WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升壓轉換器

產(chǎn)品描述：

     WD3133是一款高效率、高功率的峰值電流模式升壓轉換器。內部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET，至小電流限制為1A。對于使用鋰離子電池的便攜式設備，WD3133可以從3.3V~5V的輸入電壓輸出典型的12V/200mA~300mA。這款升壓轉換器WD3133采用脈沖寬度調制（PWM）模式，固定開關頻率為1.2MHz，以減少輸出紋波并提高轉換效率。它還允許使用小型外部組件。在輕負載電流下，轉換器進入跳過模式，以在絕大部分的負載電流范圍內保持高效率。內置的軟啟動電路可以至小化啟動時的涌入電流。WD3133采用SOT-23-5L封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性：

寬輸入電壓范圍：2.7V至5.5V1.25V（±2%）

高精度參考電壓1.2MHz開關頻率

高達93%的效率

超過1A（至小值）的功率開關電流限制

從3.3V~5V的輸入提供典型的12V/200mA~300mA輸出

內置軟啟動

應用領域：

智能手機

平板電腦

便攜式游戲機

平板電腦（PADs）

      WD3133是專為便攜式設備設計的高效升壓轉換器，1.2MHz開關頻率和寬輸入電壓范圍使其適用于多種場景，如智能手機、平板電腦和游戲機等。其軟啟動電路和電流限制功能增強了安全性和可靠性，是電源管理的理想選擇。如需更多信息，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 SPD9811B-2/TR 半導體放電管（TSS）封裝：SMB。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WCR190N65TF

    WS3222是一款具有可調OVLO（過壓鎖定）閾值電壓的過壓保護(OVP)負載開關。當輸入電壓超過閾值時，該設備將關閉內部MOSFET，斷開輸入到輸出的連接，以保護負載。當OVLO輸入設定低于外部OVLO選擇電壓時，WS3222會自動選擇內部固定的OVLO閾值電壓。過壓保護閾值電壓可以通過外部電阻分壓器進行調整，OVLO閾值電壓范圍為4V~15V。過熱保護(OTP)功能監(jiān)控芯片溫度，以保護設備。WS3222采用DFN2×2-8L封裝。標準產(chǎn)品無鉛且無鹵素。

特點：

· 輸入電壓：29V

· 導通電阻：45mΩ（典型值）

· 超快OVP響應時間：450ns（典型值）

· 可調OVLO

· 閾值電壓：4V~15V

應用：

· 手機和平板電腦

· 便攜式媒體播放器

· STB、OTT（機頂盒、互聯(lián)網(wǎng)電視）

· 汽車DVR、汽車媒體系統(tǒng)外設

    WS3222是專為現(xiàn)代便攜設備設計的靈活高效過壓保護開關。其特色在于可調OVLO閾值，為不同應用提供定制化保護。超快450納秒OVP響應時間確保負載在瞬間過壓下得到保護。低導通電阻減少正常功耗。集成OTP功能增強可靠性。緊湊封裝適合空間受限應用，符合環(huán)保標準。如需更多信息，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WD10256CWD3139F-6/TR LED驅動 封裝：TSOT-23-6。

ES9DN12BA瞬態(tài)電壓抑制器

    ES9DN12BA是一款瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬變（EFT）和雷電等過應力影響而設計。封裝與環(huán)保特性：DFN1006-2L封裝：緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無鉛和無鹵素：符合環(huán)保要求，適用于對無鉛和無鹵素有需求的場合。

特性：

· 截止電壓：±12V。

· 按照IEC61000-4-2標準的ESD保護：±30kV（接觸放電）

· 按照IEC61000-4-5標準的浪涌保護：5.5A（8/20μs）

· 典型電容：CJ=27pF

· 極低泄漏電流：IR=0.1nA

· 低鉗位電壓：在IPP=16A（TLP）時，VCL=20V。

· 固態(tài)硅技術：確保器件性能穩(wěn)定和長壽命。

應用：

· 計算機及其外設：如鍵盤、鼠標、顯示器等。

· 手機

· 便攜式電子設備

· 筆記本電腦

    ES9DN12BA是一款高效、可靠的瞬態(tài)電壓抑制器，專為保護敏感電子元件免受靜電和電氣瞬變的影響而設計。其優(yōu)異的保護能力、緊湊的封裝和環(huán)保特性使其成為各種電子設備制造商的理想選擇。無論是計算機、手機還是便攜式電子設備，ES9DN12BA都能提供強大的保護，確保設備的穩(wěn)定性和可靠性。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

    ESD5431N是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬變（EFT）和雷電等過應力影響而設計。封裝與環(huán)保特性：DFN1006-2L封裝：緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無鉛和無鹵素：符合環(huán)保要求，適用于對無鉛和無鹵素有需求的場合。

特性：

· 截止電壓：±3.3V

· 根據(jù)IEC61000-4-2標準，提供±30kV（接觸放電）的ESD保護

· 根據(jù)IEC61000-4-4標準，提供40A（5/50ns）的EFT保護

· 根據(jù)IEC61000-4-5標準，提供10A（8/20μs）的浪涌保護

· 電容：典型值為17.5pF

· 低泄漏電流：典型值為1nA

· 低鉗位電壓：在脈沖電流為16A（TLP）時，典型值為8V。

· 固態(tài)硅技術

應用：

· 手機

· 計算機和外設：為計算機主板、顯示器、鍵盤等

· 微處理器

· 電源線

· 便攜式電子設備

· 筆記本電腦

    ESD5431N是專為保護電子元件免受靜電、電氣瞬變等過應力而設計的高性能雙向瞬態(tài)電壓抑制器。其瞬態(tài)保護出色，封裝緊湊，環(huán)保特性強，廣泛應用于手機、計算機和便攜式設備，確保設備穩(wěn)定運行和數(shù)據(jù)安全。如需詳細信息，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 SPD9105W-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：SOD-323。

    ESD5311X是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設計。它特別用于保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）引起的過應力影響。ESD5311X包含一個極低電容的轉向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準，ESD5311X可提供高達±20kV（接觸放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準，能承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5311X采用WBFBP-02C-C封裝，為標準無鉛且無鹵素產(chǎn)品。

主要特性：

截止電壓：5V

根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態(tài)保護：±20kV（接觸放電）

根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護：4A（8/20μs）

極低電容：CJ=0.25pF（典型值）

極低漏電流：IR<1nA（典型值）

低鉗位電壓：VCL=22V（典型值）@IPP=16A（TLP）

固態(tài)硅技術

應用領域：

USB2.0和USB3.0

HDMI1.3和HDMI1.4

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便攜式電子設備

筆記本電腦

    ESD5311X是一款專為高速數(shù)據(jù)接口設計的瞬態(tài)電壓抑制器，可承受高達±20kV的靜電放電和4A的峰值脈沖電流，保護電子組件免受損害。適用于USB、HDMI、SATA等接口，確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆€(wěn)定性。緊湊、環(huán)保，廣泛應用于便攜式設備和筆記本電腦。如需更多信息，請查閱手冊或聯(lián)系我們。 WNM3003-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：SOT-23。中文資料WILLSEMI韋爾WD10256C

ESD9N12BA-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WCR190N65TF

     SD5302F是一款專為保護高速數(shù)據(jù)接口設計的極低電容TVS（瞬態(tài)電壓抑制器）陣列。它特別設計用于保護連接到數(shù)據(jù)線和傳輸線的敏感電子組件免受ESD（靜電放電）引起的過應力影響。ESD5302F結合了兩對極低電容轉向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準，它可用于提供高達±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5302F采用SOT-23封裝。標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

主要特性：

· 截止電壓：5V

· 每條線路均符合IEC61000-4-2（ESD）標準的瞬態(tài)保護：±20kV（接觸和空氣放電）

· 符合IEC61000-4-4（EFT）標準的瞬態(tài)保護：40A（5/50ns）

· 符合IEC61000-4-5（浪涌）標準的瞬態(tài)保護：4A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=0.4pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=20V@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術

應用領域：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子設備

· 筆記本電腦

      ESD5302F保護高速數(shù)據(jù)接口免受靜電放電等損害，確保信號完整性，承受力強。適合緊湊設備，環(huán)保。是高速數(shù)據(jù)接口的理想保護組件。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WCR190N65TF