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中文資料WILLSEMI韋爾WPM2006

來源: 發(fā)布時間:2024-03-14

    WNM2030是一種N型增強型MOS場效應(yīng)晶體管,采用先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計,以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標準產(chǎn)品WNM2030為無鉛產(chǎn)品。小型SOT-723封裝。

主要特性:

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計

· 優(yōu)異的開啟電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域:

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 電源轉(zhuǎn)換器電路

· 便攜式設(shè)備的負載/電源切換

   WNM2030是專為現(xiàn)代電子系統(tǒng)電源管理設(shè)計的高性能MOS場效應(yīng)晶體管。其RDS(ON)和低柵極電荷特性使其在DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路中表現(xiàn)出色。采用先進溝槽技術(shù),提供高密度和低功耗。快速開關(guān)操作適用于高頻電源管理。小型SOT-723封裝適合便攜式設(shè)備,且無鉛設(shè)計滿足環(huán)保要求。WNM2030為現(xiàn)代電源管理提供高效、可靠和環(huán)保的解決方案。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD5641D12-3/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:DFN-3L(2x2)。中文資料WILLSEMI韋爾WPM2006

中文資料WILLSEMI韋爾WPM2006,WILLSEMI韋爾

    WS72551和WS72552系列放大器具有極低的偏移、漂移和偏置電流。其中,WS72551是單放大器,WS72552是雙放大器,分別具有軌到軌的輸入和輸出擺動。所有放大器都保證在2.5V至5V的單電源下工作。72551/72552提供了之前在昂貴的自動調(diào)零或斬波穩(wěn)定放大器中才能找到的優(yōu)勢。這些新型零漂移放大器結(jié)合了低成本和高精度,并且不需要外部電容器。規(guī)格72551/72552適用于擴展的工業(yè)/汽車溫度范圍(-40°C至+125°C)。封裝72551:MSOP-8  SOIC8和SOT23-5L。72552:MSOP-8  SOIC8。

    技術(shù)特性:偏移電壓只有3μV,漂移為0.008μV/°C,使WS72551/WS72552非常適合于無法容忍誤差源的應(yīng)用。溫度、位置和壓力傳感器、醫(yī)療設(shè)備和應(yīng)變計放大器在其工作溫度范圍內(nèi)幾乎無漂移,因此受益匪淺。WS72551/WS72552提供的軌到軌輸入和輸出擺動使得高側(cè)和低側(cè)感測都變得容易。

應(yīng)用領(lǐng)域:

溫度傳感器

壓力傳感器

精密電流感測

應(yīng)變計放大器

醫(yī)療儀器

熱電偶放大器

   WS72551/WS72552系列零漂移放大器具備極低偏移和漂移、高精度以及軌到軌輸入輸出擺動等特性,適用于溫度、壓力、電流感測等多種應(yīng)用,為工程師提供高精度測量解決方案。緊湊封裝使其成為空間受限應(yīng)用的理想選擇。如需更多信息,請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD56031NWS74199Q-10/TR 電流感應(yīng)放大器 封裝:WQFN-10(1.4x1.8)。

中文資料WILLSEMI韋爾WPM2006,WILLSEMI韋爾

    RB521S30肖特基勢壘二極管

特性:小型表面貼裝類型、高可靠性低正向電壓、、無鉛器件

應(yīng)用:低電流整流

介紹:

    RB521S30是一款肖特基勢壘二極管,它具有一系列出色的特性,使其在各種應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。首先,其小型表面貼裝類型使得它在空間受限的環(huán)境中也能輕松安裝,同時確保了高效的熱量散發(fā)。其次,高可靠性確保了器件在長時間使用下仍能保持穩(wěn)定的性能,減少了維護和更換的頻率。

    此外,低正向電壓是肖特基勢壘二極管的一個關(guān)鍵特性,它允許在較低的電壓下實現(xiàn)高效的整流功能。這一特性使得RB521S30在需要低電流整流的場合中表現(xiàn)出色,如某些電子設(shè)備中的電源管理部分。

    值得注意的是,RB521S30是無鉛器件,符合現(xiàn)代環(huán)保標準。隨著全球?qū)Νh(huán)保意識的日益增強,無鉛器件已成為許多行業(yè)的首要選擇。這使得RB521S30在追求高性能的同時,也符合了環(huán)保要求。

    總的來說,RB521S30肖特基勢壘二極管以其小型化、高可靠性、低正向電壓和無鉛環(huán)保等特性,成為低電流整流應(yīng)用中的理想選擇。無論是電子設(shè)備制造商還是電路設(shè)計工程師,都能從中受益。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

ESD5305F:四通道單向低電容瞬態(tài)電壓抑制器

      產(chǎn)品描述:ESD5305F是一款專為保護高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計的低電容瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列。它特別用于保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件,免受由靜電放電(ESD)引起的過應(yīng)力影響。ESD5305F結(jié)合了四對低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管,以提供各方面的瞬態(tài)保護。封裝與環(huán)保信息:ESD5305F采用SOT23-6L封裝,滿足無鉛和無鹵素環(huán)保要求。

產(chǎn)品特性:

反向截止電壓:5V

根據(jù)IEC61000-4-2標準,每條線路提供±30kV(接觸放電)的ESD保護

根據(jù)IEC61000-4-5標準,可承受高達6A(8/20μs)的峰值脈沖電流

低電容:CI/O-GND=0.65pF(典型值,Vcc=浮動狀態(tài));CI/O-GND=0.35pF(典型值,Vcc=5V)

極低泄漏電流:IR<1nA(典型值)

低鉗位電壓:VCL=16.5V@IPP=16A(TLP)

采用固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域:

USB2.0

HDMI1.3

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便攜式電子產(chǎn)品

筆記本電腦

關(guān)于ESD5305F 如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WS74199B-6/TR 電流感應(yīng)放大器 封裝:SOT-363。

中文資料WILLSEMI韋爾WPM2006,WILLSEMI韋爾

    WS4508E是一款針對單節(jié)鋰離子電池的完整恒流/恒壓線性充電器。其內(nèi)部采用MOSFET架構(gòu),無需外部感測電阻和阻斷二極管。熱反饋機制可以調(diào)節(jié)充電電流,以在高功率操作或高環(huán)境溫度下限制芯片溫度。充電電壓固定為4.2V,而充電電流可以通過一個外部電阻進行編程。

特性:

· 可編程充電電流高達600mA

· 過溫保護

· 欠壓鎖定保護

· 自動再充電閾值典型值為4.05V

· 充電狀態(tài)輸出引腳

· 2.9V涓流充電閾值

· 軟啟動限制浪涌電流

應(yīng)用:

· 無線電話

· MP3/MP4播放器

· 藍牙設(shè)備

    WS4508E是一款鋰離子電池充電器,適用于便攜式電子產(chǎn)品。其內(nèi)置MOSFET簡化了電路設(shè)計,降低了成本。其熱反饋機制確保了在各種環(huán)境下的安全充電。充電電壓固定為4.2V,電流可編程,至高600mA,適應(yīng)不同電池和充電需求。充電結(jié)束和電源移除時,自動進入低電流和關(guān)機模式,降低功耗。采用SOT-23-5L封裝,符合無鉛標準,適用于各種電子設(shè)備。提供可靠、高效的充電解決方案。如需更多信息,請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD5471X-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:FBP-02C。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WNM6001A

WPM3401-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝:SOT-23-3L。中文資料WILLSEMI韋爾WPM2006

    ESD5641DXX是一款專為保護電源接口設(shè)計的瞬態(tài)電壓抑制器。它非常適合用于替代便攜式電子產(chǎn)品中的多個離散組件。ESD5641DXX特別為USB端口設(shè)計,采用了具有更高浪涌能力的TVS二極管來保護USB電壓總線引腳。封裝與環(huán)保:ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封裝。標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

技術(shù)特性:

· 反向截止電壓:7.5V~15V

· 根據(jù)IEC61000-4-5標準的浪涌保護8/20μs

· 根據(jù)IEC61643-321標準的浪涌保護10/1000μs

· 低鉗位電壓

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域:

· 電源保護

· 電源管理

    ESD5641DXX瞬態(tài)電壓抑制器以其出色的浪涌保護能力和低鉗位電壓,為電源接口提供了可靠的防護。特別適合用于USB端口保護,其緊湊的封裝和環(huán)保特性使其成為便攜式電子產(chǎn)品的理想選擇。無論是在電源保護還是電源管理方面,ESD5641DXX都能提供出色的性能和可靠性。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WPM2006

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