EVG?501晶圓鍵合機(jī)（系統(tǒng)） ■研發(fā)和試生產(chǎn)的蕞/低 購置成本 ■真正的低強(qiáng)度晶圓楔形補(bǔ)償系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn)蕞/高產(chǎn)量 ■強(qiáng)勁的壓力和溫度均勻性 ■自動(dòng)鍵合和數(shù)據(jù)記錄 ■高真空鍵合室 (使用真空渦輪增壓泵，低至10-5mbar) ■開放式腔室設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)快速轉(zhuǎn)換和維護(hù) ■Windows?操作軟件和控制界面 ■蕞小占地面積的200mm鍵合系統(tǒng)，只有0.88m2 EVG?510晶圓鍵合機(jī)（系統(tǒng)） ■擁有EVG?501鍵合機(jī)的所有功能 ■150和200mm晶圓的單腔系統(tǒng) ■研發(fā)和試生產(chǎn)的蕞/佳購置成本 ■強(qiáng)勁的壓力和溫度均勻性 ■通過楔形補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量 ■兼容EVG的HVM鍵合系統(tǒng) ■高產(chǎn)量，加速加熱和優(yōu)異的泵送能力EVG和岱美經(jīng)驗(yàn)豐富的工藝工程師隨時(shí)準(zhǔn)備為您提供支持。進(jìn)口鍵合機(jī)

EVG?620BA鍵合機(jī)選件 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn) 紅外對(duì)準(zhǔn)，用于內(nèi)部基板鍵對(duì)準(zhǔn) NanoAlign?包增強(qiáng)加工能力 可與系統(tǒng)機(jī)架一起使用 掩模對(duì)準(zhǔn)器的升級(jí)可能性 技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機(jī)架：可選 隔振：被動(dòng) 對(duì)準(zhǔn)方法 背面對(duì)準(zhǔn)：±2μm3σ 透明對(duì)準(zhǔn)：±1μm3σ 紅外校準(zhǔn)：選件 對(duì)準(zhǔn)階段 精密千分尺：手動(dòng) 可選：電動(dòng)千分尺 楔形補(bǔ)償：自動(dòng) 基板/晶圓參數(shù) 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米 厚度：0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度：10毫米 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn) 可選的 處理系統(tǒng) 標(biāo)準(zhǔn)：3個(gè)卡帶站 可選：蕞多5個(gè)站GEMINI FB鍵合機(jī)用途是什么GEMINI FB XT適用于諸如存儲(chǔ)器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用。

用晶圓級(jí)封裝制造的組件被***用于手機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品中。這主要是由于市場對(duì)更小，更輕的電子設(shè)備的需求，這些電子設(shè)備可以以越來越復(fù)雜的方式使用。例如，除了簡單的通話外，許多手機(jī)還具有多種功能，例如拍照或錄制視頻。晶圓級(jí)封裝也已用于多種其他應(yīng)用中。例如，它們用于汽車輪胎壓力監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，可植入醫(yī)療設(shè)備，***數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)等。

晶圓級(jí)封裝還可以減小封裝尺寸，從而節(jié)省材料并進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本。然而，更重要的是，減小的封裝尺寸允許組件用于更***的高級(jí)產(chǎn)品中。晶圓級(jí)封裝的主要市場驅(qū)動(dòng)因素之一是需要更小的組件尺寸，尤其是減小封裝高度。

GEMINI ? FB自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng) 集成平臺(tái)可實(shí)現(xiàn)高精度對(duì)準(zhǔn)和熔融 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實(shí)現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系統(tǒng)擴(kuò)展了當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)，并結(jié)合了更高的生產(chǎn)率，更高的對(duì)準(zhǔn)度和覆蓋精度，適用于諸如存儲(chǔ)器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用。該系統(tǒng)具有新的Smart View NT3鍵合對(duì)準(zhǔn)器，該鍵合對(duì)準(zhǔn)器是專門為<50 nm的熔融和混合晶片鍵合對(duì)準(zhǔn)要求而開發(fā)的。晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng) EVG?520 IS，擁有EVG?501和EVG?510鍵合機(jī)的所有功能；200 mm的單個(gè)或雙腔自動(dòng)化系統(tǒng)。

鍵合卡盤承載來自對(duì)準(zhǔn)器對(duì)準(zhǔn)的晶圓堆疊，以執(zhí)行隨后的鍵合過程?？梢允褂眠m合每個(gè)通用鍵合室的專用卡盤來處理各種尺寸的晶圓和鍵合應(yīng)用。 EVG?501/EVG?510/EVG?520IS是用于研發(fā)的鍵合機(jī)。 晶圓鍵合類型 ■陽極鍵合 ■黏合劑鍵合 ■共熔鍵合 ■瞬間液相鍵合 ■熱壓鍵合 EVG鍵合機(jī)特征 ■基底高達(dá)200mm ■壓力高達(dá)100kN ■溫度高達(dá)550°C ■真空氣壓低至1·10-6mbar ■可選：陽極，UV固化，650℃加熱器 EVG鍵合機(jī)加工服務(wù) EVG設(shè)備的晶圓加工服務(wù)包含如下： ■等離子活化直接鍵合 ■ComBond? -硅和化合物半導(dǎo)體的導(dǎo)電鍵合 ■高真空對(duì)準(zhǔn)鍵合 ■臨時(shí)鍵合和熱、機(jī)械或者激光剖離 ■混合鍵合 ■黏合劑鍵合 ■集體D2W鍵合自動(dòng)鍵合系統(tǒng)EVG?540，擁有300 mm單腔鍵合室和多達(dá)4個(gè)自動(dòng)處理鍵合卡盤。圖像傳感器鍵合機(jī)三維芯片應(yīng)用

業(yè)內(nèi)主流鍵合機(jī)使用工藝：黏合劑，陽極，直接/熔融，玻璃料，焊料（含共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴(kuò)散/熱壓縮。進(jìn)口鍵合機(jī)

Abouie M 等人［4］針對(duì)金—硅共晶鍵合過程中凹坑對(duì)鍵合質(zhì)量的影響展開研究，提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成，但非晶硅的實(shí)際應(yīng)用限制較大?？蹬d華等人［5］加工了簡單的多層硅—硅結(jié)構(gòu)，但不涉及對(duì)準(zhǔn)問題，實(shí)際應(yīng)用的價(jià)值較小。陳穎慧等人［6］以金— 硅共晶鍵合技術(shù)對(duì) MEMS 器件進(jìn)行了圓片級(jí)封裝［6］，其鍵合強(qiáng)度可以達(dá)到 36 MPa，但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想，不適用一些敏感器件的封裝處理。袁星等人［7]對(duì)帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅直接鍵合進(jìn)行了研究，但其硅片不涉及光刻、深刻蝕、清洗等對(duì)硅片表面質(zhì)量影響較大的工藝，故其鍵合工藝限制較大。進(jìn)口鍵合機(jī)