晶圓級封裝是指在將要制造集成電路的晶圓分離成單獨的電路之前，通過在每個電路周圍施加封裝來制造集成電路。由于在部件尺寸以及生產(chǎn)時間和成本方面的優(yōu)勢，該技術(shù)在集成電路行業(yè)中迅速流行起來。以此方式制造的組件被認(rèn)為是芯片級封裝的一種。這意味著其尺寸幾乎與內(nèi)部電子電路所位于的裸片的尺寸相同。

      集成電路的常規(guī)制造通常開始于將在其上制造電路的硅晶片的生產(chǎn)。通常將純硅錠切成薄片，稱為晶圓，這是建立微電子電路的基礎(chǔ)。這些電路通過稱為晶圓切割的工藝來分離。分離后，將它們封裝成單獨的組件，然后將焊料引線施加到封裝上。 EVG鍵合機(jī)晶圓鍵合類型有：陽極鍵合、瞬間液相鍵合、共熔鍵合、黏合劑鍵合、熱壓鍵合。EVG301鍵合機(jī)高性價比選擇

半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟。然而，需要晶片之間的緊密對準(zhǔn)和覆蓋精度以在鍵合晶片上的互連器件之間實現(xiàn)良好的電接觸，并*小化鍵合界面處的互連面積，從而可以在晶片上騰出更多空間用于生產(chǎn)設(shè)備。支持組件路線圖所需的間距不斷減小，這推動了每一代新產(chǎn)品的更嚴(yán)格的晶圓間鍵合規(guī)范。

      imec 3D系統(tǒng)集成兼項目總監(jiān)兼Eric Beyne表示：“在imec，我們相信3D技術(shù)的力量將為半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)造新的機(jī)遇和可能性，并且我們將投入大量精力來改善它。“特別關(guān)注的領(lǐng)域是晶圓對晶圓的鍵合，在這一方面，我們通過與EV Group等行業(yè)合作伙伴的合作取得了優(yōu)異的成績。去年，我們成功地縮短了芯片連接之間的距離或間距，將晶圓間的混合鍵合厚度減小到1.4微米，是目前業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)間距的四倍。今年，我們正在努力將間距至少降低一半?！?海南鍵合機(jī)圖像傳感器應(yīng)用對于無夾層鍵合工藝，材料和表面特征利于鍵合，但為了與夾層結(jié)合，鍵合材料沉積和組成決定了鍵合線的材質(zhì)。

EVG?6200鍵合機(jī)選件 自動對準(zhǔn) 紅外對準(zhǔn)，用于內(nèi)部基板鍵對準(zhǔn) NanoAlign?包增強(qiáng)加工能力 可與系統(tǒng)機(jī)架一起使用 掩模對準(zhǔn)器的升級可能性 技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機(jī)架：可選 隔振：被動 對準(zhǔn)方法 背面對準(zhǔn)：±2μm3σ 透明對準(zhǔn)：±1μm3σ 紅外校準(zhǔn)：選件 對準(zhǔn)階段 精密千分尺：手動 可選：電動千分尺 楔形補(bǔ)償：自動 基板/晶圓參數(shù) 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米，200毫米 厚度：0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度：10毫米 自動對準(zhǔn) 可選的 處理系統(tǒng) 標(biāo)準(zhǔn)：3個卡帶站 可選：蕞多5個站

EVG?820層壓系統(tǒng) 將任何類型的干膠膜（膠帶）自動無應(yīng)力層壓到晶圓上 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG820層壓站用于將任何類型的干膠膜自動，無應(yīng)力地層壓到載體晶片上。這項獨特的層壓技術(shù)可對卷筒上的膠帶進(jìn)行打孔，然后將其對齊并層壓到晶圓上。該材料通常是雙面膠帶。利用沖壓技術(shù)，可以自由選擇膠帶的尺寸和尺寸，并且與基材無關(guān)。 特征 將任何類型的干膠膜自動，無應(yīng)力和無空隙地層壓到載體晶片上 在載體晶片上精確對準(zhǔn)的層壓 保護(hù)套剝離 干膜層壓站可被集成到一個EVG?850TB臨時鍵合系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸） 高達(dá)300毫米 組態(tài) 1個打孔單元 底側(cè)保護(hù)襯套剝離 層壓 選件 頂側(cè)保護(hù)膜剝離 光學(xué)對準(zhǔn) 加熱層壓 EVG500系列鍵合機(jī)是基于獨特模塊化鍵合室設(shè)計，能夠?qū)崿F(xiàn)從研發(fā)到大批量生產(chǎn)的簡單技術(shù)轉(zhuǎn)換。

EVG?501是晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng) 應(yīng)用：適用于學(xué)術(shù)界和工業(yè)研究的多功能手動晶圓鍵合系統(tǒng) EVG501技術(shù)數(shù)據(jù): EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng)，可以處理從單個芯片(碎片)到150mm（200mm鍵合室為200mm）的基板尺寸。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝，例如陽極，玻璃粉，焊料，共晶，瞬態(tài)液相和直接法。易于使用的鍵合腔室和工具設(shè)計允許對不同的晶圓尺寸和工藝進(jìn)行快速便捷的重新工具化，轉(zhuǎn)換時間不到5分鐘。這種多功能性是大學(xué)，研發(fā)機(jī)構(gòu)或小批量生產(chǎn)的理想選擇。EVG大批量制造工具（例如EVGGEMINI）上的鍵合室設(shè)計相同，鍵合程序易于轉(zhuǎn)移，可輕松擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。Smart View?NT-適用于GEMINI和GEMINI FB，讓晶圓在晶圓鍵合之前進(jìn)行晶圓對準(zhǔn)。紅外鍵合機(jī)圖像傳感器應(yīng)用

EVG鍵合機(jī)通過控制溫度，壓力，時間和氣體，允許進(jìn)行大多數(shù)鍵合過程。EVG301鍵合機(jī)高性價比選擇

陽極鍵合是晶片鍵合的一種方法，***用于微電子工業(yè)中，利用熱量和靜電場的結(jié)合將兩個表面密封在一起。這種鍵合技術(shù)蕞常用于將玻璃層密封到硅晶圓上。也稱為場輔助鍵合或靜電密封，它類似于直接鍵合，與大多數(shù)其他鍵合技術(shù)不同，它通常不需要中間層，但不同之處在于，它依賴于當(dāng)離子運(yùn)動時表面之間的靜電吸引對組件施加高電壓。

      可以使用陽極鍵合將金屬鍵合到玻璃上，并使用玻璃的薄中間層將硅鍵合到硅上。但是，它特別適用于硅玻璃粘接。玻璃需要具有高含量的堿金屬（例如鈉），以提供可移動的正離子。通常使用一種特定類型的玻璃，其中包含約3.5％的氧化鈉（Na 2 O）。 EVG301鍵合機(jī)高性價比選擇