ESD73011N：?jiǎn)尉€、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

     ESD73011N是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專(zhuān)為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別用來(lái)保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，以防止由靜電放電（ESD）引起的過(guò)度壓力。ESD73011N包含一個(gè)極低電容的轉(zhuǎn)向二極管對(duì)和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，它可以提供高達(dá)±20kV（接觸放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73011N采用DFN1006-2L封裝，為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，無(wú)鉛且不含鹵素。

其主要特性包括：

· 截止電壓：5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸放電）

· 根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護(hù)：5.5A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=0.40pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=9.5V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域包括：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

     ESD73011N為需要高速數(shù)據(jù)傳輸和嚴(yán)格ESD防護(hù)的應(yīng)用提供了出色的保護(hù)。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系制造商。 WL2803E30-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5。規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾WL2851K

ESD9B5VL：?jiǎn)尉€雙向瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述

     ESD9B5VL是一個(gè)雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。它特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件，免受由靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態(tài)（EFT）和雷電引起的過(guò)應(yīng)力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，ESD9B5VL可用于提供高達(dá)±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護(hù)，并可根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)3A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD9B5VL采用FBP-02C封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛和無(wú)鹵素。

產(chǎn)品特性

· 反向截止電壓：±5VMax

· 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線路

· 瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸和空氣放電）

· 根據(jù)IEC61000-4-4（EFT）的瞬態(tài)保護(hù)：20A（5/50ns）

· 根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護(hù)：3A（8/20μs）

· 電容：CJ=5.0pFtyp

· 低泄漏電流：IR<1nAtyp

· 低箝位電壓：VCL=13Vtyp.@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域

· 手機(jī)

· 平板電腦

· 筆記本電腦

· 其他便攜式設(shè)備

· 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備    

    ESD9B5VL是高效的瞬態(tài)電壓抑制器，保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電等瞬態(tài)事件影響。適用于手機(jī)、平板等便攜式設(shè)備，保護(hù)敏感電子組件。高保護(hù)能力、低泄漏和低箝位電壓，穩(wěn)定可靠。詳情請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾ESD56181W20ESD56301D05-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：DFN1610-2L。

    WNM2020是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，以在低柵極電荷下提供出色的RDS（ON）。這款器件非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2020是無(wú)鉛且無(wú)鹵素的。

    WNM2020是一款高性能的N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，專(zhuān)為高效率的電源管理應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其采用的先進(jìn)溝槽技術(shù)使得該晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)下具有很低的電阻（RDS（ON）），從而減少了功率損耗并提高了整體效率。同時(shí)，低柵極電荷使得該晶體管能夠快速響應(yīng)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，進(jìn)一步提高了開(kāi)關(guān)速度。這款晶體管非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器，其中高效率的電源開(kāi)關(guān)是至關(guān)重要的。

    此外，它還可以用于各種充電電路，如電池充電器和太陽(yáng)能充電器，以確保能量的有效轉(zhuǎn)換和利用。作為一款標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，WNM2020不僅具有出色的電性能，還符合環(huán)保要求，不含有鉛和鹵素等有害物質(zhì)。這使得它在各種環(huán)保法規(guī)日益嚴(yán)格的市場(chǎng)中具有廣的適用性?？傊?，WNM2020是一款高性能、高效率且環(huán)保的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，非常適合用于各種電源管理和充電應(yīng)用。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。

    ESD5641DXX是一款專(zhuān)為保護(hù)電源接口設(shè)計(jì)的瞬態(tài)電壓抑制器。它非常適合用于替代便攜式電子產(chǎn)品中的多個(gè)離散組件。ESD5641DXX特別為USB端口設(shè)計(jì)，采用了具有更高浪涌能力的TVS二極管來(lái)保護(hù)USB電壓總線引腳。封裝與環(huán)保：ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛和無(wú)鹵素。

技術(shù)特性：

· 反向截止電壓：7.5V~15V

· 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù)8/20μs

· 根據(jù)IEC61643-321標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù)10/1000μs

· 低鉗位電壓

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 電源保護(hù)

· 電源管理

    ESD5641DXX瞬態(tài)電壓抑制器以其出色的浪涌保護(hù)能力和低鉗位電壓，為電源接口提供了可靠的防護(hù)。特別適合用于USB端口保護(hù)，其緊湊的封裝和環(huán)保特性使其成為便攜式電子產(chǎn)品的理想選擇。無(wú)論是在電源保護(hù)還是電源管理方面，ESD5641DXX都能提供出色的性能和可靠性。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WL2851E33-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5L。

ESD5305F：四通道單向低電容瞬態(tài)電壓抑制器

      產(chǎn)品描述：ESD5305F是一款專(zhuān)為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)的低電容瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列。它特別用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件，免受由靜電放電（ESD）引起的過(guò)應(yīng)力影響。ESD5305F結(jié)合了四對(duì)低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管，以提供各方面的瞬態(tài)保護(hù)。封裝與環(huán)保信息：ESD5305F采用SOT23-6L封裝，滿足無(wú)鉛和無(wú)鹵素環(huán)保要求。

產(chǎn)品特性：

反向截止電壓：5V

根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，每條線路提供±30kV（接觸放電）的ESD保護(hù)

根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)，可承受高達(dá)6A（8/20μs）的峰值脈沖電流

低電容：CI/O-GND=0.65pF（典型值，Vcc=浮動(dòng)狀態(tài)）；CI/O-GND=0.35pF（典型值，Vcc=5V）

極低泄漏電流：IR<1nA（典型值）

低鉗位電壓：VCL=16.5V@IPP=16A（TLP）

采用固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域：

USB2.0

HDMI1.3

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便攜式電子產(chǎn)品

筆記本電腦

關(guān)于ESD5305F 如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WL2836D25-4/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝：UDFN-4-EP(1x1)。中文資料WILLSEMI韋爾ESD54105E

WPM2031-3/TR 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOT-723。規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾WL2851K

WAS4729QB：低導(dǎo)通電阻（0.8?）雙SPDT模擬開(kāi)關(guān)，具有負(fù)擺幅音頻功能

產(chǎn)品描述：

    WAS4729QB是一款高性能的雙單極雙擲（SPDT）模擬開(kāi)關(guān)，具有負(fù)擺幅音頻功能，其典型導(dǎo)通電阻Ron為0.8?（在3.6VVCC下）。該開(kāi)關(guān)在2.3V至5.5V的寬VCC范圍內(nèi)工作，并設(shè)計(jì)為先斷后通的操作模式。選擇輸入與TTL電平兼容。WAS4729QB還配備了智能電路，即使在控制電壓低于VCC電源電壓時(shí)，也能至小化VCC泄漏電流。這一特性非常適合移動(dòng)手機(jī)應(yīng)用，因?yàn)樗试S直接與基帶處理器的通用I/O接口，同時(shí)極大限度地減少電池消耗。換句話說(shuō)，在實(shí)際應(yīng)用中，無(wú)需額外的設(shè)備來(lái)將控制電平調(diào)整到與VCC相同。WAS4729QB采用QFN1418-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛且無(wú)鹵素。

產(chǎn)品特性

供電電壓：2.3V~5.5V

極低導(dǎo)通電阻：0.8?（在3.6V下）

高關(guān)斷隔離度：-81dB@1KHz

串?dāng)_抑制：-83dB@1KHz-3dB帶寬：80MHz

軌到軌信號(hào)范圍

先斷后通開(kāi)關(guān)

HBM JEDEC：JESD22-A114IO至GND：±8KV

電源至GND：±5KV

應(yīng)用領(lǐng)域

手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)和筆記本電腦

LCD顯示器、電視和機(jī)頂盒

音頻和視頻信號(hào)路由

     WAS4729QB是高性能模擬開(kāi)關(guān)，專(zhuān)為移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì)，適合音頻和視頻信號(hào)路由，性能優(yōu)越可靠。詳情請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾WL2851K