WL2803E系列是一種采用CMOS工藝制造的低壓差線性穩(wěn)壓器,具有極低的壓降、低靜態(tài)電流和高電源抑制比(PSRR)等特點。在500mA的負(fù)載電流下,其壓降只有130mV(典型值)。這使得它在需要高輸出電流的消費(fèi)者和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中極具吸引力。
特性:
· 輸入電壓范圍:2.5V至5.5V
· 輸出電壓范圍:1.2V至3.3V,步長為0.1V
· 輸出電流:500mAPSRR(電源抑制比):在1KHz時為65dB
· 壓降電壓:在IOUT=0.5A時為130mV
· 輸出噪聲:100uV
· 靜態(tài)電流:典型值為150μA
此外,WL2803E系列還具備熱關(guān)斷(OTP)和電流限制功能,以確保在異常條件下芯片和電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性。同時,采用微調(diào)技術(shù)保證輸出電壓精度在±2%以內(nèi)。
應(yīng)用:
· LCD電視
· 機(jī)頂盒(STB)
· 計算機(jī)、圖形卡
· 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備
· 其他便攜式電子設(shè)備
WL2803E系列CMOSLDO為現(xiàn)代電子設(shè)備提供穩(wěn)定電源,具有極
低壓降、低靜態(tài)電流和高電源抑制比,有效減少電源噪聲干擾。寬輸出電壓范圍和微調(diào)技術(shù)滿足各種應(yīng)用需求,適用于LCD電視、機(jī)頂盒和計算機(jī)通信設(shè)備。緊湊封裝和環(huán)保設(shè)計使其易于集成。如需更多信息,請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WAS4766C-9/TR 模擬開關(guān) 封裝:WLCSP-9L。代理分銷商WILLSEMI韋爾WL2852K
ESD5471X1線雙向瞬態(tài)電壓抑制器
產(chǎn)品描述:
ESD5471X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)。它特別設(shè)計用于保護(hù)連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)、電氣快速瞬態(tài)(EFT)和雷電引起的過應(yīng)力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD5471X可用于提供高達(dá)±30kV(接觸和空氣放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)6A的峰值脈沖電流(8/20μs)。ESD5471X采用FBP-02C封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。
產(chǎn)品特性:
反向截止電壓:±5V
根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)標(biāo)準(zhǔn),每條線路的瞬態(tài)保護(hù):±30kV(接觸和空氣放電)
IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)
IEC61000-4-5(浪涌):6A(8/20μs)
電容:CJ=9pF(典型值)
低漏電流
低鉗位電壓:VCL=12V(典型值)@IPP=16A(TLP)
固態(tài)硅技術(shù)
應(yīng)用領(lǐng)域:
手機(jī)
平板電腦
筆記本電腦
其他便攜式設(shè)備
網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備
ESD5471X是專為保護(hù)敏感電子組件設(shè)計的雙向瞬態(tài)電壓抑制器,能抵御靜電放電、電氣快速瞬態(tài)和雷電等過應(yīng)力。其優(yōu)越的保護(hù)能力和低漏電流特性使其成為手機(jī)、平板、筆記本等便攜式設(shè)備及網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備的理想保護(hù)元件。采用固態(tài)硅技術(shù),既高性能又緊湊,方便集成。詳情請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WPMD2075ESD56201D12-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 封裝:DFN1610-2。
WS4612:60mΩ電流限制型電源分配開關(guān)
產(chǎn)品描述
WS4612是一款具有高側(cè)開關(guān)和極低導(dǎo)通電阻的P-MOSFET。其集成的電流限制功能可以限制大電容負(fù)載、過載電流和短路電流的涌入,從而保護(hù)電源。此外,WS4612還集成了反向保護(hù)功能,當(dāng)設(shè)備關(guān)閉時,可以消除開關(guān)上的任何反向電流流動。設(shè)備關(guān)閉時,輸出自動放電,使輸出電壓迅速關(guān)閉。熱關(guān)斷功能可以保護(hù)設(shè)備和負(fù)載。WS4612提供SOT-23-5L和TSOT-23-5L兩種封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。
產(chǎn)品特性
· 輸入電壓范圍:2.5-5.5V
· 主開關(guān)RON:60mΩ@VIN=5.0V
· 電流限制精度:±15%
· 調(diào)整電流限制范圍:0.1A-2.5A(典型值)
· 典型上升時間:600μS
· 靜態(tài)供電電流:26μA
· 欠壓鎖定
· 自動放電
· 反向阻斷(無“體二極管”)
· 過溫保護(hù)
應(yīng)用領(lǐng)域
· USB外設(shè)
· USB Dongle
· USB 3G數(shù)據(jù)卡
· 3.3V或5V電源開關(guān)
· 3.3V或5V電源分配
WS4612是功能豐富的電源分配開關(guān),專為現(xiàn)代電子設(shè)備電源管理和保護(hù)設(shè)計。極低導(dǎo)通電阻和集成電流限制功能,應(yīng)對高電容負(fù)載和短路情況。反向保護(hù)和自動放電功能增強(qiáng)安全性。適用于USB外設(shè)、數(shù)據(jù)卡和電源分配,確保設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行。緊湊封裝,環(huán)保無鉛無鹵素設(shè)計,易集成。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。
WNMD2171雙N溝道、20V、6.0A功率MOSFET
產(chǎn)品描述:
WNMD2171是一款雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET場效應(yīng)晶體管。這款MOSFET的特殊設(shè)計使得在電路板上連接其漏極變得不必要,因為MOSFET1和MOSFET2的漏極是內(nèi)部連接的。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計,提供了出色的導(dǎo)通電阻(RSS(ON))和低柵極電荷。這款器件專為鋰離子電池保護(hù)電路而設(shè)計。WNMD2171采用CSP-4L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNMD2171是無鉛和無鹵素的。小型CSP4L封裝。
產(chǎn)品特性:
· 溝槽技術(shù)
· 超高密度單元設(shè)計
· 出色的導(dǎo)通電阻
· 極低的閾值電壓
應(yīng)用領(lǐng)域:
· 鋰離子電池保護(hù)電路
WNMD2171是一款采用先進(jìn)技術(shù)的雙N溝道MOSFET,特別適用于鋰離子電池保護(hù)電路。其內(nèi)部連接的漏極設(shè)計簡化了電路布局,而優(yōu)異的導(dǎo)通電阻和極低的閾值電壓則提供了高效的電池管理。這款產(chǎn)品的小型CSP-4L封裝使其成為空間受限應(yīng)用中的理想選擇。此外,其無鉛和無鹵素的特點也符合現(xiàn)代環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WPM2019-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝:SOT-523-3。
WS4603E:可調(diào)電流限制、電源分配開關(guān)
描述
WS4603E是一款具有高側(cè)開關(guān)和低導(dǎo)通電阻P-MOSFET的開關(guān)。其集成的電流限制功能可以限制大電容負(fù)載、過載電流和短路電流的涌入,從而保護(hù)電源。此外,WS4603E還集成了反向保護(hù)功能,當(dāng)設(shè)備關(guān)閉時,可以消除開關(guān)上的任何反向電流流動。設(shè)備關(guān)閉時,輸出自動放電,使輸出電壓迅速關(guān)閉。熱關(guān)斷功能可以保護(hù)設(shè)備和負(fù)載。WS4603E采用SOT-23-5L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品無鉛且不含鹵素。
特性
1、輸入電壓范圍:2.5~5.5V
2、主開關(guān)RON:80mΩ@VIN=5V
3、調(diào)整電流限制范圍:0.4~2A(典型值)
4、電流限制精度:±20%
5、自動放電
6、反向阻斷(無“體二極管”)
7、過溫保護(hù)
應(yīng)用
· USB外設(shè)
· USB Dongle
· USB 3G數(shù)據(jù)卡
· 3.3V或5V電源開關(guān)
· 3.3V或5V電源分配
安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷,可以提供樣品供您測試。如有關(guān)于WS4603E的進(jìn)一步問題或需求,請隨時與我們聯(lián)系。我們期待與您合作,為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。 WNM4006-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝:SOT-23。代理分銷商WILLSEMI韋爾WL2852K
WPM2341A-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝:SOT-23。代理分銷商WILLSEMI韋爾WL2852K
WS3222是一款具有可調(diào)OVLO(過壓鎖定)閾值電壓的過壓保護(hù)(OVP)負(fù)載開關(guān)。當(dāng)輸入電壓超過閾值時,該設(shè)備將關(guān)閉內(nèi)部MOSFET,斷開輸入到輸出的連接,以保護(hù)負(fù)載。當(dāng)OVLO輸入設(shè)定低于外部OVLO選擇電壓時,WS3222會自動選擇內(nèi)部固定的OVLO閾值電壓。過壓保護(hù)閾值電壓可以通過外部電阻分壓器進(jìn)行調(diào)整,OVLO閾值電壓范圍為4V~15V。過熱保護(hù)(OTP)功能監(jiān)控芯片溫度,以保護(hù)設(shè)備。WS3222采用DFN2×2-8L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品無鉛且無鹵素。
特點:
· 輸入電壓:29V
· 導(dǎo)通電阻:45mΩ(典型值)
· 超快OVP響應(yīng)時間:450ns(典型值)
· 可調(diào)OVLO
· 閾值電壓:4V~15V
應(yīng)用:
· 手機(jī)和平板電腦
· 便攜式媒體播放器
· STB、OTT(機(jī)頂盒、互聯(lián)網(wǎng)電視)
· 汽車DVR、汽車媒體系統(tǒng)外設(shè)
WS3222是專為現(xiàn)代便攜設(shè)備設(shè)計的靈活高效過壓保護(hù)開關(guān)。其特色在于可調(diào)OVLO閾值,為不同應(yīng)用提供定制化保護(hù)。超快450納秒OVP響應(yīng)時間確保負(fù)載在瞬間過壓下得到保護(hù)。低導(dǎo)通電阻減少正常功耗。集成OTP功能增強(qiáng)可靠性。緊湊封裝適合空間受限應(yīng)用,符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。如需更多信息,請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WL2852K