SD5302F是一款專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)的極低電容TVS（瞬態(tài)電壓抑制器）陣列。它特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)線和傳輸線的敏感電子組件免受ESD（靜電放電）引起的過應(yīng)力影響。ESD5302F結(jié)合了兩對極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，它可用于提供高達(dá)±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5302F采用SOT-23封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

主要特性：

· 截止電壓：5V

· 每條線路均符合IEC61000-4-2（ESD）標(biāo)準(zhǔn)的瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸和空氣放電）

· 符合IEC61000-4-4（EFT）標(biāo)準(zhǔn)的瞬態(tài)保護(hù)：40A（5/50ns）

· 符合IEC61000-4-5（浪涌）標(biāo)準(zhǔn)的瞬態(tài)保護(hù)：4A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=0.4pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=20V@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

      ESD5302F保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口免受靜電放電等損害，確保信號完整性，承受力強(qiáng)。適合緊湊設(shè)備，環(huán)保。是高速數(shù)據(jù)接口的理想保護(hù)組件。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 WNM6002-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOT-323-3。中文資料WILLSEMI韋爾WPM1480

WNMD2171雙N溝道、20V、6.0A功率MOSFET

產(chǎn)品描述：

     WNMD2171是一款雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET場效應(yīng)晶體管。這款MOSFET的特殊設(shè)計(jì)使得在電路板上連接其漏極變得不必要，因?yàn)镸OSFET1和MOSFET2的漏極是內(nèi)部連接的。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供了出色的導(dǎo)通電阻（RSS(ON)）和低柵極電荷。這款器件專為鋰離子電池保護(hù)電路而設(shè)計(jì)。WNMD2171采用CSP-4L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNMD2171是無鉛和無鹵素的。小型CSP4L封裝。

產(chǎn)品特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 出色的導(dǎo)通電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 鋰離子電池保護(hù)電路

       WNMD2171是一款采用先進(jìn)技術(shù)的雙N溝道MOSFET，特別適用于鋰離子電池保護(hù)電路。其內(nèi)部連接的漏極設(shè)計(jì)簡化了電路布局，而優(yōu)異的導(dǎo)通電阻和極低的閾值電壓則提供了高效的電池管理。這款產(chǎn)品的小型CSP-4L封裝使其成為空間受限應(yīng)用中的理想選擇。此外，其無鉛和無鹵素的特點(diǎn)也符合現(xiàn)代環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WS3221C68WPM3021-8/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOP-8。

WD3139：高效38V升壓型白色LED驅(qū)動器

產(chǎn)品描述

     WD3139是一款恒定電流、高效率的LED驅(qū)動器。其內(nèi)部MOSFET可以驅(qū)動高達(dá)10個串聯(lián)的白色LED，電流限制為1.2A，過壓保護(hù)為38V?？梢詫⒚}沖寬度調(diào)制（PWM）信號應(yīng)用于EN引腳以實(shí)現(xiàn)LED調(diào)光。該設(shè)備以1MHz的固定開關(guān)頻率運(yùn)行，以減少輸出紋波、提高轉(zhuǎn)換效率，并允許使用小型外部組件。

   封裝與環(huán)保信息：WD3139采用TSOT-23-6L封裝，標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

產(chǎn)品特性：

輸入電壓范圍：2.7~5.5V

開路LED保護(hù)：38V（典型值）

參考電壓：200mV（±5%）

開關(guān)頻率：1MHz（典型值）

效率：高達(dá)92%

主開關(guān)電流限制：1.2A（典型值）

PWM調(diào)光頻率：5KHz至200KHzPWM

調(diào)光占空比：0.5%~100%

應(yīng)用領(lǐng)域：

智能手機(jī)

平板電腦

便攜式游戲機(jī)

    WD3139是一款專為串聯(lián)白色LED設(shè)計(jì)的高效驅(qū)動器。提供1.2A電流限制和38V過壓保護(hù)，確保LED穩(wěn)定安全。支持PWM調(diào)光，1MHz開關(guān)頻率提升轉(zhuǎn)換效率并減少輸出紋波。適用于智能手機(jī)、平板等便攜設(shè)備的LED背光或指示燈。小巧封裝且環(huán)保，是理想選擇。詳情請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

ESD5341N：單線、單向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器

     ESD5341N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它被特別用來保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，以防止由靜電放電（ESD）引起的過度壓力。ESD5341N包含一個低電容的轉(zhuǎn)向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，它可以提供高達(dá)±20kV（接觸放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5341N采用DFN1006-2L封裝，為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，無鉛且不含鹵素。

其主要特性包括：

· 截止電壓：5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸放電）

· 根據(jù)IEC61000-4-4（EFT）的瞬態(tài)保護(hù)：40A（5/50ns）

· 根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護(hù)：4A（8/20μs）

· 低電容：CJ=1.0pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=18V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域包括：

· USB接口

· HDMI接口

· DVI

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

      ESD5341N為高速數(shù)據(jù)接口提供了出色的靜電放電保護(hù)，特別適用于需要高數(shù)據(jù)傳輸速率和嚴(yán)格ESD防護(hù)的應(yīng)用。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系制造商。 WNM2016A-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOT-23-3。

WNM2021：單N溝道、20V、0.6A功率MOSFET

產(chǎn)品描述

    WNM2021是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2021為無鉛產(chǎn)品。小型SOT-323封裝

產(chǎn)品特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 出色的導(dǎo)通電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 電源轉(zhuǎn)換器電路

· 便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源切換

     WNM2021是一款高性能的N溝道功率MOSFET，具有出色的RDS(ON)和低柵極電荷。其先進(jìn)的溝槽技術(shù)和高密度單元設(shè)計(jì)使其在DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。極低的閾值電壓和小型SOT-323封裝使其成為便攜式設(shè)備負(fù)載/電源切換的理想選擇。此外，WNM2021作為無鉛產(chǎn)品，符合環(huán)保要求。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WL2803E33-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝：SOT-23-5L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WL2868C

WS742905M-8/TR 運(yùn)算放大器 封裝：MSOP-8。中文資料WILLSEMI韋爾WPM1480

WL2836E：低噪聲、高PSRR、高速CMOSLDO

產(chǎn)品描述：

      WL2836E系列是一款高精度、低噪聲、高速、高PSRR（電源抑制比）、低壓降CMOS線性穩(wěn)壓器，具有出色的抗紋波能力。這些器件為手機(jī)、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了具有成本效益的新一代性能。WL2836E具有隨輸出電壓變化的折返至高輸出電流，因此電流限制功能既作為短路保護(hù)，又作為輸出電流限制器。WL2836E穩(wěn)壓器采用標(biāo)準(zhǔn)的SOT-23-5L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

產(chǎn)品特性

· 輸入電壓范圍：1.4V~5.5V

· 輸出電壓范圍：0.8V~3.3V

· 輸出電流：300mA

· 靜態(tài)電流：50μATyp

· 關(guān)機(jī)電流：<1μA

· 壓降電壓：140mV@IOUT=0.3A

· PSRR：78dB@1kHz,VOUT=1.8V

· 低輸出電壓噪聲：20μVRMSTyp

· 輸出電壓容差：±2%@VOUT>2V

· 推薦電容器：1μF

· 熱過載和短路保護(hù)

應(yīng)用領(lǐng)域

· MP3/MP4播放器

· 手機(jī)、無線電話、數(shù)碼相機(jī)

· 藍(lán)牙、無線手持設(shè)備

· 其他便攜式電子設(shè)備

      WL2836E是高性能CMOS線性穩(wěn)壓器，專為低噪聲、高PSRR和高速性能的便攜式電子設(shè)備設(shè)計(jì)。寬輸入電壓范圍和可調(diào)輸出電壓使其應(yīng)用靈活。內(nèi)置折返至高輸出電流和電流限制功能，提供額外保護(hù)。緊湊SOT-23-5L封裝，無鉛無鹵素，滿足環(huán)保要求。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WPM1480