WS4601是一款具有極低導(dǎo)通電阻的P-MOSFET高側(cè)開關(guān)。集成的電流限制功能可以限制大電容負(fù)載、過載電流和短路電流的涌入，從而保護(hù)電源。WS4601還集成了反向保護(hù)功能，當(dāng)設(shè)備關(guān)閉時(shí)，可以消除開關(guān)上的任何反向電流流動(dòng)。設(shè)備關(guān)閉時(shí)，輸出自動(dòng)放電，使輸出電壓迅速關(guān)閉。熱關(guān)斷功能可以保護(hù)設(shè)備和負(fù)載。WS4601采用SOT-23-5L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品是無鉛且無鹵素的。

特性：

· 輸入電壓范圍：2.5~5.5V

· 主開關(guān)RON：80mΩ@VIN=5V

· 持續(xù)輸出電流：1.0A

· 電流限制閾值：1.5A（典型值）

· 電流限制精度：±20%

· 輸出短路電流：0.7A（典型值）

· 自動(dòng)放電反向阻斷（無“體二極管”）

· 過溫保護(hù)

應(yīng)用：

· USB外設(shè)USB Dongle

· USB 3G數(shù)據(jù)卡

· 3.3V或5V電源開關(guān)

· 3.3V或5V電源分配

    WS4601是一款專為現(xiàn)代電子設(shè)備設(shè)計(jì)的高性能高側(cè)開關(guān)。其極低導(dǎo)通電阻的P-MOSFET結(jié)構(gòu)使其在處理大電流時(shí)高效且節(jié)能。集成的電流限制功能保護(hù)電源免受過大電流損害，確保系統(tǒng)穩(wěn)定可靠。自動(dòng)放電功能和反向保護(hù)功能進(jìn)一步增強(qiáng)系統(tǒng)安全性。適用于USB外設(shè)、USB Dongle等需要高效電源管理的場合。無論3.3V還是5V系統(tǒng)，WS4601都提供出色的性能和保護(hù)機(jī)制，確保設(shè)備正常運(yùn)行。如需更多信息，請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WL2815D30-4/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝：UDFN-4-EP(1x1)。代理分銷商WILLSEMI韋爾WNM3051

RB521C30：肖特基勢壘二極管

· 重復(fù)峰值反向電壓 VRM 30 V

· 直流反向電壓 VR 30 V

· 平均整流正向電流 IO 100 mA

產(chǎn)品特性：

     100mA平均整流正向電流：RB521C30具有出色的電流處理能力，能夠處理高達(dá)100mA的平均整流正向電流，使其在需要穩(wěn)定電流處理的電路中表現(xiàn)出色。

    低正向電壓：肖特基勢壘二極管以其低正向電壓為特點(diǎn)，這意味著在正向偏置條件下，它需要的電壓較低，從而降低了功耗。

   低漏電流：RB521C30的漏電流非常低，這有助于在關(guān)閉或待機(jī)狀態(tài)下減少不必要的功耗。

   小型SOD-923封裝：這款二極管采用緊湊的SOD-923封裝，使其適合在空間受限的應(yīng)用中使用，如便攜式設(shè)備和小型電路板。

應(yīng)用領(lǐng)域：

     RB521C30肖特基勢壘二極管特別適合用于低電流整流應(yīng)用。在電路中，它能夠?qū)⒔涣餍盘?hào)轉(zhuǎn)換為直流信號(hào)，這對(duì)于許多電子設(shè)備來說都是至關(guān)重要的。由于其低正向電壓和低漏電流的特性，它特別適用于需要高效能和低功耗的場合，如電池供電的設(shè)備或需要長時(shí)間運(yùn)行的系統(tǒng)。此外，其緊湊的封裝形式也使得它成為空間受限應(yīng)用的理想選擇。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WNM03316DNESD5B5VL-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：SOD-523。

    WNM2030是一種N型增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2030為無鉛產(chǎn)品。小型SOT-723封裝。

主要特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 優(yōu)異的開啟電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 電源轉(zhuǎn)換器電路

· 便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源切換

   WNM2030是專為現(xiàn)代電子系統(tǒng)電源管理設(shè)計(jì)的高性能MOS場效應(yīng)晶體管。其RDS(ON)和低柵極電荷特性使其在DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路中表現(xiàn)出色。采用先進(jìn)溝槽技術(shù)，提供高密度和低功耗?？焖匍_關(guān)操作適用于高頻電源管理。小型SOT-723封裝適合便攜式設(shè)備，且無鉛設(shè)計(jì)滿足環(huán)保要求。WNM2030為現(xiàn)代電源管理提供高效、可靠和環(huán)保的解決方案。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。

    WL2801E系列是一款高精度、低噪聲、高速、低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器，具有優(yōu)異的紋波抑制能力。該系列為手機(jī)、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了經(jīng)濟(jì)高效的新一代性能。其電流限制器的折回電路不止作為短路保護(hù)，還在輸出引腳處作為輸出電流限制器。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

· 輸入電壓范圍：2.7V至5.5V

· 輸出電壓范圍：1.2V至3.3V

· 輸出電流：在輸出電壓小于2V時(shí)，典型值為200mA；在輸出電壓大于2V時(shí)，典型值為300mA。

· 電源抑制比（PSRR）：在217Hz時(shí)達(dá)到75dB

· 壓差電壓：在輸出電流為200mA時(shí)，壓差為170mV

· 靜態(tài)電流：典型值為70μA

· 關(guān)斷電流：小于0.1μA

· 推薦電容器：1uF

應(yīng)用領(lǐng)域：

· MP3/MP4播放器

· 手機(jī)和無線電話

· 數(shù)碼相機(jī)

· 藍(lán)牙和無線手持設(shè)備

· 其他便攜式電子設(shè)備

    WL2801E系列以其高精度、低噪聲和高效能的特點(diǎn)，為現(xiàn)代便攜式設(shè)備提供了理想的電源管理解決方案。無論是手機(jī)、筆記本電腦還是MP3播放器，它都能確保設(shè)備在長時(shí)間使用中保持出色的性能和穩(wěn)定的電力供應(yīng)。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WS742905S-8/TR 運(yùn)算放大器 封裝：SOP-8。

WNM6001：單N溝道、60V、0.50A功率MOSFET

產(chǎn)品描述：

     WNM6001是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用先進(jìn)的槽型技術(shù)和設(shè)計(jì)，以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM6001為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。

產(chǎn)品特性：

· 槽型技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 出色的ON電阻，適用于更高的直流電流

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 繼電器、電磁閥、電機(jī)、LED等的驅(qū)動(dòng)器

· DC-DC轉(zhuǎn)換器

· 電路電源開關(guān)

· 負(fù)載開關(guān)充電

       WNM6001是一款采用先進(jìn)槽型技術(shù)的N溝道MOSFET，專為高效能應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其出色的RDS(ON)和低柵極電荷使其成為DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路的理想選擇。此外，WNM6001的超高密度單元設(shè)計(jì)和極低的閾值電壓保證了在高直流電流下的高效運(yùn)行。這款器件的小型SOT-23封裝使其成為空間受限應(yīng)用中的理想選擇。無論是驅(qū)動(dòng)繼電器、電磁閥還是電機(jī)，或是為LED供電，WNM6001都能提供穩(wěn)定、高效的性能。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 ESD5681N07-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：X1-DFN1006-2。中文資料WILLSEMI韋爾WCR420N65TF

WPM3022-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOT-23。代理分銷商WILLSEMI韋爾WNM3051

ESD5471X1線雙向瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述：

     ESD5471X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。它特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態(tài)（EFT）和雷電引起的過應(yīng)力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，ESD5471X可用于提供高達(dá)±30kV（接觸和空氣放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)6A的峰值脈沖電流（8/20μs）。ESD5471X采用FBP-02C封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性：

反向截止電壓：±5V

根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）標(biāo)準(zhǔn)，每條線路的瞬態(tài)保護(hù)：±30kV（接觸和空氣放電）

IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

IEC61000-4-5（浪涌）：6A（8/20μs）

電容：CJ=9pF（典型值）

低漏電流

低鉗位電壓：VCL=12V（典型值）@IPP=16A（TLP）

固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域：

手機(jī)

平板電腦

筆記本電腦

其他便攜式設(shè)備

網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備

     ESD5471X是專為保護(hù)敏感電子組件設(shè)計(jì)的雙向瞬態(tài)電壓抑制器，能抵御靜電放電、電氣快速瞬態(tài)和雷電等過應(yīng)力。其優(yōu)越的保護(hù)能力和低漏電流特性使其成為手機(jī)、平板、筆記本等便攜式設(shè)備及網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備的理想保護(hù)元件。采用固態(tài)硅技術(shù)，既高性能又緊湊，方便集成。詳情請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WNM3051