dǎo)體材料的厚度環(huán)氧樹脂厚度襯底翹曲度晶圓凸點(diǎn)高度(bumpheight)MEMS薄膜測量TSV深度、側(cè)壁角度...如果您想了解更多關(guān)于FSM膜厚儀的技術(shù)問題，請(qǐng)聯(lián)系我們岱美儀器。F20-EXR測厚范圍：15nm - 250μm；波長：380-1700nm。Filmetrics F32膜厚儀試用

測量厚度: 15 — 780 μm (單探頭) ； 3 mm (雙探頭總厚度測量)。浙江氮化鎵膜厚儀

集成電路故障分析故障分析(FA)技術(shù)用來尋找并確定集成電路內(nèi)的故障原因。故障分析中需要進(jìn)行薄膜厚度測量的兩種主要類型是正面去層(用于傳統(tǒng)的面朝上的電路封裝)和背面薄化(用于較新的覆晶技術(shù)正面朝下的電路封裝)。正面去層正面去層的工藝需要了解電介質(zhì)薄化后剩余電介質(zhì)的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在電路系統(tǒng)成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每個(gè)薄化步驟后剩余的硅厚度是相當(dāng)關(guān)鍵的。FilmetricsF3-sX是為了測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度而專門設(shè)計(jì)的系統(tǒng)。厚度從5微米到1000微米能夠很容易的測量，另外可選配模組來延伸蕞小測量厚度至0.1微米，同時(shí)具有單點(diǎn)和多點(diǎn)測繪的版本可供選擇。測量范例現(xiàn)在我們使用我們的F3-s1550系統(tǒng)測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度.具備特殊光學(xué)設(shè)計(jì)之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅層厚度浙江氮化鎵膜厚儀