WNM6002是一種N型增強型MOS場效應晶體管,利用先進的溝槽和電荷控制設計,提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于電源開關、負載開關和充電電路。標準產(chǎn)品WNM6002為無鉛且不含鹵素。小型SOT-323封裝。
主要特性:
· 溝槽技術
· 超高密度單元設計
· 適用于高直流電流的優(yōu)異導通電阻
· 極低的閾值電壓
應用領域:
· 繼電器、電磁鐵、電機、LED等的驅動
· DC-DC轉換器電路
· 電源開關
· 負載開關
· 充電電路
WNM6002N型增強型MOS場效應晶體管是一種高性能、高效能的半導體器件,專為現(xiàn)代電子設備中的電源管理和開關應用而設計。其采用先進的溝槽技術和電荷控制設計,確保了出色的RDS(ON)和低柵極電荷,從而提供了高效的電流控制和低功耗操作。WNM6002的超高密度單元設計使其在高直流電流下仍能保持優(yōu)異的導通電阻,確保了高效的能量轉換和散熱。同時,極低的閾值電壓保證了快速的開關響應和穩(wěn)定的性能。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WL2803E33-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5L。代理分銷商WILLSEMI韋爾WD1072D
ESD5304D是一個專為保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件免受靜電放電(ESD)引起的過應力而設計的極低電容瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列。它結合了四對極低電容轉向二極管和一個TVS二極管,旨在提供優(yōu)異的ESD保護。
特性:
· 截止電壓:5V
· 根據(jù)IEC61000-4-2標準的每線瞬態(tài)保護:±20kV(接觸放電)
· 根據(jù)IEC61000-4-4標準的EFT保護:40A(5/50ns)
· 根據(jù)IEC61000-4-5標準的浪涌保護:4A(8/20μs)
· 極低電容:CJ=0.4pF(典型值)
· 極低漏電流:IR<1nA(典型值)
· 低箝位電壓:VCL=14V(典型值)@IPP=16A(TLP)
· 固態(tài)硅技術
應用:
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便攜式電子產(chǎn)品
· 筆記本電腦
ESD5304D是專為高速數(shù)據(jù)接口設計的瞬態(tài)電壓抑制器,保護接口免受靜電放電和其他瞬態(tài)事件損害。利用先進固態(tài)硅技術,結合極低電容轉向二極管和TVS二極管,提供優(yōu)異保護。能承受±20kV接觸放電和其他瞬態(tài)事件。極低電容和漏電流不影響數(shù)據(jù)傳輸。適用于USB、HDMI、SATA等接口,是電子設備中的關鍵保護組件。小巧封裝且環(huán)保,易于集成。如需更多信息,請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾SPD83241CRB520S30-2/TR 肖特基二極管 封裝:SOD-523。
WL2801E是一款優(yōu)異的低噪聲、高PSRR(電源抑制比)以及高速CMOSLDO(低壓差線性穩(wěn)壓器)。其高精度與出色的性能,使其在手機、筆記本電腦以及其他便攜式設備中表現(xiàn)出色,為用戶提供了前所未有的性價比體驗。這款設備不僅具有出色的限流折回電路,能夠同時作為短路保護和輸出電流限制器,而且采用標準的SOT-23-5L封裝,確保產(chǎn)品的環(huán)保性和安全性。
WL2801E的主要特性包括寬輸入電壓范圍(2.7V~5.5V)、靈活的輸出電壓范圍(1.2V~3.3V)、以及高達300mA的輸出電流能力。其高達75dB的PSRR在217Hz下表現(xiàn)出色,確保了電源噪聲的有效抑制。此外,其低dropout電壓(170mV@IOUT=200mA)和極低靜態(tài)電流(70μA)使得它在低功耗應用中表現(xiàn)突出。
這款產(chǎn)品的應用領域較廣,包括MP3/MP4播放器、手機、無線電話、數(shù)碼相機、藍牙和無線手持設備以及其他便攜式電子設備。無論是對于追求高性能的設計師,還是對于尋求成本效益的生產(chǎn)商,WL2801E都是理想的選擇。
安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件的代理分銷,并可以提供樣品。這體現(xiàn)了我們對產(chǎn)品質(zhì)量的自信和對客戶需求的深入理解。選擇安美斯科技,您將獲得優(yōu)異的產(chǎn)品和服務。
ESD5431N是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電(ESD)、電氣快速瞬變(EFT)和雷電等過應力影響而設計。封裝與環(huán)保特性:DFN1006-2L封裝:緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無鉛和無鹵素:符合環(huán)保要求,適用于對無鉛和無鹵素有需求的場合。
特性:
· 截止電壓:±3.3V
· 根據(jù)IEC61000-4-2標準,提供±30kV(接觸放電)的ESD保護
· 根據(jù)IEC61000-4-4標準,提供40A(5/50ns)的EFT保護
· 根據(jù)IEC61000-4-5標準,提供10A(8/20μs)的浪涌保護
· 電容:典型值為17.5pF
· 低泄漏電流:典型值為1nA
· 低鉗位電壓:在脈沖電流為16A(TLP)時,典型值為8V。
· 固態(tài)硅技術
應用:
· 手機
· 計算機和外設:為計算機主板、顯示器、鍵盤等
· 微處理器
· 電源線
· 便攜式電子設備
· 筆記本電腦
ESD5431N是專為保護電子元件免受靜電、電氣瞬變等過應力而設計的高性能雙向瞬態(tài)電壓抑制器。其瞬態(tài)保護出色,封裝緊湊,環(huán)保特性強,廣泛應用于手機、計算機和便攜式設備,確保設備穩(wěn)定運行和數(shù)據(jù)安全。如需詳細信息,請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESDA6V1W5-5/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:SOT-353。
WNMD2171雙N溝道、20V、6.0A功率MOSFET
產(chǎn)品描述:
WNMD2171是一款雙N溝道增強型MOSFET場效應晶體管。這款MOSFET的特殊設計使得在電路板上連接其漏極變得不必要,因為MOSFET1和MOSFET2的漏極是內(nèi)部連接的。該產(chǎn)品采用先進的溝槽技術和設計,提供了出色的導通電阻(RSS(ON))和低柵極電荷。這款器件專為鋰離子電池保護電路而設計。WNMD2171采用CSP-4L封裝。標準產(chǎn)品WNMD2171是無鉛和無鹵素的。小型CSP4L封裝。
產(chǎn)品特性:
· 溝槽技術
· 超高密度單元設計
· 出色的導通電阻
· 極低的閾值電壓
應用領域:
· 鋰離子電池保護電路
WNMD2171是一款采用先進技術的雙N溝道MOSFET,特別適用于鋰離子電池保護電路。其內(nèi)部連接的漏極設計簡化了電路布局,而優(yōu)異的導通電阻和極低的閾值電壓則提供了高效的電池管理。這款產(chǎn)品的小型CSP-4L封裝使其成為空間受限應用中的理想選擇。此外,其無鉛和無鹵素的特點也符合現(xiàn)代環(huán)保標準。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WMM7037ATSN0-4/TR MEMS麥克風(硅麥)封裝:LGA-4(3x3.8)。代理分銷商WILLSEMI韋爾SPD91011W
SPD9811B-2/TR 半導體放電管(TSS)封裝:SMB。代理分銷商WILLSEMI韋爾WD1072D
ESD5471X1線雙向瞬態(tài)電壓抑制器
產(chǎn)品描述:
ESD5471X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)。它特別設計用于保護連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)、電氣快速瞬態(tài)(EFT)和雷電引起的過應力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標準,ESD5471X可用于提供高達±30kV(接觸和空氣放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達6A的峰值脈沖電流(8/20μs)。ESD5471X采用FBP-02C封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。
產(chǎn)品特性:
反向截止電壓:±5V
根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)標準,每條線路的瞬態(tài)保護:±30kV(接觸和空氣放電)
IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)
IEC61000-4-5(浪涌):6A(8/20μs)
電容:CJ=9pF(典型值)
低漏電流
低鉗位電壓:VCL=12V(典型值)@IPP=16A(TLP)
固態(tài)硅技術
應用領域:
手機
平板電腦
筆記本電腦
其他便攜式設備
網(wǎng)絡通信設備
ESD5471X是專為保護敏感電子組件設計的雙向瞬態(tài)電壓抑制器,能抵御靜電放電、電氣快速瞬態(tài)和雷電等過應力。其優(yōu)越的保護能力和低漏電流特性使其成為手機、平板、筆記本等便攜式設備及網(wǎng)絡通信設備的理想保護元件。采用固態(tài)硅技術,既高性能又緊湊,方便集成。詳情請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WD1072D
深圳安美斯科技有限公司在同行業(yè)領域中,一直處在一個不斷銳意進取,不斷制造創(chuàng)新的市場高度,多年以來致力于發(fā)展富有創(chuàng)新價值理念的產(chǎn)品標準,在廣東省等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的商業(yè)口碑,成績讓我們喜悅,但不會讓我們止步,殘酷的市場磨煉了我們堅強不屈的意志,和諧溫馨的工作環(huán)境,富有營養(yǎng)的公司土壤滋養(yǎng)著我們不斷開拓創(chuàng)新,勇于進取的無限潛力,深圳安美斯科技供應攜手大家一起走向共同輝煌的未來,回首過去,我們不會因為取得了一點點成績而沾沾自喜,相反的是面對競爭越來越激烈的市場氛圍,我們更要明確自己的不足,做好迎接新挑戰(zhàn)的準備,要不畏困難,激流勇進,以一個更嶄新的精神面貌迎接大家,共同走向輝煌回來!