鋰金屬電池生產(chǎn)線解析
米開羅那鋰金屬固態(tài)電池成套實驗線正式向客戶交付
?專為固態(tài)電池研發(fā)|米開羅那正式推出鋰金屬全固態(tài)電池實驗線
鋰銅復(fù)合帶負(fù)極制片機(jī):鋰銅負(fù)極制片的好幫手
米開羅那出席第五屆中國固態(tài)電池技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用研討會
米開羅那(東莞)工業(yè)智能科技有限公司在香港城市大學(xué)-復(fù)旦大學(xué)
新能源鋰電設(shè)備維護(hù)管理:延長設(shè)備使用壽命的技巧
新能源鋰電設(shè)備的技術(shù)前沿:探索未來電池制造的發(fā)展方向
鋰電池全套設(shè)備運(yùn)行與維護(hù):優(yōu)化設(shè)備性能的實用技巧-工業(yè)鋰電池
鋰電池自動組裝設(shè)備:實現(xiàn)高精度與高穩(wěn)定性生產(chǎn)的必備條件
WPM1481:單P溝道、-12V、-5.1A功率MOSFET
產(chǎn)品描述:
WPM1481是一款P溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計,以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WPM1481為無鉛產(chǎn)品。小型DFN2*2-6L封裝。
產(chǎn)品特性:
· 溝槽技術(shù)
· 超高密度單元設(shè)計
· 出色的導(dǎo)通電阻
· 適用于更高的直流電流
· 極低的閾值電壓
應(yīng)用領(lǐng)域:
· 繼電器、電磁閥、電機(jī)、LED等的驅(qū)動器
· DC-DC轉(zhuǎn)換電路
· 電源開關(guān)
· 負(fù)載開關(guān)
· 充電應(yīng)用
WPM1481是一款高性能的P溝道功率MOSFET,專為高電流應(yīng)用而設(shè)計。其出色的RDS(ON)和極低的閾值電壓使其成為DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路的理想選擇。同時,其小型DFN2*2-6L封裝使得它在空間受限的應(yīng)用中也能發(fā)揮出色。WPM1481作為無鉛產(chǎn)品,還符合環(huán)保要求。無論是用于驅(qū)動繼電器、電磁閥、電機(jī)還是LED,WPM1481都能提供可靠且高效的性能。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD5451X-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:FBP-02C。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WNMD2154A
WNM2016A:N溝道增強(qiáng)型MOSFET場效應(yīng)晶體管
產(chǎn)品描述:
WNM2016A它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計,以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。該器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2016A為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。
產(chǎn)品特性:
· 溝槽技術(shù)
· 超高密度單元
· 設(shè)計出色的ON電阻
· 極低的閾值電壓
應(yīng)用領(lǐng)域:
· DC/DC轉(zhuǎn)換器
· 電源轉(zhuǎn)換器
· 電路便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源開關(guān)
WNM2016A是一款高性能的N溝道MOSFET,專為現(xiàn)代電子設(shè)備中的高效能量轉(zhuǎn)換和開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計。其獨特的溝槽技術(shù)和高密度單元設(shè)計提供了優(yōu)越的電氣性能,包括低RDS(ON)和低柵極電荷,從而實現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換和減少熱量損失。此外,極低的閾值電壓和SOT-23小型封裝使其成為便攜式設(shè)備中的理想選擇,因為它既能夠提供強(qiáng)大的性能,又能夠節(jié)省空間。無論是DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源轉(zhuǎn)換器電路,還是便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源開關(guān),WNM2016A都是一個出色的選擇,能夠確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和高效能量管理。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WPM2341WAS4729QB-10/TR 模擬開關(guān)/多路復(fù)用器 封裝:QFN-10(1.8x1.4)。
WAS3157B是一款高性能的單刀雙擲(SPDT)CMOS模擬開關(guān),專為總線切換或音頻切換應(yīng)用設(shè)計。它具備高達(dá)400MHz的-3dB帶寬和低導(dǎo)通電阻(典型值為5.5Ω)。此外,其SEL引腳具有過壓保護(hù)功能,允許引腳上的電壓超過VCC,至高可達(dá)7.0V,而不會損壞部件或影響其操作,無論工作電壓如何。WAS3157B還配備了智能電路,以至小化VCC泄漏電流,即使在SEL控制電壓低于VCC電源電壓時也是如此。簡而言之,在實際應(yīng)用中,無需額外的設(shè)備來使SEL電平與VCC電平保持一致。WAS3157B采用標(biāo)準(zhǔn)的SOT-363(SC-70-6L)封裝,標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。
特性:
· 電源電壓:1.5~5.5V
· 導(dǎo)通電阻:在VCC=4.5V時為5.5Ω-3dB
· 帶寬:在CL=5pF時為400MHz
· 斷開隔離度:在10MHz時為-69dB
· 低靜態(tài)電流:<1uA
· 先斷后合功能ESD保護(hù):HBM為±8000V,MM為±600V
應(yīng)用領(lǐng)域:
· 手機(jī)
· MID(移動互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備)
· 其他便攜式設(shè)備
WAS3157B是一款功能強(qiáng)大且易于集成的模擬開關(guān)解決方案,適用于需要高效、可靠的切換功能的各種便攜式設(shè)備。其優(yōu)異的性能和多種保護(hù)功能使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備中的理想選擇。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。
ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器
產(chǎn)品描述:
ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列,專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它被特別設(shè)計用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件,免受靜電放電(ESD)引起的過度應(yīng)力。ESD73034D結(jié)合了四對極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD73034D可用于提供高達(dá)±10kV(接觸放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)5.5A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。
產(chǎn)品特性:
· 截止電壓:±3.3VMax
· 根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線路瞬態(tài)保護(hù):±10kV(接觸放電)
· 根據(jù)IEC61000-4-4(EFT)的瞬態(tài)保護(hù):40A(5/50ns)
· 根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護(hù):5.5A(8/20μs)
· 極低電容:CJ=0.2pFtyp
· 低漏電流低箝位電壓:VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)
· 固態(tài)硅技術(shù)
應(yīng)用領(lǐng)域:
· USB3.0和USB3.1
· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0
· 便攜式電子設(shè)備
· 筆記本電腦
ESD73034D是專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計的瞬態(tài)電壓抑制器,保護(hù)敏感元件免受靜電放電損害。適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設(shè)備。緊湊、環(huán)保。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD5471S-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:SOD-523。
ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器
產(chǎn)品描述:
ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列,專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它被特別設(shè)計用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件,免受靜電放電(ESD)引起的過度應(yīng)力。ESD73034D結(jié)合了四對極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD73034D可用于提供高達(dá)±10kV(接觸放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)5.5A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。
產(chǎn)品特性
截止電壓:±3.3VMax
根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線路瞬態(tài)保護(hù):±10kV(接觸放電)
根據(jù)IEC61000-4-4(EFT)的瞬態(tài)保護(hù):40A(5/50ns)
根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護(hù):5.5A(8/20μs)
極低電容:CJ=0.2pFtyp
低漏電流
低箝位電壓:VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)
固態(tài)硅技術(shù)
應(yīng)用領(lǐng)域
USB3.0和USB3.1
HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0
便攜式電子設(shè)備
筆記本電腦
ESD73034D是專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計的瞬態(tài)電壓抑制器,保護(hù)敏感元件免受靜電放電損害,適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設(shè)備,緊湊且環(huán)保。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WS4603E-5/TR 功率電子開關(guān) 封裝:TSOT-25。代理分銷商WILLSEMI韋爾SPD82581B
ESD9N5B-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:DFN1006-2。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WNMD2154A
WS4603E:可調(diào)電流限制、電源分配開關(guān)
描述
WS4603E是一款具有高側(cè)開關(guān)和低導(dǎo)通電阻P-MOSFET的開關(guān)。其集成的電流限制功能可以限制大電容負(fù)載、過載電流和短路電流的涌入,從而保護(hù)電源。此外,WS4603E還集成了反向保護(hù)功能,當(dāng)設(shè)備關(guān)閉時,可以消除開關(guān)上的任何反向電流流動。設(shè)備關(guān)閉時,輸出自動放電,使輸出電壓迅速關(guān)閉。熱關(guān)斷功能可以保護(hù)設(shè)備和負(fù)載。WS4603E采用SOT-23-5L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品無鉛且不含鹵素。
特性
1、輸入電壓范圍:2.5~5.5V
2、主開關(guān)RON:80mΩ@VIN=5V
3、調(diào)整電流限制范圍:0.4~2A(典型值)
4、電流限制精度:±20%
5、自動放電
6、反向阻斷(無“體二極管”)
7、過溫保護(hù)
應(yīng)用
· USB外設(shè)
· USB Dongle
· USB 3G數(shù)據(jù)卡
· 3.3V或5V電源開關(guān)
· 3.3V或5V電源分配
安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷,可以提供樣品供您測試。如有關(guān)于WS4603E的進(jìn)一步問題或需求,請隨時與我們聯(lián)系。我們期待與您合作,為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WNMD2154A