鋰金屬電池生產(chǎn)線解析
米開羅那鋰金屬固態(tài)電池成套實驗線正式向客戶交付
?專為固態(tài)電池研發(fā)|米開羅那正式推出鋰金屬全固態(tài)電池實驗線
鋰銅復(fù)合帶負(fù)極制片機(jī):鋰銅負(fù)極制片的好幫手
米開羅那出席第五屆中國固態(tài)電池技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用研討會
米開羅那(東莞)工業(yè)智能科技有限公司在香港城市大學(xué)-復(fù)旦大學(xué)
新能源鋰電設(shè)備維護(hù)管理:延長設(shè)備使用壽命的技巧
新能源鋰電設(shè)備的技術(shù)前沿:探索未來電池制造的發(fā)展方向
鋰電池全套設(shè)備運(yùn)行與維護(hù):優(yōu)化設(shè)備性能的實用技巧-工業(yè)鋰電池
鋰電池自動組裝設(shè)備:實現(xiàn)高精度與高穩(wěn)定性生產(chǎn)的必備條件
ESD5451N:雙向瞬態(tài)電壓保護(hù)神
ESD5451N是一款高效的雙向瞬態(tài)電壓抑制器,專為保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態(tài)電壓侵害而設(shè)計。它能承受高達(dá)±30kV的接觸和空氣放電,以及峰值脈沖電流達(dá)8A(8/20μs),為低速數(shù)據(jù)線和控制線提供強(qiáng)大的保護(hù)
這款抑制器采用DFN1006-2L封裝,具有無鉛和無鹵素等環(huán)保特性。其反向截止電壓為±5VMax,電容典型值為17.5pF,漏電流極低,典型值小于1nA。此外,其低鉗位電壓特性使其在電流脈沖下仍能保持穩(wěn)定的電壓輸出。
ESD5451N適用于多種應(yīng)用場景,包括手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦等便攜式設(shè)備,以及網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備等。其出色的瞬態(tài)電壓抑制能力和穩(wěn)定性,為電子設(shè)備提供了可靠的保障。
安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷,可以提供樣品供您測試。如有關(guān)于ESD5451N的進(jìn)一步問題或需求,請隨時與我們聯(lián)系。我們期待與您合作,為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。 WNM3003-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝:SOT-23。中文資料WILLSEMI韋爾WL2817DA
ESDA6V8AV6靜電放電(ESD)保護(hù)的瞬態(tài)電壓抑制器
產(chǎn)品描述:
ESDA6V8AV6是一款五線路的ESD瞬態(tài)電壓抑制器,為可能受到靜電放電(ESD)影響的敏感電子組件提供了極高的保護(hù)水平。對于正瞬態(tài),這些設(shè)備將電壓鉗制在邏輯電平供電之上;對于負(fù)瞬態(tài),則鉗制在低于地的二極管壓降。ESDA6V8AV6能夠安全地消散±20kV的ESD沖擊,超過了IEC61000-4-2國際標(biāo)準(zhǔn)的至高上限要求。使用MILSTD-883(方法3015)中的人體模型(HBM)ESD規(guī)格,該設(shè)備為大于±16kV的接觸放電提供了保護(hù)。ESDA6V8AV6采用SOT-563SMT封裝,工作電壓為5伏特。
規(guī)格特性:
· 工作峰值反向電壓:5V
· 低漏電流:<1uA@3V
· 高ESD保護(hù)水平:每HBM>20kV
· IEC61000-4-2四級ESD保護(hù)
· IEC61000-4-4四級EFT保護(hù)
· 五種單獨(dú)的單向配置
機(jī)械特性:
· 無空洞、轉(zhuǎn)移模制、熱固性塑料外殼
· 耐腐蝕表面,易于焊接
應(yīng)用領(lǐng)域:
· 手機(jī)和配件
· 個人數(shù)字助理(PDA)
· 筆記本電腦、臺式機(jī)和服務(wù)器
· 便攜式儀器
· 數(shù)碼相機(jī)
· 外設(shè)MP3播放器
ESDA6V8AV6是五線路ESD保護(hù)器,保護(hù)電子組件免受靜電放電影響。具有強(qiáng)ESD保護(hù)和低漏電流,能承受±20kV沖擊。符合電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn),適用于手機(jī)、筆記本等便攜式設(shè)備。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WS4633CWL2836E08-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5L。
WS3202E:過壓和過流保護(hù)IC
產(chǎn)品描述:
WS3202E是一款集過壓保護(hù)(OVP)和過流保護(hù)(OCP)功能于一體的保護(hù)設(shè)備。當(dāng)輸入電壓或輸入電流超過閾值時,該設(shè)備會關(guān)閉內(nèi)部MOSFET,斷開IN到OUT的連接,以保護(hù)負(fù)載。此外,過溫保護(hù)(OTP)功能會監(jiān)控芯片溫度,確保設(shè)備安全。封裝形式:SOT-23-6L
產(chǎn)品特性:
· 高壓技術(shù)
· 輸入電壓:25V
· 輸出上電時間:8ms(典型值)
· OVP閾值:6.1V(典型值)
· OVP響應(yīng)時間:<1us
· OCP閾值:2A(最小值)
· 輸出放電功能
應(yīng)用領(lǐng)域:
· GPS設(shè)備
· PMP(便攜式媒體播放器)
· MID(移動互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備)
· PAD(平板電腦)
· 數(shù)碼相機(jī)
· 數(shù)字?jǐn)z像機(jī)
WS3202E是一款功能強(qiáng)大的過壓和過流保護(hù)IC,為電子設(shè)備提供了雙重安全保障。其高壓技術(shù)、快速響應(yīng)時間和靈活的輸出放電功能使其在各種應(yīng)用場合中表現(xiàn)出色,特別適用于需要高穩(wěn)定性和可靠性的電子設(shè)備,如GPS、PMP、MID、PAD以及數(shù)碼相機(jī)和攝像機(jī)等。WS3202E采用SOT-23-6L封裝,方便集成到各種電路板中,同時其無鉛和無鹵素特性也符合環(huán)保要求。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。
ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器
產(chǎn)品描述:
ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列,專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它被特別設(shè)計用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件,免受靜電放電(ESD)引起的過度應(yīng)力。ESD73034D結(jié)合了四對極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD73034D可用于提供高達(dá)±10kV(接觸放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)5.5A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。
產(chǎn)品特性:
· 截止電壓:±3.3VMax
· 根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線路瞬態(tài)保護(hù):±10kV(接觸放電)
· 根據(jù)IEC61000-4-4(EFT)的瞬態(tài)保護(hù):40A(5/50ns)
· 根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護(hù):5.5A(8/20μs)
· 極低電容:CJ=0.2pFtyp
· 低漏電流低箝位電壓:VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)
· 固態(tài)硅技術(shù)
應(yīng)用領(lǐng)域:
· USB3.0和USB3.1
· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0
· 便攜式電子設(shè)備
· 筆記本電腦
ESD73034D是專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計的瞬態(tài)電壓抑制器,保護(hù)敏感元件免受靜電放電損害。適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設(shè)備。緊湊、環(huán)保。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WD1033E-5/TR DC-DC電源芯片 封裝:SOT-23-5L。
WPM1481:單P溝道、-12V、-5.1A功率MOSFET
產(chǎn)品描述:
WPM1481是一款P溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計,以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WPM1481為無鉛產(chǎn)品。小型DFN2*2-6L封裝。
產(chǎn)品特性:
· 溝槽技術(shù)
· 超高密度單元設(shè)計
· 出色的導(dǎo)通電阻
· 適用于更高的直流電流
· 極低的閾值電壓
應(yīng)用領(lǐng)域:
· 繼電器、電磁閥、電機(jī)、LED等的驅(qū)動器
· DC-DC轉(zhuǎn)換電路
· 電源開關(guān)
· 負(fù)載開關(guān)
· 充電應(yīng)用
WPM1481是一款高性能的P溝道功率MOSFET,專為高電流應(yīng)用而設(shè)計。其出色的RDS(ON)和極低的閾值電壓使其成為DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路的理想選擇。同時,其小型DFN2*2-6L封裝使得它在空間受限的應(yīng)用中也能發(fā)揮出色。WPM1481作為無鉛產(chǎn)品,還符合環(huán)保要求。無論是用于驅(qū)動繼電器、電磁閥、電機(jī)還是LED,WPM1481都能提供可靠且高效的性能。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WL2815D30-4/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:UDFN-4-EP(1x1)。代理分銷商WILLSEMI韋爾WPM03137E
ESD5344D-10/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:DFN2510-10。中文資料WILLSEMI韋爾WL2817DA
BL1551B是一款模擬開關(guān),具體地說:它是一個單通道、高帶寬的單刀雙擲(SPDT)模擬開關(guān)。這種開關(guān)特別適用于數(shù)據(jù)和音頻信號的切換。
以下是BL1551B的主要特性和優(yōu)勢:
高帶寬:BL1551B具有高達(dá)350MHz的帶寬,這使得它能夠處理高速信號切換,滿足許多高速應(yīng)用的需求。
低導(dǎo)通電阻:在5V工作電壓下,其導(dǎo)通電阻為2.7Ω,這有助于減少信號在開關(guān)過程中的損失,保證信號的完整性。
高效的隔離度:在1MHz的頻率下,BL1551B的隔離度達(dá)到-84dB,這意味著在開關(guān)處于關(guān)閉狀態(tài)時,信號泄漏非常小,從而確保了良好的信號隔離效果。
寬工作電壓范圍:BL1551B的工作電壓范圍從1.8V到5.5V,這意味著它可以在多種不同的電壓環(huán)境下工作,為設(shè)計者提供了更大的靈活性。
此外,BL1551B的封裝類型為SC-70-6,這有助于實現(xiàn)緊湊的電路設(shè)計和高效的熱性能。在實際應(yīng)用中,BL1551B可廣泛應(yīng)用于移動電話、便攜式電子設(shè)備等領(lǐng)域。其出色的性能參數(shù)和廣泛的應(yīng)用范圍使得BL1551B在市場上具有一定的競爭力。
安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷,我們非常榮幸能為您推薦BL1551B這款模擬開關(guān),并提供樣品供您測試,如需更多信息或支持,請隨時聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WL2817DA