我們的研發(fā)實力：EVG已經(jīng)與研究機構(gòu)合作超過35年，讓我們深入了解他們的獨特需求。我們專業(yè)的研發(fā)工具提供zhuo越的技術(shù)和*大的靈活性，使大學、研究機構(gòu)和技術(shù)開發(fā)合作伙伴能夠參與多個研究項目和應(yīng)用項目。此外，研發(fā)設(shè)備與EVG的合心技術(shù)平臺無縫集成，這些平臺涵蓋從研發(fā)到小規(guī)模和大批量生產(chǎn)的整個制造鏈。研發(fā)和權(quán)面生產(chǎn)系統(tǒng)之間的軟件和程序兼容性使研究人員能夠?qū)⑵淞鞒踢w移到批量生產(chǎn)環(huán)境。以客戶的需求為導向，研發(fā)才具有價值，也是我們不斷前進的動力。光刻機是一種用于制造集成電路和其他微納米器件的關(guān)鍵設(shè)備。貴州光刻機優(yōu)惠價格

EVG®610特征：晶圓/基板尺寸從小到200mm/8''頂側(cè)和底側(cè)對準能力高精度對準臺自動楔形補償序列電動和程序控制的曝光間隙支持ZUI新的UV-LED技術(shù)ZUI小化系統(tǒng)占地面積和設(shè)施要求分步流程指導遠程技術(shù)支持多用戶概念（無限數(shù)量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權(quán)限，不同的用戶界面語言）便捷處理和轉(zhuǎn)換重組臺式或帶防震花崗巖臺的單機版EVG®610附加功能：鍵對準紅外對準納米壓印光刻（NIL）EVG®610技術(shù)數(shù)據(jù)：對準方式上側(cè)對準：≤±0.5μm底面要求：≤±2,0μm紅外校準：≤±2,0μm/具體取決于基板材料鍵對準：≤±2,0μmNIL對準：≤±2,0μm云南光刻機技術(shù)支持所有系統(tǒng)均支持原位對準驗證的軟件，它可以提高手動操作系統(tǒng)的對準精度和可重復性。

IQAligner®NT曝光設(shè)定：硬接觸/軟接觸/接近模式/柔性模式楔形補償：全自動軟件控制；非接觸式IQAligner®NT曝光選項：間隔曝光/洪水曝光先進的對準功能：自動對準暗場對準功能/完整的明場掩模移動（FCMM）大間隙對準跳動控制對準IQAligner®NT系統(tǒng)控制：操作系統(tǒng)：Windows文件共享和備份解決方案/無限制程序和參數(shù)多語言用戶GUI和支持：CN，DE，F(xiàn)R，IT，JP，KR實時遠程訪問，診斷和故障排除如果您需要確認準確的產(chǎn)品的信息，請聯(lián)系我們。如果需要鍵合機，請看官網(wǎng)信息。

我們可以根據(jù)您的需求提供進行優(yōu)化的多用途系統(tǒng)。我們的掩模對準系統(tǒng)設(shè)計用于從掩模對準到鍵合對準的快速簡便轉(zhuǎn)換。此外，可以使用用于壓印光刻的可選工具集，例如UV-納米壓印光刻，熱壓印或微接觸印刷。所有系統(tǒng)均支持原位對準驗證軟件，以提高手動操作系統(tǒng)的對準精度和可重復性。EVG620NT/EVG6200NT可從手動到自動基片處理，實現(xiàn)現(xiàn)場升級。此外，所有掩模對準器都支持EVG專有的NIL技術(shù)。如果您需要納米壓印設(shè)備，請訪問我們的官網(wǎng)，或者直接聯(lián)系我們。HERCULES對準精度：上側(cè)對準：≤±0.5μm；底側(cè)對準：≤±1,0μm；紅外校準：≤±2,0μm/具體取決于基材。

EVG101光刻膠處理系統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)涂層模塊-旋轉(zhuǎn)器參數(shù)轉(zhuǎn)速：蕞高10krpm加速速度：蕞高10krpm噴涂模塊-噴涂產(chǎn)生超聲波霧化噴嘴/高粘度噴嘴；開發(fā)模塊-分配選項水坑顯影/噴霧顯影EVG101光刻膠處理系統(tǒng)；附加模塊的選項：預對準：機械系統(tǒng)控制參數(shù)：操作系統(tǒng)：Windows文件共享和備份解決方案/無限制程序和參數(shù)/離線程序編輯器靈活的流程定義/易于拖放的程序編程并行處理多個作業(yè)/實時遠程訪問，診斷和故障排除多語言用戶GUI和支持：CN，DE，F(xiàn)R，IT，JP，KREVG的代理商岱美儀器能在全球范圍內(nèi)提供服務(wù)。湖北光刻機原理

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G®105—晶圓烘烤模塊設(shè)計理念：單機EVG®105烘烤模塊是專為軟或后曝光烘烤過程而設(shè)計。特點：可以在EVG105烘烤模塊上執(zhí)行軟烘烤，曝光后烘烤和硬烘烤過程。受控的烘烤環(huán)境可確保均勻蒸發(fā)?？删幊痰慕咏N可提供對光刻膠硬化過程和溫度曲線的ZUI佳控制。EVG105烘烤模塊可以同時處理300mm的晶圓尺寸或4個100mm的晶圓。特征獨力烘烤模塊晶片尺寸ZUI大為300毫米，或同時ZUI多四個100毫米晶片溫度均勻性≤±1°C@100°C，ZUI高250°C烘烤溫度用于手動和安全地裝載/卸載晶片的裝載銷烘烤定時器基材真空（直接接觸烘烤）N2吹掃和近程烘烤0-1mm距離晶片至加熱板可選不規(guī)則形狀的基材技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）：高達300毫米烤盤：溫度范圍：≤250°C手動將升降桿調(diào)整到所需的接近間隙。貴州光刻機優(yōu)惠價格