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代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD9N12BA

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-03-21

WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升壓轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品描述:

     WD3133是一款高效率、高功率的峰值電流模式升壓轉(zhuǎn)換器。內(nèi)部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET,小電流限制為1A。對于使用鋰離子電池的便攜式設(shè)備,WD3133可以從3.3V~5V的輸入電壓輸出典型的12V/200mA~300mA。這款升壓轉(zhuǎn)換器WD3133采用脈沖寬度調(diào)制(PWM)模式,固定開關(guān)頻率為1.2MHz,以減少輸出紋波并提高轉(zhuǎn)換效率。它還允許使用小型外部組件。在輕負(fù)載電流下,轉(zhuǎn)換器進(jìn)入跳過模式,以在絕大部分的負(fù)載電流范圍內(nèi)保持高效率。內(nèi)置的軟啟動(dòng)電路可以小化啟動(dòng)時(shí)的涌入電流。WD3133采用SOT-23-5L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性:

寬輸入電壓范圍:2.7V至5.5V1.25V(±2%)

高精度參考電壓1.2MHz開關(guān)頻率

高達(dá)93%的效率

超過1A(小值)的功率開關(guān)電流限制

從3.3V~5V的輸入提供典型的12V/200mA~300mA輸出

內(nèi)置軟啟動(dòng)


應(yīng)用領(lǐng)域:

智能手機(jī)

平板電腦

便攜式游戲機(jī)

平板電腦(PADs)

      WD3133是專為便攜式設(shè)備設(shè)計(jì)的高效升壓轉(zhuǎn)換器,1.2MHz開關(guān)頻率和寬輸入電壓范圍使其適用于多種場景,如智能手機(jī)、平板電腦和游戲機(jī)等。其軟啟動(dòng)電路和電流限制功能增強(qiáng)了安全性和可靠性,是電源管理的理想選擇。如需更多信息,請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD54231N-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:DFN1006-2L。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD9N12BA

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    ESD5641DXX是一款專為保護(hù)電源接口設(shè)計(jì)的瞬態(tài)電壓抑制器。它非常適合用于替代便攜式電子產(chǎn)品中的多個(gè)離散組件。ESD5641DXX特別為USB端口設(shè)計(jì),采用了具有更高浪涌能力的TVS二極管來保護(hù)USB電壓總線引腳。封裝與環(huán)保:ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

技術(shù)特性:

· 反向截止電壓:7.5V~15V

· 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù)8/20μs

· 根據(jù)IEC61643-321標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù)10/1000μs

· 低鉗位電壓

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域:

· 電源保護(hù)

· 電源管理

    ESD5641DXX瞬態(tài)電壓抑制器以其出色的浪涌保護(hù)能力和低鉗位電壓,為電源接口提供了可靠的防護(hù)。特別適合用于USB端口保護(hù),其緊湊的封裝和環(huán)保特性使其成為便攜式電子產(chǎn)品的理想選擇。無論是在電源保護(hù)還是電源管理方面,ESD5641DXX都能提供出色的性能和可靠性。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WCR380N65TGWAS7227Q-10/TR 模擬開關(guān)/多路復(fù)用器 封裝:WQFN-10(1.4x1.8)。

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WNM2021:單N溝道、20V、0.6A功率MOSFET

產(chǎn)品描述

    WNM2021是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì),提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2021為無鉛產(chǎn)品。小型SOT-323封裝

產(chǎn)品特性:

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 出色的導(dǎo)通電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域:

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 電源轉(zhuǎn)換器電路

· 便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源切換

     WNM2021是一款高性能的N溝道功率MOSFET,具有出色的RDS(ON)和低柵極電荷。其先進(jìn)的溝槽技術(shù)和高密度單元設(shè)計(jì)使其在DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。極低的閾值電壓和小型SOT-323封裝使其成為便攜式設(shè)備負(fù)載/電源切換的理想選擇。此外,WNM2021作為無鉛產(chǎn)品,符合環(huán)保要求。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

    WAS3157B是一款高性能的單刀雙擲(SPDT)CMOS模擬開關(guān),專為總線切換或音頻切換應(yīng)用設(shè)計(jì)。它具備高達(dá)400MHz的-3dB帶寬和低導(dǎo)通電阻(典型值為5.5Ω)。此外,其SEL引腳具有過壓保護(hù)功能,允許引腳上的電壓超過VCC,至高可達(dá)7.0V,而不會損壞部件或影響其操作,無論工作電壓如何。WAS3157B還配備了智能電路,以小化VCC泄漏電流,即使在SEL控制電壓低于VCC電源電壓時(shí)也是如此。簡而言之,在實(shí)際應(yīng)用中,無需額外的設(shè)備來使SEL電平與VCC電平保持一致。WAS3157B采用標(biāo)準(zhǔn)的SOT-363(SC-70-6L)封裝,標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

特性:

· 電源電壓:1.5~5.5V

· 導(dǎo)通電阻:在VCC=4.5V時(shí)為5.5Ω-3dB

· 帶寬:在CL=5pF時(shí)為400MHz

· 斷開隔離度:在10MHz時(shí)為-69dB

· 低靜態(tài)電流:<1uA

· 先斷后合功能ESD保護(hù):HBM為±8000V,MM為±600V

應(yīng)用領(lǐng)域:

· 手機(jī)

· MID(移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備)

· 其他便攜式設(shè)備

    WAS3157B是一款功能強(qiáng)大且易于集成的模擬開關(guān)解決方案,適用于需要高效、可靠的切換功能的各種便攜式設(shè)備。其優(yōu)異的性能和多種保護(hù)功能使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備中的理想選擇。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WL2803K33-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:SOT-89-5。

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    WL2803E系列是一種采用CMOS工藝制造的低壓差線性穩(wěn)壓器,具有極低的壓降、低靜態(tài)電流和高電源抑制比(PSRR)等特點(diǎn)。在500mA的負(fù)載電流下,其壓降只有130mV(典型值)。這使得它在需要高輸出電流的消費(fèi)者和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中極具吸引力。

特性:

· 輸入電壓范圍:2.5V至5.5V

· 輸出電壓范圍:1.2V至3.3V,步長為0.1V

· 輸出電流:500mAPSRR(電源抑制比):在1KHz時(shí)為65dB

· 壓降電壓:在IOUT=0.5A時(shí)為130mV

· 輸出噪聲:100uV

· 靜態(tài)電流:典型值為150μA

此外,WL2803E系列還具備熱關(guān)斷(OTP)和電流限制功能,以確保在異常條件下芯片和電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性。同時(shí),采用微調(diào)技術(shù)保證輸出電壓精度在±2%以內(nèi)。

應(yīng)用:

· LCD電視

· 機(jī)頂盒(STB)

· 計(jì)算機(jī)、圖形卡

· 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備

· 其他便攜式電子設(shè)備

    WL2803E系列CMOSLDO為現(xiàn)代電子設(shè)備提供穩(wěn)定電源,具有極

低壓降、低靜態(tài)電流和高電源抑制比,有效減少電源噪聲干擾。寬輸出電壓范圍和微調(diào)技術(shù)滿足各種應(yīng)用需求,適用于LCD電視、機(jī)頂盒和計(jì)算機(jī)通信設(shè)備。緊湊封裝和環(huán)保設(shè)計(jì)使其易于集成。如需更多信息,請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD73131CZ-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:DWN0603-2L。代理分銷商WILLSEMI韋爾SPD4200B

WL2836D33-4/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:UDFN-4-EP(1x1)。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD9N12BA

WPM3401:單P溝道、-30V、-4.6A功率MOSFET

     WPM3401是一種P溝道邏輯增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管,采用高單元密度、DMOS溝槽技術(shù)生產(chǎn)。這種高密度工藝特別定制于小化導(dǎo)通電阻。這些器件特別適合低電壓應(yīng)用、筆記本電腦的電源管理以及其他需要高側(cè)開關(guān)的電池供電電路。

其主要特性包括:

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度的單元設(shè)計(jì)

· 優(yōu)異的導(dǎo)通電阻,適用于更高的直流電流

· 小型SOT-23-3L封裝

應(yīng)用領(lǐng)域包括:

· 筆記本電腦的電源管理

· 便攜式設(shè)備

· 電池供電系統(tǒng)

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 負(fù)載開關(guān)

      WPM3401是一種高性能的功率MOSFET,專為需要高效、緊湊和可靠功率管理的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD9N12BA