WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升壓轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品描述：

     WD3133是一款高效率、高功率的峰值電流模式升壓轉(zhuǎn)換器。內(nèi)部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET，至小電流限制為1A。對于使用鋰離子電池的便攜式設(shè)備，WD3133可以從3.3V~5V的輸入電壓輸出典型的12V/200mA~300mA。這款升壓轉(zhuǎn)換器WD3133采用脈沖寬度調(diào)制（PWM）模式，固定開關(guān)頻率為1.2MHz，以減少輸出紋波并提高轉(zhuǎn)換效率。它還允許使用小型外部組件。在輕負(fù)載電流下，轉(zhuǎn)換器進(jìn)入跳過模式，以在絕大部分的負(fù)載電流范圍內(nèi)保持高效率。內(nèi)置的軟啟動電路可以至小化啟動時的涌入電流。WD3133采用SOT-23-5L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性：

寬輸入電壓范圍：2.7V至5.5V1.25V（±2%）

高精度參考電壓1.2MHz開關(guān)頻率

高達(dá)93%的效率

超過1A（至小值）的功率開關(guān)電流限制

從3.3V~5V的輸入提供典型的12V/200mA~300mA輸出

內(nèi)置軟啟動

應(yīng)用領(lǐng)域：

智能手機

平板電腦

便攜式游戲機

平板電腦（PADs）

      WD3133是專為便攜式設(shè)備設(shè)計的高效升壓轉(zhuǎn)換器，1.2MHz開關(guān)頻率和寬輸入電壓范圍使其適用于多種場景，如智能手機、平板電腦和游戲機等。其軟啟動電路和電流限制功能增強了安全性和可靠性，是電源管理的理想選擇。如需更多信息，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD73131CZ-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：DWN0603-2L。中文資料WILLSEMI韋爾ESD56241D15

ESD5301N：低電容單線單向瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述：

      ESD5301N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它特別用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）引起的過度應(yīng)力影響。

      包含一對低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，它可以提供高達(dá)±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。

      采用DFN1006-2L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性：

 1、截止電壓：5V

 2、根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線路瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸和空氣放電）

 3、 IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

 4、 IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）

 5、低電容：CJ=0.4pFtyp.

 6、低漏電流：IR<1nAtyp.

 7、低鉗位電壓：VCL=14.5Vtyp.@IPP=16A(TLP)

 8、固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域：

 1、USB2.0和USB3.0

 2、HDMI1.3和HDMI1.4

 3、SATA和eSATA

 4、DVI

 5、IEEE1394

 6、PCIExpress

 7、便攜式電子產(chǎn)品和筆記本電腦

安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD5301N這款TVS，并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或技術(shù)支持，請隨時聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WNM3400WL2836E08-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝：SOT-23-5L。

WL2803E：極低壓差、500mA、CMOSLDO（低壓差線性穩(wěn)壓器

產(chǎn)品描述

     WL2803E系列是一款具有極低壓差、低靜態(tài)電流和高電源抑制比（PSRR）的CMOSLDO。在500mA負(fù)載電流下，其壓差電壓典型值為130mV。由于采用CMOS結(jié)構(gòu)，WL2803E在整個輸入電壓范圍內(nèi)的靜態(tài)電流典型值為150μA，使其成為需要高輸出電流的消費者和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的理想選擇。

     WL2803E系列提供從1.2V到3.3V的寬輸出電壓范圍版本，步長為0.1V。WL2803E系列還提供了過熱保護(hù)（OTP）和限流功能，以確保在錯誤條件下芯片和電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性，并使用微調(diào)技術(shù)保證輸出電壓精度在±2%以內(nèi)。

    封裝與環(huán)保信息：WL2803E穩(wěn)壓器采用SOT-23-5L封裝，并符合無鉛和無鹵素環(huán)保要求。

產(chǎn)品特性

輸入電壓：2.5V~5.5V

輸出電壓：1.2V~3.3V

輸出電流：500mA

PSRR：65dB@1KHz

壓差電壓：130mV@IOUT=0.5A

輸出噪聲：100uV

靜態(tài)電流：150μA（典型值）

應(yīng)用領(lǐng)域

LCD電視

機頂盒（STB）

計算機和圖形卡

網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備

其他便攜式電子設(shè)備  

      WL2803E是一款高性能LDO，壓差低、PSRR高、靜態(tài)電流低。適用于消費電子產(chǎn)品和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用，輸出電壓準(zhǔn)確穩(wěn)定。具備過熱保護(hù)和限流功能，增強可靠性。您如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

WS3202E：過壓和過流保護(hù)IC

產(chǎn)品描述：

WS3202E是一款集過壓保護(hù)（OVP）和過流保護(hù)（OCP）功能于一體的保護(hù)設(shè)備。當(dāng)輸入電壓或輸入電流超過閾值時，該設(shè)備會關(guān)閉內(nèi)部MOSFET，斷開IN到OUT的連接，以保護(hù)負(fù)載。此外，過溫保護(hù)（OTP）功能會監(jiān)控芯片溫度，確保設(shè)備安全。封裝形式：SOT-23-6L

產(chǎn)品特性：

· 高壓技術(shù)

· 輸入電壓：25V

· 輸出上電時間：8ms（典型值）

· OVP閾值：6.1V（典型值）

· OVP響應(yīng)時間：<1us

· OCP閾值：2A（最小值）

· 輸出放電功能

應(yīng)用領(lǐng)域：

· GPS設(shè)備

· PMP（便攜式媒體播放器）

· MID（移動互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備）

· PAD（平板電腦）

· 數(shù)碼相機

· 數(shù)字?jǐn)z像機

     WS3202E是一款功能強大的過壓和過流保護(hù)IC，為電子設(shè)備提供了雙重安全保障。其高壓技術(shù)、快速響應(yīng)時間和靈活的輸出放電功能使其在各種應(yīng)用場合中表現(xiàn)出色，特別適用于需要高穩(wěn)定性和可靠性的電子設(shè)備，如GPS、PMP、MID、PAD以及數(shù)碼相機和攝像機等。WS3202E采用SOT-23-6L封裝，方便集成到各種電路板中，同時其無鉛和無鹵素特性也符合環(huán)保要求。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WNM3008-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOT-23。

WNM2021：單N溝道、20V、0.6A功率MOSFET

產(chǎn)品描述

    WNM2021是一款N溝道增強型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2021為無鉛產(chǎn)品。小型SOT-323封裝

產(chǎn)品特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計

· 出色的導(dǎo)通電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 電源轉(zhuǎn)換器電路

· 便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源切換

     WNM2021是一款高性能的N溝道功率MOSFET，具有出色的RDS(ON)和低柵極電荷。其先進(jìn)的溝槽技術(shù)和高密度單元設(shè)計使其在DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。極低的閾值電壓和小型SOT-323封裝使其成為便攜式設(shè)備負(fù)載/電源切換的理想選擇。此外，WNM2021作為無鉛產(chǎn)品，符合環(huán)保要求。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WS742905M-8/TR 運算放大器 封裝：MSOP-8。中文資料WILLSEMI韋爾WMM7040DTFN0-8/TR

ESD9D5U-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：SOD-923。中文資料WILLSEMI韋爾ESD56241D15

ESD73011N：單線、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

     ESD73011N是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它特別用來保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，以防止由靜電放電（ESD）引起的過度壓力。ESD73011N包含一個極低電容的轉(zhuǎn)向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，它可以提供高達(dá)±20kV（接觸放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73011N采用DFN1006-2L封裝，為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，無鉛且不含鹵素。

其主要特性包括：

· 截止電壓：5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸放電）

· 根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護(hù)：5.5A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=0.40pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=9.5V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域包括：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

     ESD73011N為需要高速數(shù)據(jù)傳輸和嚴(yán)格ESD防護(hù)的應(yīng)用提供了出色的保護(hù)。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系制造商。 中文資料WILLSEMI韋爾ESD56241D15