EVG®301技術(shù)數(shù)據(jù)
晶圓直徑(基板尺寸):200和100-300毫米
清潔系統(tǒng)
開室,旋轉(zhuǎn)器和清潔臂
腔室:由PP或PFA制成(可選)
清潔介質(zhì):去離子水(標準),其他清潔介質(zhì)(可選)
旋轉(zhuǎn)卡盤:真空卡盤(標準)和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成
旋轉(zhuǎn):蕞高3000rpm(5秒內(nèi))
超音速噴嘴
頻率:1MHz(3MHz選件)
輸出功率:30-60W
去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘
有效清潔區(qū)域:?4.0mm
材質(zhì):聚四氟乙烯
兆聲區(qū)域傳感器
頻率:1MHz(3MHz選件)
輸出功率:蕞大2.5W/cm2有效面積(蕞大輸出200W)
去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘
有效的清潔區(qū)域:三角形,確保每次旋轉(zhuǎn)時整個晶片的輻射均勻性
材質(zhì):不銹鋼和藍寶石
刷子
材質(zhì):PVA
可編程參數(shù):刷子和晶圓速度(rpm)
可調(diào)參數(shù)(刷壓縮,介質(zhì)分配)
EVG鍵合可選功能:陽極,UV固化,650℃加熱器。新疆鍵合機優(yōu)惠價格
在鍵合過程中,將兩個組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸。然后它們被夾在兩個電極之間,加熱至752-932℃(華氏400-500攝氏度),和幾百到千伏的電勢被施加,使得負電極,這就是所謂的陰極,是在接觸在玻璃中,正極(陽極)與硅接觸。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動并向陰極移動,在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷,然后通過靜電吸引將其保持在適當(dāng)?shù)奈恢?。帶負電的氧氣來自玻璃的離子向陽極遷移,并在到達邊界時與硅反應(yīng),形成二氧化硅(SiO 2)。產(chǎn)生的化學(xué)鍵將兩個組件密封在一起。吉林鍵合機國內(nèi)代理EVG鍵合機軟件,支持多語言,集成錯誤記錄/報告和恢復(fù)和單個用戶帳戶設(shè)置,可以簡化用戶常規(guī)操作。
EVG®520IS晶圓鍵合系統(tǒng)■擁有EVG®501和EVG®510鍵合機的所有功能■200mm的單個或者雙腔自動化系統(tǒng)■自動晶圓鍵合流程和晶圓替代轉(zhuǎn)移■集成冷卻站,實現(xiàn)高產(chǎn)量EVG®540自動鍵合系統(tǒng)■300mm單腔鍵合室■自動處理多達4個鍵合卡盤■模塊化鍵合室■自動底側(cè)冷卻EVG®560自動晶圓鍵合系統(tǒng)■多達4個鍵合室,滿足各種鍵合操作■自動裝卸鍵合室和冷卻站■遠程在線診斷■自動化機器人處理系統(tǒng),用于機械對準的自動盒式磁帶晶圓鍵合■工作站式布局,適用于所有鍵合工藝的設(shè)備配置EVG®GEMINI®自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)在蕞小的占地面積上,同時利用比較/高精度的EVGSmaiewNT技術(shù),前/列的GEMINI大批量生產(chǎn)系統(tǒng),并結(jié)合了自動光學(xué)對準和鍵合操作。有關(guān)更多詳/細信息,請參/閱我們的GEMINI手冊。
EVG®850SOI的自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng) 自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) SOI晶片是微電子行業(yè)有望生產(chǎn)出更快,性能更高的微電子設(shè)備的有希望的新基礎(chǔ)材料。晶圓鍵合技術(shù)是SOI晶圓制造工藝的一項關(guān)鍵技術(shù),可在絕緣基板上實現(xiàn)高質(zhì)量的單晶硅膜。借助EVG850 SOI生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),SOI鍵合的所有基本步驟-從清潔和對準到預(yù)鍵合和紅外檢查-都結(jié)合了起來。因此,EVG850確保了高達300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝。EVG850是wei一在高通量,高產(chǎn)量環(huán)境下運行的生產(chǎn)系統(tǒng),已被確立為SOI晶圓市場的行業(yè)標準。EVG鍵合機也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合。對于UV固化的黏合劑,可選的鍵合室蓋里具有UV源。
EVG的晶圓鍵合機鍵合室配有通用鍵合蓋,可快速排空,快速加熱和冷卻。通過控制溫度,壓力,時間和氣體,允許進行大多數(shù)鍵合過程。也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合。對于UV固化黏合劑,可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進行。頂部和底部晶片的**溫度控制補償了不同的熱膨脹系數(shù),從而實現(xiàn)無應(yīng)力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下,可以在真空下執(zhí)行SOI / SDB(硅的直接鍵合)預(yù)鍵合。
以上的鍵合機由岱美儀器供應(yīng)并提供技術(shù)支持。 業(yè)內(nèi)主流鍵合機使用工藝:黏合劑,陽極,直接/熔融,玻璃料,焊料(含共晶和瞬態(tài)液相)和金屬擴散/熱壓縮。GEMINI鍵合機免稅價格
根據(jù)鍵合機型號和加熱器尺寸,EVG500系列鍵合機可以用于碎片50 mm到300 mm尺寸的晶圓。新疆鍵合機優(yōu)惠價格
鍵合機特征 高真空,對準,共價鍵合 在高真空環(huán)境(<5·10-8mbar)中進行處理 原位亞微米面對面對準精度 高真空MEMS和光學(xué)器件封裝原位表面和原生氧化物去除 優(yōu)異的表面性能 導(dǎo)電鍵合 室溫過程 多種材料組合,包括金屬(鋁) 無應(yīng)力鍵合界面 高鍵合強度 用于HVM和R&D的模塊化系統(tǒng) 多達六個模塊的靈活配置 基板尺寸蕞/大為200毫米 完全自動化 技術(shù)數(shù)據(jù) 真空度 處理:<7E-8mbar 處理:<5E-8毫巴 集群配置 處理模塊:蕞小3個,蕞/大6個 加載:手動,卡帶,EFEM 可選的過程模塊: 鍵合模塊 ComBond?激/活模塊(CAM) 烘烤模塊 真空對準模塊(VAM) 晶圓直徑 高達200毫米新疆鍵合機優(yōu)惠價格