不管是參與對顯示器的基礎研究還是制造，Thetametrisis都能夠提供您所需要的...測量液晶層-聚酰亞胺、硬涂層、液晶、間隙測量有機發(fā)光二極管層-發(fā)光、電注入、緩沖墊、封裝對于空白樣品，我們建議使用FR-Scanner系列儀器。對于圖案片，Thetametrisis的FR-Scanner用于測量薄膜厚度已經(jīng)找到了顯示器應用廣范使用。測量范例此案例中，我們成功地測量了藍寶石和硼硅玻璃基底上銦錫氧化物薄膜厚度，可以很容易地在380納米到1700納米內(nèi)同時測量透射率和反射率以確定厚度，折射率，消光系數(shù)。由于ITO薄膜在各種基底上不同尋常的的擴散，這個擴展的波長范圍是必要的。重復性: 0.1 μm (1 sigma)單探頭* ；0.8 μm (1 sigma)雙探頭*。四川膜厚儀自動化測量

厚度測量產(chǎn)品：我們的膜厚測量產(chǎn)品可適用于各種應用。我們大部分的產(chǎn)品皆備有庫存以便快速交貨。請瀏覽本公司網(wǎng)頁產(chǎn)品資訊或聯(lián)系我們的應用工程師針對您的厚度測量需求提供立即協(xié)助。單點厚度測量：一鍵搞定的薄膜厚度和折射率臺式測量系統(tǒng)。測量1nm到13mm的單層薄膜或多層薄膜堆。大多數(shù)產(chǎn)品都有庫存而且可立即出貨。F20全世界銷量蕞hao的薄膜測量系統(tǒng)。有各種不同附件和波長覆蓋范圍。微米(顯微)級別光斑尺寸厚度測量當測量斑點只有1微米（μm）時，需要用自己的顯微鏡或者用我們提供的整個系統(tǒng)。安徽研究所膜厚儀不同的 F50 儀器是根據(jù)波長范圍來加以區(qū)分的。

集成電路故障分析故障分析(FA)技術用來尋找并確定集成電路內(nèi)的故障原因。故障分析中需要進行薄膜厚度測量的兩種主要類型是正面去層(用于傳統(tǒng)的面朝上的電路封裝)和背面薄化(用于較新的覆晶技術正面朝下的電路封裝)。正面去層正面去層的工藝需要了解電介質(zhì)薄化后剩余電介質(zhì)的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在電路系統(tǒng)成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每個薄化步驟后剩余的硅厚度是相當關鍵的。FilmetricsF3-sX是為了測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度而專門設計的系統(tǒng)。厚度從5微米到1000微米能夠很容易的測量，另外可選配模組來延伸蕞小測量厚度至0.1微米，同時具有單點和多點測繪的版本可供選擇。測量范例現(xiàn)在我們使用我們的F3-s1550系統(tǒng)測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度.具備特殊光學設計之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅層厚度

厚度測量產(chǎn)品：我們的膜厚測量產(chǎn)品可適用于各種應用。我們大部分的產(chǎn)品皆備有庫存以便快速交貨。請瀏覽本公司網(wǎng)頁產(chǎn)品資訊或聯(lián)系我們的應用工程師針對您的厚度測量需求提供立即協(xié)助。單點厚度測量：一鍵搞定的薄膜厚度和折射率臺式測量系統(tǒng)。測量1nm到13mm的單層薄膜或多層薄膜堆。大多數(shù)產(chǎn)品都有庫存而且可立即出貨。F20全世界銷量蕞hao的薄膜測量系統(tǒng)。有各種不同附件和波長覆蓋范圍。微米(顯微)級別光斑尺寸厚度測量當測量斑點只有1微米（μm）時，需要用您自己的顯微鏡或者用岱美提供的整個系統(tǒng)。FSM拉曼的應用：局部應力； 局部化學成分；局部損傷。

F50系列包含的內(nèi)容：集成光譜儀/光源裝置光纖電纜4",6"and200mm參考晶圓TS-SiO2-4-7200厚度標準BK7參考材料整平濾波器(用于高反射基板)真空泵備用燈型號厚度范圍*波長范圍F50：20nm-70μm380-1050nmF50-UV：5nm-40μm190-1100nmF50-NIR：100nm-250μm950-1700nmF50-EXR：20nm-250μm380-1700nmF50-UVX：5nm-250μm190-1700nmF50-XT：0.2μm-450μm1440-1690nmF50-s980：4μm-1mm960-1000nmF50-s1310：7μm-2mm1280-1340nmF50-s1550：10μm-3mm1520-1580nm額外的好處：每臺系統(tǒng)內(nèi)建超過130種材料庫,隨著不同應用更超過數(shù)百種應用工程師可立刻提供幫助（周一-周五）網(wǎng)上的“手把手”支持(需要連接互聯(lián)網(wǎng))硬件升級計劃。膜厚儀廣泛應用于材料科學、光學、電子、化工等領域，用于質(zhì)量控制、研發(fā)和生產(chǎn)過程中的膜厚測量。四川膜厚儀自動化測量

Filmetrics F60-t 系列就像我們的 F50產(chǎn)品一樣測繪薄膜厚度和折射率，但它增加了許多用于生產(chǎn)環(huán)境的功能。四川膜厚儀自動化測量

技術介紹：紅外干涉測量技術,非接觸式測量。采用Michaelson干涉方法，紅外波段的激光能更好的穿透被測物體，準確的得到測試結(jié)果。產(chǎn)品簡介：FSM413EC紅外干涉測量設備適用于所有可讓紅外線通過的材料：硅、藍寶石、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………應用:襯底厚度(不受圖案硅片、有膠帶、凹凸或者粘合硅片影響)平整度溝槽深度過孔尺寸、深度、側(cè)壁角度粗糙度薄膜厚度硅片厚度環(huán)氧樹脂厚度襯底翹曲度晶圓凸點高度(bumpheight)MEMS薄膜測量TSV深度、側(cè)壁角度。四川膜厚儀自動化測量