ESD5471X1線雙向瞬態(tài)電壓抑制器
產(chǎn)品描述:
ESD5471X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)。它特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)、電氣快速瞬態(tài)(EFT)和雷電引起的過(guò)應(yīng)力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD5471X可用于提供高達(dá)±30kV(接觸和空氣放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)6A的峰值脈沖電流(8/20μs)。ESD5471X采用FBP-02C封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛且無(wú)鹵素。
產(chǎn)品特性:
反向截止電壓:±5V
根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)標(biāo)準(zhǔn),每條線路的瞬態(tài)保護(hù):±30kV(接觸和空氣放電)
IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)
IEC61000-4-5(浪涌):6A(8/20μs)
電容:CJ=9pF(典型值)
低漏電流
低鉗位電壓:VCL=12V(典型值)@IPP=16A(TLP)
固態(tài)硅技術(shù)
應(yīng)用領(lǐng)域:
手機(jī)
平板電腦
筆記本電腦
其他便攜式設(shè)備
網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備
ESD5471X是專(zhuān)為保護(hù)敏感電子組件設(shè)計(jì)的雙向瞬態(tài)電壓抑制器,能抵御靜電放電、電氣快速瞬態(tài)和雷電等過(guò)應(yīng)力。其優(yōu)越的保護(hù)能力和低漏電流特性使其成為手機(jī)、平板、筆記本等便攜式設(shè)備及網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備的理想保護(hù)元件。采用固態(tài)硅技術(shù),既高性能又緊湊,方便集成。詳情請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 ESD56201D04-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:DFN1610-2。中文資料WILLSEMI韋爾WD1042E
WNM6002是一種N型增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,利用先進(jìn)的溝槽和電荷控制設(shè)計(jì),提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于電源開(kāi)關(guān)、負(fù)載開(kāi)關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM6002為無(wú)鉛且不含鹵素。小型SOT-323封裝。
主要特性:
· 溝槽技術(shù)
· 超高密度單元設(shè)計(jì)
· 適用于高直流電流的優(yōu)異導(dǎo)通電阻
· 極低的閾值電壓
應(yīng)用領(lǐng)域:
· 繼電器、電磁鐵、電機(jī)、LED等的驅(qū)動(dòng)
· DC-DC轉(zhuǎn)換器電路
· 電源開(kāi)關(guān)
· 負(fù)載開(kāi)關(guān)
· 充電電路
WNM6002N型增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種高性能、高效能的半導(dǎo)體器件,專(zhuān)為現(xiàn)代電子設(shè)備中的電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和電荷控制設(shè)計(jì),確保了出色的RDS(ON)和低柵極電荷,從而提供了高效的電流控制和低功耗操作。WNM6002的超高密度單元設(shè)計(jì)使其在高直流電流下仍能保持優(yōu)異的導(dǎo)通電阻,確保了高效的能量轉(zhuǎn)換和散熱。同時(shí),極低的閾值電壓保證了快速的開(kāi)關(guān)響應(yīng)和穩(wěn)定的性能。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾SPD8811BESD63011N-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:DFN1006-2L。
ESD5311Z單線、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器
產(chǎn)品描述
ESD5311Z是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專(zhuān)為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別針對(duì)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,以防止因靜電放電(ESD)而產(chǎn)生的過(guò)應(yīng)力。ESD5311Z包含一個(gè)極低電容的轉(zhuǎn)向二極管對(duì)和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD5311Z可用于提供高達(dá)±20kV(接觸放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5311Z采用DFN0603-2L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛且無(wú)鹵素。
產(chǎn)品特性
截止電壓:5V
每條線路根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行瞬態(tài)保護(hù):±20kV(接觸放電)
根據(jù)IEC61000-4-4(EFT)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行瞬態(tài)保護(hù):40A(5/50ns)
根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行瞬態(tài)保護(hù):4A(8/20μs)
極低電容:CJ=0.25pF(典型值)
極低漏電流:IR<1nA(典型值)
低鉗位電壓:VCL=21V(典型值)@IPP=16A(TLP)
應(yīng)用領(lǐng)域
USB2.0和USB3.0
HDMI1.3和HDMI1.4
SATA和eSATA
DVI
IEEE 1394
PCI Express
便攜式電子設(shè)備
筆記本電腦
ESD5311Z專(zhuān)為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì),極低電容,出色保護(hù),防止靜電放電損害。適用于USB、HDMI等接口,保護(hù)敏感組件。緊湊封裝,適合便攜式設(shè)備。詳情查閱手冊(cè)或聯(lián)系我們。
RB521S30肖特基勢(shì)壘二極管
特性:小型表面貼裝類(lèi)型、高可靠性低正向電壓、、無(wú)鉛器件
應(yīng)用:低電流整流
介紹:
RB521S30是一款肖特基勢(shì)壘二極管,它具有一系列出色的特性,使其在各種應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。首先,其小型表面貼裝類(lèi)型使得它在空間受限的環(huán)境中也能輕松安裝,同時(shí)確保了高效的熱量散發(fā)。其次,高可靠性確保了器件在長(zhǎng)時(shí)間使用下仍能保持穩(wěn)定的性能,減少了維護(hù)和更換的頻率。
此外,低正向電壓是肖特基勢(shì)壘二極管的一個(gè)關(guān)鍵特性,它允許在較低的電壓下實(shí)現(xiàn)高效的整流功能。這一特性使得RB521S30在需要低電流整流的場(chǎng)合中表現(xiàn)出色,如某些電子設(shè)備中的電源管理部分。
值得注意的是,RB521S30是無(wú)鉛器件,符合現(xiàn)代環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。隨著全球?qū)Νh(huán)保意識(shí)的日益增強(qiáng),無(wú)鉛器件已成為許多行業(yè)的首要選擇。這使得RB521S30在追求高性能的同時(shí),也符合了環(huán)保要求。
總的來(lái)說(shuō),RB521S30肖特基勢(shì)壘二極管以其小型化、高可靠性、低正向電壓和無(wú)鉛環(huán)保等特性,成為低電流整流應(yīng)用中的理想選擇。無(wú)論是電子設(shè)備制造商還是電路設(shè)計(jì)工程師,都能從中受益。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 RB521C30-2/TR 肖特基二極管 封裝:SOD-923。
WD1502F:28V,2A降壓型(Step-Down)直流/直流(DC/DC)轉(zhuǎn)換器
WD1502F是一款高效率、同步降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器。它可以在4.5V至28V的輸入電壓范圍內(nèi)工作,并提供高達(dá)2A的連續(xù)輸出電流。內(nèi)部同步功率開(kāi)關(guān)可在不使用外部肖特基二極管的情況下提供高效率。WD1502F以650kHz的固定開(kāi)關(guān)頻率工作,并采用脈沖寬度調(diào)制(PWM)。在輕負(fù)載電流時(shí),它會(huì)進(jìn)入脈沖跳變調(diào)制(PSM)操作,以在整個(gè)負(fù)載電流范圍內(nèi)保持高效率和低輸出紋波。WD1502F具有短路保護(hù)、熱保護(hù)和輸入欠壓鎖定功能。它采用TSOT-23-6L封裝,為標(biāo)準(zhǔn)無(wú)鉛和無(wú)鹵素產(chǎn)品。
其主要特性包括:
· 寬范圍4.5V~28V的工作輸入電壓
· 典型的650kHz開(kāi)關(guān)頻率
· 2A連續(xù)輸出電流
· 低至2μA的關(guān)機(jī)電流,60μA的靜態(tài)電流
· 內(nèi)部5mS軟啟動(dòng)
· 峰值效率>94%
· 150mΩ內(nèi)部功率HSMOSFET開(kāi)關(guān)
· 75mΩ內(nèi)部同步LSMOSFET開(kāi)關(guān)
· 逐周期過(guò)流保護(hù)
應(yīng)用領(lǐng)域包括:
· 12V、24V分布式電源總線供電
· 工業(yè)應(yīng)用
· 白色家電
· 消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用
WD1502F適用于需要高效、緊湊和可靠電源轉(zhuǎn)換的多種應(yīng)用。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WD3100B-6/TR LED驅(qū)動(dòng) 封裝:SC-70-6(SOT-363)。中文資料WILLSEMI韋爾WHS3804Q
WSB5546N-2/TR 肖特基二極管 封裝:DFN1006-2L。中文資料WILLSEMI韋爾WD1042E
ESD5451N:雙向瞬態(tài)電壓保護(hù)神
ESD5451N是一款高效的雙向瞬態(tài)電壓抑制器,專(zhuān)為保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態(tài)電壓侵害而設(shè)計(jì)。它能承受高達(dá)±30kV的接觸和空氣放電,以及峰值脈沖電流達(dá)8A(8/20μs),為低速數(shù)據(jù)線和控制線提供強(qiáng)大的保護(hù)
這款抑制器采用DFN1006-2L封裝,具有無(wú)鉛和無(wú)鹵素等環(huán)保特性。其反向截止電壓為±5VMax,電容典型值為17.5pF,漏電流極低,典型值小于1nA。此外,其低鉗位電壓特性使其在電流脈沖下仍能保持穩(wěn)定的電壓輸出。
ESD5451N適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景,包括手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦等便攜式設(shè)備,以及網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備等。其出色的瞬態(tài)電壓抑制能力和穩(wěn)定性,為電子設(shè)備提供了可靠的保障。
安美斯科技專(zhuān)注于國(guó)產(chǎn)電子元器件代理分銷(xiāo),可以提供樣品供您測(cè)試。如有關(guān)于ESD5451N的進(jìn)一步問(wèn)題或需求,請(qǐng)隨時(shí)與我們聯(lián)系。我們期待與您合作,為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。 中文資料WILLSEMI韋爾WD1042E
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