鋰金屬電池生產(chǎn)線解析
米開羅那鋰金屬固態(tài)電池成套實(shí)驗(yàn)線正式向客戶交付
?專為固態(tài)電池研發(fā)|米開羅那正式推出鋰金屬全固態(tài)電池實(shí)驗(yàn)線
鋰銅復(fù)合帶負(fù)極制片機(jī):鋰銅負(fù)極制片的好幫手
米開羅那出席第五屆中國(guó)固態(tài)電池技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用研討會(huì)
米開羅那(東莞)工業(yè)智能科技有限公司在香港城市大學(xué)-復(fù)旦大學(xué)
新能源鋰電設(shè)備維護(hù)管理:延長(zhǎng)設(shè)備使用壽命的技巧
新能源鋰電設(shè)備的技術(shù)前沿:探索未來電池制造的發(fā)展方向
鋰電池全套設(shè)備運(yùn)行與維護(hù):優(yōu)化設(shè)備性能的實(shí)用技巧-工業(yè)鋰電池
鋰電池自動(dòng)組裝設(shè)備:實(shí)現(xiàn)高精度與高穩(wěn)定性生產(chǎn)的必備條件
ESD9B5VL:?jiǎn)尉€雙向瞬態(tài)電壓抑制器
產(chǎn)品描述
ESD9B5VL是一個(gè)雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)。它特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件,免受由靜電放電(ESD)、電氣快速瞬態(tài)(EFT)和雷電引起的過應(yīng)力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD9B5VL可用于提供高達(dá)±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護(hù),并可根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)3A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD9B5VL采用FBP-02C封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。
產(chǎn)品特性
· 反向截止電壓:±5VMax
· 根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線路
· 瞬態(tài)保護(hù):±20kV(接觸和空氣放電)
· 根據(jù)IEC61000-4-4(EFT)的瞬態(tài)保護(hù):20A(5/50ns)
· 根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護(hù):3A(8/20μs)
· 電容:CJ=5.0pFtyp
· 低泄漏電流:IR<1nAtyp
· 低箝位電壓:VCL=13Vtyp.@IPP=16A(TLP)
· 固態(tài)硅技術(shù)
應(yīng)用領(lǐng)域
· 手機(jī)
· 平板電腦
· 筆記本電腦
· 其他便攜式設(shè)備
· 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備
ESD9B5VL是高效的瞬態(tài)電壓抑制器,保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電等瞬態(tài)事件影響。適用于手機(jī)、平板等便攜式設(shè)備,保護(hù)敏感電子組件。高保護(hù)能力、低泄漏和低箝位電壓,穩(wěn)定可靠。詳情請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WPM3022-3/TR 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 封裝:SOT-23。代理分銷商WILLSEMI韋爾WL2855K
ESD5311N:?jiǎn)尉€、雙向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器。
ESD5311N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別針對(duì)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,以防止由靜電放電(ESD)引起的過度壓力。其內(nèi)部包含一個(gè)低電容的轉(zhuǎn)向二極管對(duì)和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),它可以提供高達(dá)±20kV(接觸放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。采用DFN1006-2L封裝,為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品,無鉛且不含鹵素。
其主要特性包括:截止電壓:5V,根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線瞬態(tài)保護(hù):±20kV(接觸放電),根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護(hù):4A(8/20μs),低電容:CJ = 0.25pF(典型值),低漏電流:IR < 1nA(典型值),低箝位電壓:VCL = 21V(典型值)@ IPP = 16A(TLP),固態(tài)硅技。
應(yīng)用領(lǐng)域包括:USB 2.0和USB 3.0,HDMI 1.3和HDMI 1.4,SATA和eSATA,DVI,IEEE 1394,PCI Express,便攜式電子設(shè)備,筆記本電腦。
ESD5311N為高速數(shù)據(jù)接口提供了出色的靜電放電保護(hù),適用于高數(shù)據(jù)傳輸和嚴(yán)格ESD防護(hù)應(yīng)用。如有進(jìn)一步問題或需求,請(qǐng)隨時(shí)與我們聯(lián)系。我們期待與您合作,為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WS4683CESD56151W05-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:SOD-323。
WNM2016A:N溝道增強(qiáng)型MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管
產(chǎn)品描述:
WNM2016A它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì),以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。該器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2016A為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。
產(chǎn)品特性:
· 溝槽技術(shù)
· 超高密度單元
· 設(shè)計(jì)出色的ON電阻
· 極低的閾值電壓
應(yīng)用領(lǐng)域:
· DC/DC轉(zhuǎn)換器
· 電源轉(zhuǎn)換器
· 電路便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源開關(guān)
WNM2016A是一款高性能的N溝道MOSFET,專為現(xiàn)代電子設(shè)備中的高效能量轉(zhuǎn)換和開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其獨(dú)特的溝槽技術(shù)和高密度單元設(shè)計(jì)提供了優(yōu)越的電氣性能,包括低RDS(ON)和低柵極電荷,從而實(shí)現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換和減少熱量損失。此外,極低的閾值電壓和SOT-23小型封裝使其成為便攜式設(shè)備中的理想選擇,因?yàn)樗饶軌蛱峁?qiáng)大的性能,又能夠節(jié)省空間。無論是DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源轉(zhuǎn)換器電路,還是便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源開關(guān),WNM2016A都是一個(gè)出色的選擇,能夠確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和高效能量管理。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。
WS72551和WS72552系列放大器具有極低的偏移、漂移和偏置電流。其中,WS72551是單放大器,WS72552是雙放大器,分別具有軌到軌的輸入和輸出擺動(dòng)。所有放大器都保證在2.5V至5V的單電源下工作。72551/72552提供了之前只在昂貴的自動(dòng)調(diào)零或斬波穩(wěn)定放大器中才能找到的優(yōu)勢(shì)。這些新型零漂移放大器結(jié)合了低成本和高精度,并且不需要外部電容器。規(guī)格72551/72552適用于擴(kuò)展的工業(yè)/汽車溫度范圍(-40°C至+125°C)。封裝72551:MSOP-8 SOIC8和SOT23-5L。72552:MSOP-8 SOIC8。
技術(shù)特性:偏移電壓只有3μV,漂移為0.008μV/°C,使WS72551/WS72552非常適合于無法容忍誤差源的應(yīng)用。溫度、位置和壓力傳感器、醫(yī)療設(shè)備和應(yīng)變計(jì)放大器在其工作溫度范圍內(nèi)幾乎無漂移,因此受益匪淺。WS72551/WS72552提供的軌到軌輸入和輸出擺動(dòng)使得高側(cè)和低側(cè)感測(cè)都變得容易。
應(yīng)用領(lǐng)域:
溫度傳感器
壓力傳感器
精密電流感測(cè)
應(yīng)變計(jì)放大器
醫(yī)療儀器
熱電偶放大器
WS72551/WS72552系列零漂移放大器具備極低偏移和漂移、高精度以及軌到軌輸入輸出擺動(dòng)等特性,適用于溫度、壓力、電流感測(cè)等多種應(yīng)用,為工程師提供高精度測(cè)量解決方案。緊湊封裝使其成為空間受限應(yīng)用的理想選擇。如需更多信息,請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WS7802DE-6/TR 模擬開關(guān)/多路復(fù)用器 封裝:DFN-6L(1.1x0.7)。
WS3202E:過壓和過流保護(hù)IC
產(chǎn)品描述:
WS3202E是一款集過壓保護(hù)(OVP)和過流保護(hù)(OCP)功能于一體的保護(hù)設(shè)備。當(dāng)輸入電壓或輸入電流超過閾值時(shí),該設(shè)備會(huì)關(guān)閉內(nèi)部MOSFET,斷開IN到OUT的連接,以保護(hù)負(fù)載。此外,過溫保護(hù)(OTP)功能會(huì)監(jiān)控芯片溫度,確保設(shè)備安全。封裝形式:SOT-23-6L
產(chǎn)品特性:
· 高壓技術(shù)
· 輸入電壓:25V
· 輸出上電時(shí)間:8ms(典型值)
· OVP閾值:6.1V(典型值)
· OVP響應(yīng)時(shí)間:<1us
· OCP閾值:2A(最小值)
· 輸出放電功能
應(yīng)用領(lǐng)域:
· GPS設(shè)備
· PMP(便攜式媒體播放器)
· MID(移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備)
· PAD(平板電腦)
· 數(shù)碼相機(jī)
· 數(shù)字?jǐn)z像機(jī)
WS3202E是一款功能強(qiáng)大的過壓和過流保護(hù)IC,為電子設(shè)備提供了雙重安全保障。其高壓技術(shù)、快速響應(yīng)時(shí)間和靈活的輸出放電功能使其在各種應(yīng)用場(chǎng)合中表現(xiàn)出色,特別適用于需要高穩(wěn)定性和可靠性的電子設(shè)備,如GPS、PMP、MID、PAD以及數(shù)碼相機(jī)和攝像機(jī)等。WS3202E采用SOT-23-6L封裝,方便集成到各種電路板中,同時(shí)其無鉛和無鹵素特性也符合環(huán)保要求。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 ESD5451NL-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:DFN1006-2L。中文資料WILLSEMI韋爾WAS7227Q
ESDA6V8AV5-5/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:SOT-553。代理分銷商WILLSEMI韋爾WL2855K
ESD5311Z單線、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器
產(chǎn)品描述
ESD5311Z是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別針對(duì)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,以防止因靜電放電(ESD)而產(chǎn)生的過應(yīng)力。ESD5311Z包含一個(gè)極低電容的轉(zhuǎn)向二極管對(duì)和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD5311Z可用于提供高達(dá)±20kV(接觸放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5311Z采用DFN0603-2L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。
產(chǎn)品特性
截止電壓:5V
每條線路根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行瞬態(tài)保護(hù):±20kV(接觸放電)
根據(jù)IEC61000-4-4(EFT)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行瞬態(tài)保護(hù):40A(5/50ns)
根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行瞬態(tài)保護(hù):4A(8/20μs)
極低電容:CJ=0.25pF(典型值)
極低漏電流:IR<1nA(典型值)
低鉗位電壓:VCL=21V(典型值)@IPP=16A(TLP)
應(yīng)用領(lǐng)域
USB2.0和USB3.0
HDMI1.3和HDMI1.4
SATA和eSATA
DVI
IEEE 1394
PCI Express
便攜式電子設(shè)備
筆記本電腦
ESD5311Z專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì),極低電容,出色保護(hù),防止靜電放電損害。適用于USB、HDMI等接口,保護(hù)敏感組件。緊湊封裝,適合便攜式設(shè)備。詳情查閱手冊(cè)或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WL2855K