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中文資料WILLSEMI韋爾WD3136E

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-03-30

WNM2021:?jiǎn)蜰溝道、20V、0.6A功率MOSFET

產(chǎn)品描述

    WNM2021是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì),提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2021為無(wú)鉛產(chǎn)品。小型SOT-323封裝

產(chǎn)品特性:

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 出色的導(dǎo)通電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域:

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 電源轉(zhuǎn)換器電路

· 便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源切換

     WNM2021是一款高性能的N溝道功率MOSFET,具有出色的RDS(ON)和低柵極電荷。其先進(jìn)的溝槽技術(shù)和高密度單元設(shè)計(jì)使其在DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。極低的閾值電壓和小型SOT-323封裝使其成為便攜式設(shè)備負(fù)載/電源切換的理想選擇。此外,WNM2021作為無(wú)鉛產(chǎn)品,符合環(huán)保要求。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 ESD56301D05-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:DFN1610-2L。中文資料WILLSEMI韋爾WD3136E

中文資料WILLSEMI韋爾WD3136E,WILLSEMI韋爾

WPM3401:?jiǎn)蜳溝道、-30V、-4.6A功率MOSFET

     WPM3401是一種P溝道邏輯增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管,采用高單元密度、DMOS溝槽技術(shù)生產(chǎn)。這種高密度工藝特別定制于小化導(dǎo)通電阻。這些器件特別適合低電壓應(yīng)用、筆記本電腦的電源管理以及其他需要高側(cè)開(kāi)關(guān)的電池供電電路。

其主要特性包括:

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度的單元設(shè)計(jì)

· 優(yōu)異的導(dǎo)通電阻,適用于更高的直流電流

· 小型SOT-23-3L封裝

應(yīng)用領(lǐng)域包括:

· 筆記本電腦的電源管理

· 便攜式設(shè)備

· 電池供電系統(tǒng)

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 負(fù)載開(kāi)關(guān)

      WPM3401是一種高性能的功率MOSFET,專為需要高效、緊湊和可靠功率管理的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5302VWS3202E61-6/TR 過(guò)壓過(guò)電流保護(hù)IC 監(jiān)控和復(fù)位芯片 封裝:SOT-23-6L。

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WSB5546N-肖特基勢(shì)壘二極管

特性:

· 低反向電流

· 0.2A平均整流正向電流

· 無(wú)鉛和無(wú)鹵素:WSB5546N是一款環(huán)保產(chǎn)品,不含鉛和鹵素。

· 快速開(kāi)關(guān)和低正向電壓降

· 反向阻斷

應(yīng)用:

· 電源管理

· 信號(hào)處理

· 電子設(shè)備保護(hù)

    總之,WSB5546N是一款具有低反向電流、0.2A平均整流正向電流以及無(wú)鉛無(wú)鹵素環(huán)保特性的肖特基勢(shì)壘二極管。它為各種應(yīng)用提供了高效、可靠且環(huán)保的解決方案WSB5546N是一款肖特基勢(shì)壘二極管,具有一些明顯的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。肖特基勢(shì)壘二極管是一種特殊的二極管類型,它結(jié)合了肖特基二極管和勢(shì)壘二極管的優(yōu)點(diǎn)。肖特基二極管具有快速開(kāi)關(guān)能力和低正向電壓降,而勢(shì)壘二極管則具有出色的反向阻斷能力。因此,WSB5546N結(jié)合了這些特點(diǎn),提供了一種高效、可靠且環(huán)保的解決方案。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。

    ESD5304D是一個(gè)專為保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件免受靜電放電(ESD)引起的過(guò)應(yīng)力而設(shè)計(jì)的極低電容瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列。它結(jié)合了四對(duì)極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管,旨在提供優(yōu)異的ESD保護(hù)。

特性:

· 截止電壓:5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的每線瞬態(tài)保護(hù):±20kV(接觸放電)

· 根據(jù)IEC61000-4-4標(biāo)準(zhǔn)的EFT保護(hù):40A(5/50ns)

· 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù):4A(8/20μs)

· 極低電容:CJ=0.4pF(典型值)

· 極低漏電流:IR<1nA(典型值)

· 低箝位電壓:VCL=14V(典型值)@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用:

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子產(chǎn)品

· 筆記本電腦

    ESD5304D是專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)的瞬態(tài)電壓抑制器,保護(hù)接口免受靜電放電和其他瞬態(tài)事件損害。利用先進(jìn)固態(tài)硅技術(shù),結(jié)合極低電容轉(zhuǎn)向二極管和TVS二極管,提供優(yōu)異保護(hù)。能承受±20kV接觸放電和其他瞬態(tài)事件。極低電容和漏電流不影響數(shù)據(jù)傳輸。適用于USB、HDMI、SATA等接口,是電子設(shè)備中的關(guān)鍵保護(hù)組件。小巧封裝且環(huán)保,易于集成。如需更多信息,請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WS742133H-14/TR 音頻功率放大器 封裝:TSSOP-14。

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ESD5305F:四通道單向低電容瞬態(tài)電壓抑制器

      產(chǎn)品描述:ESD5305F是一款專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)的低電容瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列。它特別用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件,免受由靜電放電(ESD)引起的過(guò)應(yīng)力影響。ESD5305F結(jié)合了四對(duì)低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管,以提供各方面的瞬態(tài)保護(hù)。封裝與環(huán)保信息:ESD5305F采用SOT23-6L封裝,滿足無(wú)鉛和無(wú)鹵素環(huán)保要求。

產(chǎn)品特性:

反向截止電壓:5V

根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),每條線路提供±30kV(接觸放電)的ESD保護(hù)

根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn),可承受高達(dá)6A(8/20μs)的峰值脈沖電流

低電容:CI/O-GND=0.65pF(典型值,Vcc=浮動(dòng)狀態(tài));CI/O-GND=0.35pF(典型值,Vcc=5V)

極低泄漏電流:IR<1nA(典型值)

低鉗位電壓:VCL=16.5V@IPP=16A(TLP)

采用固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域:

USB2.0

HDMI1.3

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便攜式電子產(chǎn)品

筆記本電腦

關(guān)于ESD5305F 如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WS4665D-8/TR 功率電子開(kāi)關(guān) 封裝:WDFN-8(2x2)。代理分銷商WILLSEMI韋爾WD3136E

WS72552M-8/TR 運(yùn)算放大器 封裝:MSOP-8。中文資料WILLSEMI韋爾WD3136E

    WL2803E系列是一款極低壓差、低靜態(tài)電流、高電源抑制比(PSRR)的CMOS低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)。在500mA負(fù)載電流下,其壓差電壓典型值為130mV。采用CMOS結(jié)構(gòu),WL2803E在整個(gè)輸入電壓范圍內(nèi)的靜態(tài)電流典型值為150μA,這使得它對(duì)于要求高輸出電流的消費(fèi)者、網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用具有吸引力。WL2803E系列提供了從1.2V到3.3V的寬輸出電壓范圍版本,步長(zhǎng)為0.1V。WL2803E系列提供了過(guò)熱保護(hù)(OTP)和電流限制功能,以確保芯片和電源系統(tǒng)在錯(cuò)誤條件下的穩(wěn)定性,并采用微調(diào)技術(shù)保證輸出電壓精度在±2%以內(nèi)。WL2803E穩(wěn)壓器采用SOT-23-5L封裝,為標(biāo)準(zhǔn)無(wú)鉛且無(wú)鹵素產(chǎn)品。

主要特性:

· 輸入電壓范圍:2.5V至5.5V

· 輸出電壓范圍:1.2V至3.3V

· 輸出電流:500mA

· PSRR:在1KHz時(shí)為65dB

· 壓差電壓:在IOUT=0.5A時(shí)為130mV

· 輸出噪聲:100μV

· 靜態(tài)電流:典型值為150μA

應(yīng)用領(lǐng)域:

· 液晶電視(LCD TV)

· 機(jī)頂盒(STB)

· 計(jì)算機(jī)、顯卡

· 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備

· 其他便攜式電子設(shè)備

    WL2803E系列適用于電源管理,具有極低壓差、低電流和高PSRR特性,確保靈活和準(zhǔn)確的電壓輸出。緊湊環(huán)保,易于集成,適用于多種電子設(shè)備。提供穩(wěn)定電源輸出。詳情查閱手冊(cè)或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WD3136E