ESD9X5VL是一款單向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),為可能遭受靜電放電(ESD)的敏感電子元件提供極高水平的保護。它被設計用于替代消費設備中的多層變阻器(MLV),適用于手機、筆記本電腦、平板電腦、機頂盒、液晶電視等設備。ESD9X5VL結合了一對極低電容轉向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準,它可用于提供高達±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受8/20μs脈沖的峰值電流高達4A。ESD9X5VL采用FBP-02C封裝,標準產(chǎn)品為無鉛、無鹵素。
特性:
· 截止電壓:5V
· 根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)為每條線路提供瞬態(tài)保護:±20kV(接觸和空氣放電)
· IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)
· IEC61000-4-5(浪涌):4A(8/20μs)
· 極低電容:CJ=1.2pF(典型值)
· 極低漏電流:IR<1nA(典型值)
· 低箝位電壓:VCL=18V(典型值)@IPP=16A(TLP)
· 固態(tài)硅技術
應用:
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3和HDMI1.4
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便攜式電子產(chǎn)品
· 筆記本電腦
ESD9X5VL是保護高速數(shù)據(jù)接口免受靜電放電損害的瞬態(tài)電壓抑制器。響應迅速,避免噪聲和干擾,高可靠且適用于便攜式設備。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 ESD54211N-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:WBFBP-02C-C。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WAS7222Q
RB521S30肖特基勢壘二極管
特性:小型表面貼裝類型、高可靠性低正向電壓、、無鉛器件
應用:低電流整流
介紹:
RB521S30是一款肖特基勢壘二極管,它具有一系列出色的特性,使其在各種應用中表現(xiàn)優(yōu)異。首先,其小型表面貼裝類型使得它在空間受限的環(huán)境中也能輕松安裝,同時確保了高效的熱量散發(fā)。其次,高可靠性確保了器件在長時間使用下仍能保持穩(wěn)定的性能,減少了維護和更換的頻率。
此外,低正向電壓是肖特基勢壘二極管的一個關鍵特性,它允許在較低的電壓下實現(xiàn)高效的整流功能。這一特性使得RB521S30在需要低電流整流的場合中表現(xiàn)出色,如某些電子設備中的電源管理部分。
值得注意的是,RB521S30是無鉛器件,符合現(xiàn)代環(huán)保標準。隨著全球?qū)Νh(huán)保意識的日益增強,無鉛器件已成為許多行業(yè)的首要選擇。這使得RB521S30在追求高性能的同時,也符合了環(huán)保要求。
總的來說,RB521S30肖特基勢壘二極管以其小型化、高可靠性、低正向電壓和無鉛環(huán)保等特性,成為低電流整流應用中的理想選擇。無論是電子設備制造商還是電路設計工程師,都能從中受益。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WPM3047WD1033E-5/TR DC-DC電源芯片 封裝:SOT-23-5L。
ESD5641DXX是一款專為保護電源接口設計的瞬態(tài)電壓抑制器。它非常適合用于替代便攜式電子產(chǎn)品中的多個離散組件。ESD5641DXX特別為USB端口設計,采用了具有更高浪涌能力的TVS二極管來保護USB電壓總線引腳。封裝與環(huán)保:ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封裝。標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。
技術特性:
· 反向截止電壓:7.5V~15V
· 根據(jù)IEC61000-4-5標準的浪涌保護8/20μs
· 根據(jù)IEC61643-321標準的浪涌保護10/1000μs
· 低鉗位電壓
· 固態(tài)硅技術
應用領域:
· 電源保護
· 電源管理
ESD5641DXX瞬態(tài)電壓抑制器以其出色的浪涌保護能力和低鉗位電壓,為電源接口提供了可靠的防護。特別適合用于USB端口保護,其緊湊的封裝和環(huán)保特性使其成為便攜式電子產(chǎn)品的理想選擇。無論是在電源保護還是電源管理方面,ESD5641DXX都能提供出色的性能和可靠性。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。
ESD5305F:四通道單向低電容瞬態(tài)電壓抑制器
產(chǎn)品描述:ESD5305F是一款專為保護高速數(shù)據(jù)接口設計的低電容瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列。它特別用于保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件,免受由靜電放電(ESD)引起的過應力影響。ESD5305F結合了四對低電容轉向二極管和一個TVS二極管,以提供各方面的瞬態(tài)保護。封裝與環(huán)保信息:ESD5305F采用SOT23-6L封裝,滿足無鉛和無鹵素環(huán)保要求。
產(chǎn)品特性:
反向截止電壓:5V
根據(jù)IEC61000-4-2標準,每條線路提供±30kV(接觸放電)的ESD保護
根據(jù)IEC61000-4-5標準,可承受高達6A(8/20μs)的峰值脈沖電流
低電容:CI/O-GND=0.65pF(典型值,Vcc=浮動狀態(tài));CI/O-GND=0.35pF(典型值,Vcc=5V)
極低泄漏電流:IR<1nA(典型值)
低鉗位電壓:VCL=16.5V@IPP=16A(TLP)
采用固態(tài)硅技術
應用領域:
USB2.0
HDMI1.3
SATA和eSATA
DVI
IEEE 1394
PCI Express
便攜式電子產(chǎn)品
筆記本電腦
關于ESD5305F 如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WMM7027ATSN1-4/TR MEMS麥克風(硅麥)封裝:LGA-4(1.9x2.8)。
WNM2030是一種N型增強型MOS場效應晶體管,采用先進的溝槽技術和設計,以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適合用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產(chǎn)品WNM2030為無鉛產(chǎn)品。小型SOT-723封裝。
主要特性:
· 溝槽技術
· 超高密度單元設計
· 優(yōu)異的開啟電阻
· 極低的閾值電壓
應用領域:
· DC/DC轉換器
· 電源轉換器電路
· 便攜式設備的負載/電源切換
WNM2030是專為現(xiàn)代電子系統(tǒng)電源管理設計的高性能MOS場效應晶體管。其RDS(ON)和低柵極電荷特性使其在DC-DC轉換、電源開關和充電電路中表現(xiàn)出色。采用先進溝槽技術,提供高密度和低功耗。快速開關操作適用于高頻電源管理。小型SOT-723封裝適合便攜式設備,且無鉛設計滿足環(huán)保要求。WNM2030為現(xiàn)代電源管理提供高效、可靠和環(huán)保的解決方案。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD5451NL-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:DFN1006-2L。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5471N
WSB5546N-2/TR 肖特基二極管 封裝:DFN1006-2L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WAS7222Q
ESD5304D是一個專為保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件免受靜電放電(ESD)引起的過應力而設計的極低電容瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列。它結合了四對極低電容轉向二極管和一個TVS二極管,旨在提供優(yōu)異的ESD保護。
特性:
· 截止電壓:5V
· 根據(jù)IEC61000-4-2標準的每線瞬態(tài)保護:±20kV(接觸放電)
· 根據(jù)IEC61000-4-4標準的EFT保護:40A(5/50ns)
· 根據(jù)IEC61000-4-5標準的浪涌保護:4A(8/20μs)
· 極低電容:CJ=0.4pF(典型值)
· 極低漏電流:IR<1nA(典型值)
· 低箝位電壓:VCL=14V(典型值)@IPP=16A(TLP)
· 固態(tài)硅技術
應用:
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便攜式電子產(chǎn)品
· 筆記本電腦
ESD5304D是專為高速數(shù)據(jù)接口設計的瞬態(tài)電壓抑制器,保護接口免受靜電放電和其他瞬態(tài)事件損害。利用先進固態(tài)硅技術,結合極低電容轉向二極管和TVS二極管,提供優(yōu)異保護。能承受±20kV接觸放電和其他瞬態(tài)事件。極低電容和漏電流不影響數(shù)據(jù)傳輸。適用于USB、HDMI、SATA等接口,是電子設備中的關鍵保護組件。小巧封裝且環(huán)保,易于集成。如需更多信息,請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WAS7222Q