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山東CMOS鍵合機(jī)

來源: 發(fā)布時間:2021-11-10

1) 由既定拉力測試高低溫循環(huán)測試結(jié)果可以看出,該鍵合工藝在滿足實際應(yīng)用所需鍵合強(qiáng)度的同時,解決了鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高、對環(huán)境要求苛刻的問題。

2) 由高低溫循環(huán)測試結(jié)果可以看出,該鍵合工藝可以適應(yīng)復(fù)雜的實際應(yīng)用環(huán)境,且具有工藝溫度低,容易實現(xiàn)圖 形化,應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點。

3) 由破壞性試驗結(jié)果可以看出,該鍵合工藝在圖形邊沿的鍵合率并不高,鍵合效果不太理想,還需對工藝流程進(jìn) 一步優(yōu)化,對工藝參數(shù)進(jìn)行改進(jìn),以期達(dá)到更高的鍵合強(qiáng)度與鍵合率。 EVG鍵合機(jī)使用直接(實時)或間接對準(zhǔn)方法,能夠支持大量不同的對準(zhǔn)技術(shù)。山東CMOS鍵合機(jī)

山東CMOS鍵合機(jī),鍵合機(jī)

長久鍵合系統(tǒng) EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對準(zhǔn)與鍵合步驟分離開來,立即在業(yè)內(nèi)掀起了市場**。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力,這種新穎的方法已成為當(dāng)今的工藝標(biāo)準(zhǔn),EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動和全自動晶圓鍵合機(jī)的主要市場份額,并且安裝的機(jī)臺已經(jīng)超過1500個。EVG的晶圓鍵合機(jī)可提供蕞/佳的總擁有成本(TCO),并具有多種設(shè)計功能,可優(yōu)化鍵合良率。針對MEMS,3D集成或gao級封裝的不同市場需求,EVG優(yōu)化了用于對準(zhǔn)的多個模塊。下面是EVG的鍵合機(jī)EVG500系列介紹。中國香港鍵合機(jī)鍵合精度清潔模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB,使用去離子水和溫和的化學(xué)清潔劑去除顆粒。

山東CMOS鍵合機(jī),鍵合機(jī)

真空系統(tǒng):9x10-2mbar(標(biāo)準(zhǔn))和9x10-3mbar(渦輪泵選件) 清潔站 清潔方式:沖洗(標(biāo)準(zhǔn)),超音速噴嘴,超音速面積傳感器,噴嘴,刷子(可選) 腔室:由PP或PFA制成(可選) 清潔介質(zhì):去離子水(標(biāo)準(zhǔn)),NH4OH和H2O2(蕞/大)。2%濃度(可選) 旋轉(zhuǎn)卡盤:真空卡盤(標(biāo)準(zhǔn))和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn):蕞/高3000rpm(5s) 清潔臂:蕞多5條介質(zhì)線(1個超音速系統(tǒng)使用2條線) 可選功能 ISO3mini-environment(根據(jù)ISO14644) LowTemp?等離子活化室 紅外檢查站 以上資料由岱美儀器提供并做技術(shù)支持

EVG®805解鍵合系統(tǒng)用途:薄晶圓解鍵合。

EVG805是半自動系統(tǒng),用于剝離臨時鍵合和加工過的晶圓疊層,該疊層由器件晶圓,載體晶圓和中間臨時鍵合膠組成。該工具支持熱剝離或機(jī)械剝離。可以將薄晶圓卸載到單個基板載體上,以在工具之間安全可靠地運輸。

特征:

開放式膠粘劑平臺

解鍵合選項:

熱滑解鍵合

解鍵合

機(jī)械解鍵合

程序控制系統(tǒng)

實時監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過程參數(shù)

薄晶圓處理的獨特功能

多種卡盤設(shè)計,可支撐蕞大300mm的晶圓/基板和載體

高形貌的晶圓處理

技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑(基板尺寸)

晶片蕞大300mm

高達(dá)12英寸的薄膜

組態(tài)

1個解鍵合模塊

選件

紫外線輔助解鍵合

高形貌的晶圓處理

不同基板尺寸的橋接能力 對于無夾層鍵合工藝,材料和表面特征利于鍵合,但為了與夾層結(jié)合,鍵合材料沉積和組成決定了鍵合線的材質(zhì)。

山東CMOS鍵合機(jī),鍵合機(jī)

Abouie M 等人[4]針對金—硅共晶鍵合過程中凹坑對鍵合質(zhì)量的影響展開研究,提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成,但非晶硅的實際應(yīng)用限制較大??蹬d華等人[5]加工了簡單的多層硅—硅結(jié)構(gòu),但不涉及對準(zhǔn)問題,實際應(yīng)用的價值較小。陳穎慧等人[6]以金— 硅共晶鍵合技術(shù)對 MEMS 器件進(jìn)行了圓片級封裝[6],其鍵合強(qiáng)度可以達(dá)到 36 MPa,但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想,不適用一些敏感器件的封裝處理。袁星等人[7]對帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅直接鍵合進(jìn)行了研究,但其硅片不涉及光刻、深刻蝕、清洗等對硅片表面質(zhì)量影響較大的工藝,故其鍵合工藝限制較大。EVG鍵合機(jī)支持全系列晶圓鍵合工藝,這對于當(dāng)今和未來的器件制造是至關(guān)重要。3D IC鍵合機(jī)有誰在用

EVG鍵合機(jī)軟件,支持多語言,集成錯誤記錄/報告和恢復(fù)和單個用戶帳戶設(shè)置,可以簡化用戶常規(guī)操作。山東CMOS鍵合機(jī)

儀器儀表行業(yè)飛速發(fā)展一是因為我國的經(jīng)濟(jì)高速穩(wěn)定發(fā)展的運行;按照過去的經(jīng)驗,如果GDP的增長在10%以上時,儀表行業(yè)的增長率則在26%~30%之間。二是因為我國宏觀調(diào)控對儀表行業(yè)的影響有一個滯后期,儀表往往在工程的后期才交付使用,因此,因宏觀調(diào)控政策而減少的收入對儀表行業(yè)的影響不會太大。進(jìn)一步提升我國儀器儀表技術(shù)和水平,其他有限責(zé)任公司企業(yè)要順應(yīng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展潮流,在穩(wěn)固常規(guī)品種的同時,進(jìn)一步發(fā)展智能儀器儀表,提升產(chǎn)業(yè)數(shù)字化、智能化、集成化水平。半導(dǎo)體工藝設(shè)備,半導(dǎo)體測量設(shè)備,光刻機(jī) 鍵合機(jī),膜厚測量儀產(chǎn)業(yè)是國民經(jīng)濟(jì)的基礎(chǔ)性、戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè),是信息化和工業(yè)化深度融合的源頭,對促進(jìn)工業(yè)轉(zhuǎn)型升級、發(fā)展戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)、推動現(xiàn)代**建設(shè)、保證和提高大家生活水平具有重要作用。為迎接貿(mào)易型百年未有之大變局,行家認(rèn)為,要重新定義中國在世界經(jīng)濟(jì)版圖中的地位,要順應(yīng)形勢實現(xiàn)制造升級。以華立集團(tuán)在境外開發(fā)“中國工業(yè)園”的成功案例來闡述,跨國經(jīng)營要成為企業(yè)主動的戰(zhàn)略選擇,在不確定性中更好地活下去,以全球化視野看問題,很多困惑在全球化過程中會迎刃而解。山東CMOS鍵合機(jī)