WS4508E是一款針對單節(jié)鋰離子電池的完整恒流/恒壓線性充電器。其內(nèi)部采用MOSFET架構(gòu)，無需外部感測電阻和阻斷二極管。熱反饋機制可以調(diào)節(jié)充電電流，以在高功率操作或高環(huán)境溫度下限制芯片溫度。充電電壓固定為4.2V，而充電電流可以通過一個外部電阻進(jìn)行編程。

特性：

· 可編程充電電流高達(dá)600mA

· 過溫保護(hù)

· 欠壓鎖定保護(hù)

· 自動再充電閾值典型值為4.05V

· 充電狀態(tài)輸出引腳

· 2.9V涓流充電閾值

· 軟啟動限制浪涌電流

應(yīng)用：

· 無線電話

· MP3/MP4播放器

· 藍(lán)牙設(shè)備

    WS4508E是一款鋰離子電池充電器，適用于便攜式電子產(chǎn)品。其內(nèi)置MOSFET簡化了電路設(shè)計，降低了成本。其熱反饋機制確保了在各種環(huán)境下的安全充電。充電電壓固定為4.2V，電流可編程，至高600mA，適應(yīng)不同電池和充電需求。充電結(jié)束和電源移除時，自動進(jìn)入低電流和關(guān)機模式，降低功耗。采用SOT-23-5L封裝，符合無鉛標(biāo)準(zhǔn)，適用于各種電子設(shè)備。提供可靠、高效的充電解決方案。如需更多信息，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD5641D12-3/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：DFN-3L(2x2)。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WNMD2183

ESD5341N：單線、單向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器

     ESD5341N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它被特別用來保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，以防止由靜電放電（ESD）引起的過度壓力。ESD5341N包含一個低電容的轉(zhuǎn)向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，它可以提供高達(dá)±20kV（接觸放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5341N采用DFN1006-2L封裝，為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，無鉛且不含鹵素。

其主要特性包括：

· 截止電壓：5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸放電）

· 根據(jù)IEC61000-4-4（EFT）的瞬態(tài)保護(hù)：40A（5/50ns）

· 根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護(hù)：4A（8/20μs）

· 低電容：CJ=1.0pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=18V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域包括：

· USB接口

· HDMI接口

· DVI

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

      ESD5341N為高速數(shù)據(jù)接口提供了出色的靜電放電保護(hù)，特別適用于需要高數(shù)據(jù)傳輸速率和嚴(yán)格ESD防護(hù)的應(yīng)用。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系制造商。 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD73211NESD5341N-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。

    WAS3157B是一款高性能的單刀雙擲（SPDT）CMOS模擬開關(guān)，專為總線切換或音頻切換應(yīng)用設(shè)計。它具備高達(dá)400MHz的-3dB帶寬和低導(dǎo)通電阻（典型值為5.5Ω）。此外，其SEL引腳具有過壓保護(hù)功能，允許引腳上的電壓超過VCC，至高可達(dá)7.0V，而不會損壞部件或影響其操作，無論工作電壓如何。WAS3157B還配備了智能電路，以至小化VCC泄漏電流，即使在SEL控制電壓低于VCC電源電壓時也是如此。簡而言之，在實際應(yīng)用中，無需額外的設(shè)備來使SEL電平與VCC電平保持一致。WAS3157B采用標(biāo)準(zhǔn)的SOT-363(SC-70-6L)封裝，標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

特性：

· 電源電壓：1.5~5.5V

· 導(dǎo)通電阻：在VCC=4.5V時為5.5Ω-3dB

· 帶寬：在CL=5pF時為400MHz

· 斷開隔離度：在10MHz時為-69dB

· 低靜態(tài)電流：<1uA

· 先斷后合功能ESD保護(hù)：HBM為±8000V，MM為±600V

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 手機

· MID（移動互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備）

· 其他便攜式設(shè)備

    WAS3157B是一款功能強大且易于集成的模擬開關(guān)解決方案，適用于需要高效、可靠的切換功能的各種便攜式設(shè)備。其優(yōu)異的性能和多種保護(hù)功能使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備中的理想選擇。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

    WNM2020是一款N溝道增強型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計，以在低柵極電荷下提供出色的RDS（ON）。這款器件非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2020是無鉛且無鹵素的。

    WNM2020是一款高性能的N溝道MOS場效應(yīng)晶體管，專為高效率的電源管理應(yīng)用而設(shè)計。其采用的先進(jìn)溝槽技術(shù)使得該晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)下具有很低的電阻（RDS（ON）），從而減少了功率損耗并提高了整體效率。同時，低柵極電荷使得該晶體管能夠快速響應(yīng)柵極驅(qū)動信號，進(jìn)一步提高了開關(guān)速度。這款晶體管非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器，其中高效率的電源開關(guān)是至關(guān)重要的。

    此外，它還可以用于各種充電電路，如電池充電器和太陽能充電器，以確保能量的有效轉(zhuǎn)換和利用。作為一款標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，WNM2020不僅具有出色的電性能，還符合環(huán)保要求，不含有鉛和鹵素等有害物質(zhì)。這使得它在各種環(huán)保法規(guī)日益嚴(yán)格的市場中具有廣的適用性。總之，WNM2020是一款高性能、高效率且環(huán)保的N溝道增強型MOS場效應(yīng)晶體管，非常適合用于各種電源管理和充電應(yīng)用。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WAS4766C-9/TR 模擬開關(guān) 封裝：WLCSP-9L。

WL2815低功耗CMOSLDO（低壓差線性穩(wěn)壓器）

產(chǎn)品描述：

     WL2815系列是一款低壓差線性穩(wěn)壓器，專為電池供電系統(tǒng)提供高性能解決方案，以實現(xiàn)低靜態(tài)電流。這些器件為手機、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了新的成本效益性能水平。WL2815系列設(shè)計用于使用低成本陶瓷電容器，確保輸出電流的穩(wěn)定性，提高效率，從而延長這些便攜式設(shè)備的電池壽命。WL2815穩(wěn)壓器采用DFN1x1-4L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性：

靜態(tài)電流：1.5μA（典型值）

輸入電壓：2.1V~5.5V

輸出電壓：1.1V~3.3V

輸出電流：@VOUT=3.3V時為300mA

輸出電流：@VOUT=2.0V時為200mA

輸出電流：@VOUT=1.5V時為150mA

壓差電壓：@100mA時為100mV

推薦電容器：1uF或更大

工作溫度：-40°C至+85°C

輸出短路保護(hù)

應(yīng)用領(lǐng)域：

MP3/MP4播放器

手機

藍(lán)牙耳機

無線鼠標(biāo)

其他電子設(shè)備

    WL2815是專為便攜式設(shè)備設(shè)計的低功耗CMOS穩(wěn)壓器，性能優(yōu)異，低靜態(tài)電流，高效能，延長電池壽命。優(yōu)化設(shè)計，使用低成本陶瓷電容器，在多種應(yīng)用中提供穩(wěn)定輸出。適用于MP3/MP4播放器、手機、藍(lán)牙耳機等。緊湊封裝，符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)，是現(xiàn)代電子設(shè)備的理想選擇。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WL2836D25-4/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝：UDFN-4-EP(1x1)。代理分銷商WILLSEMI韋爾SPD84201C

WPM3401-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOT-23-3L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WNMD2183

ESD5311Z單線、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述

     ESD5311Z是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它特別針對連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，以防止因靜電放電（ESD）而產(chǎn)生的過應(yīng)力。ESD5311Z包含一個極低電容的轉(zhuǎn)向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，ESD5311Z可用于提供高達(dá)±20kV（接觸放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5311Z采用DFN0603-2L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性

截止電壓：5V

每條線路根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸放電）

根據(jù)IEC61000-4-4（EFT）標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行瞬態(tài)保護(hù)：40A（5/50ns）

根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行瞬態(tài)保護(hù)：4A（8/20μs）

極低電容：CJ=0.25pF（典型值）

極低漏電流：IR<1nA（典型值）

低鉗位電壓：VCL=21V（典型值）@IPP=16A（TLP）

應(yīng)用領(lǐng)域

USB2.0和USB3.0

HDMI1.3和HDMI1.4

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便攜式電子設(shè)備

筆記本電腦 

     ESD5311Z專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計，極低電容，出色保護(hù)，防止靜電放電損害。適用于USB、HDMI等接口，保護(hù)敏感組件。緊湊封裝，適合便攜式設(shè)備。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WNMD2183