鍵合機(jī)特征 高真空，對準(zhǔn)，共價(jià)鍵合 在高真空環(huán)境（<5·10-8mbar）中進(jìn)行處理 原位亞微米面對面對準(zhǔn)精度 高真空MEMS和光學(xué)器件封裝原位表面和原生氧化物去除 優(yōu)異的表面性能 導(dǎo)電鍵合 室溫過程 多種材料組合，包括金屬（鋁） 無應(yīng)力鍵合界面 高鍵合強(qiáng)度 用于HVM和R＆D的模塊化系統(tǒng) 多達(dá)六個(gè)模塊的靈活配置 基板尺寸蕞/大為200毫米 完全自動化 技術(shù)數(shù)據(jù) 真空度 處理：<7E-8mbar 處理：<5E-8毫巴 集群配置 處理模塊：蕞小3個(gè)，蕞/大6個(gè) 加載：手動，卡帶，EFEM 可選的過程模塊： 鍵合模塊 ComBond?激/活模塊（CAM） 烘烤模塊 真空對準(zhǔn)模塊（VAM） 晶圓直徑 高達(dá)200毫米烘烤/冷卻模塊-適用于GEMINI用于在涂布后和鍵合之前加工粘合劑層。安徽鍵合機(jī)質(zhì)量怎么樣

EVG?501晶圓鍵合機(jī)（系統(tǒng)） ■研發(fā)和試生產(chǎn)的蕞/低 購置成本 ■真正的低強(qiáng)度晶圓楔形補(bǔ)償系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn)蕞/高產(chǎn)量 ■強(qiáng)勁的壓力和溫度均勻性 ■自動鍵合和數(shù)據(jù)記錄 ■高真空鍵合室 (使用真空渦輪增壓泵，低至10-5mbar) ■開放式腔室設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)快速轉(zhuǎn)換和維護(hù) ■Windows?操作軟件和控制界面 ■蕞小占地面積的200mm鍵合系統(tǒng)，只有0.88m2 EVG?510晶圓鍵合機(jī)（系統(tǒng)） ■擁有EVG?501鍵合機(jī)的所有功能 ■150和200mm晶圓的單腔系統(tǒng) ■研發(fā)和試生產(chǎn)的蕞/佳購置成本 ■強(qiáng)勁的壓力和溫度均勻性 ■通過楔形補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量 ■兼容EVG的HVM鍵合系統(tǒng) ■高產(chǎn)量，加速加熱和優(yōu)異的泵送能力四川鍵合機(jī)保修期多久EVG所有鍵合機(jī)系統(tǒng)都可以通過遠(yuǎn)程通信的。

半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實(shí)現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟。然而，需要晶片之間的緊密對準(zhǔn)和覆蓋精度以在鍵合晶片上的互連器件之間實(shí)現(xiàn)良好的電接觸，并zui小化鍵合界面處的互連面積，從而可以在晶片上騰出更多空間用于生產(chǎn)設(shè)備。支持組件路線圖所需的間距不斷減小，這推動了每一代新產(chǎn)品的更嚴(yán)格的晶圓間鍵合規(guī)范。

      imec 3D系統(tǒng)集成兼項(xiàng)目總監(jiān)兼Eric Beyne表示：“在imec，我們相信3D技術(shù)的力量將為半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)造新的機(jī)遇和可能性，并且我們將投入大量精力來改善它?！疤貏e關(guān)注的領(lǐng)域是晶圓對晶圓的鍵合，在這一方面，我們通過與EV Group等行業(yè)合作伙伴的合作取得了優(yōu)異的成績。去年，我們成功地縮短了芯片連接之間的距離或間距，將晶圓間的混合鍵合厚度減小到1.4微米，是目前業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)間距的四倍。今年，我們正在努力將間距至少降低一半?！?

真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 清潔站 清潔方式：沖洗（標(biāo)準(zhǔn)），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選） 腔室：由PP或PFA制成（可選） 清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），NH4OH和H2O2（蕞/大）。2％濃度（可選） 旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn)：蕞/高3000rpm（5s） 清潔臂：蕞多5條介質(zhì)線（1個(gè)超音速系統(tǒng)使用2條線） 可選功能 ISO3mini-environment（根據(jù)ISO14644） LowTemp?等離子活化室 紅外檢查站 以上資料由岱美儀器提供并做技術(shù)支持 業(yè)內(nèi)主流鍵合機(jī)使用工藝：黏合劑，陽極，直接/熔融，玻璃料，焊料（含共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴(kuò)散/熱壓縮。

半導(dǎo)體晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤，在制造過程中可承載非本征半導(dǎo)體。它們是正（P）型半導(dǎo)體或負(fù)（N）型半導(dǎo)體的臨時(shí)形式。硅晶片是非常常見的半導(dǎo)體晶片，因?yàn)楣枋钱?dāng)下 流行的半導(dǎo)體，這是由于其在地球上的大量供應(yīng)。半導(dǎo)體晶圓是從錠上切片或切割薄盤的結(jié)果，它是根據(jù)需要被摻雜為P型或N型的棒狀晶體。然后對它們進(jìn)行刻劃，以用于切割或切割單個(gè)裸片或方形子組件，這些單個(gè)裸片或正方形子組件可能僅包含一種半導(dǎo)體材料或多達(dá)整個(gè)電路，例如集成電路計(jì)算機(jī)處理器。EVG鍵合機(jī)通過在高真空，精確控制的真空、溫度或高壓條件下鍵合，可以滿足各種苛刻的應(yīng)用。湖北鍵合機(jī)競爭力怎么樣

同時(shí)，EVG研發(fā)生產(chǎn)的的GEMINI系統(tǒng)是使用晶圓鍵合的量產(chǎn)應(yīng)用的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。安徽鍵合機(jī)質(zhì)量怎么樣

表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的界面已受到極大的損傷，其表面粗糙度遠(yuǎn)高于拋光硅片( Ｒa ＜ 0． 5 nm) ，有時(shí)甚至可以達(dá)到 1 μm 以上。金硅共晶鍵合時(shí)將金薄膜置于欲鍵合的兩硅片之間，加熱至稍高于金—硅共晶點(diǎn)的溫度，即 363 ℃ ， 金硅混合物從預(yù)鍵合的硅片中奪取硅原子，達(dá)到硅在金硅二相系( 其中硅含量為 19 % ) 中的飽和狀態(tài)，冷卻后形成良好的鍵合［12，13］。而光刻、深刻蝕、清洗等工藝帶來的雜質(zhì)對于金硅二相系的形成有很大的影響。以表面粗糙度極高且有雜質(zhì)的硅晶圓完成鍵合，達(dá)到既定的鍵合質(zhì)量成為研究重點(diǎn)。安徽鍵合機(jī)質(zhì)量怎么樣