鋰金屬電池生產(chǎn)線解析
米開羅那鋰金屬固態(tài)電池成套實驗線正式向客戶交付
?專為固態(tài)電池研發(fā)|米開羅那正式推出鋰金屬全固態(tài)電池實驗線
鋰銅復(fù)合帶負(fù)極制片機:鋰銅負(fù)極制片的好幫手
米開羅那出席第五屆中國固態(tài)電池技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用研討會
米開羅那(東莞)工業(yè)智能科技有限公司在香港城市大學(xué)-復(fù)旦大學(xué)
新能源鋰電設(shè)備維護管理:延長設(shè)備使用壽命的技巧
新能源鋰電設(shè)備的技術(shù)前沿:探索未來電池制造的發(fā)展方向
鋰電池全套設(shè)備運行與維護:優(yōu)化設(shè)備性能的實用技巧-工業(yè)鋰電池
鋰電池自動組裝設(shè)備:實現(xiàn)高精度與高穩(wěn)定性生產(chǎn)的必備條件
ESD5451N:雙向瞬態(tài)電壓保護神
ESD5451N是一款高效的雙向瞬態(tài)電壓抑制器,專為保護電子設(shè)備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態(tài)電壓侵害而設(shè)計。它能承受高達±30kV的接觸和空氣放電,以及峰值脈沖電流達8A(8/20μs),為低速數(shù)據(jù)線和控制線提供強大的保護
這款抑制器采用DFN1006-2L封裝,具有無鉛和無鹵素等環(huán)保特性。其反向截止電壓為±5VMax,電容典型值為17.5pF,漏電流極低,典型值小于1nA。此外,其低鉗位電壓特性使其在電流脈沖下仍能保持穩(wěn)定的電壓輸出。
ESD5451N適用于多種應(yīng)用場景,包括手機、平板電腦、筆記本電腦等便攜式設(shè)備,以及網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備等。其出色的瞬態(tài)電壓抑制能力和穩(wěn)定性,為電子設(shè)備提供了可靠的保障。
安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷,可以提供樣品供您測試。如有關(guān)于ESD5451N的進一步問題或需求,請隨時與我們聯(lián)系。我們期待與您合作,為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。 WS72551E-5/TR 運算放大器 封裝:SOT-23-5L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WPM03120E
WL2811EA系列是一款高精度、低噪聲、高速、高電源抑制比(PSRR)、低壓降的CMOS線性穩(wěn)壓器,具有出色的紋波抑制能力。該系列為手機、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了具有成本效益的新一代性能。所有標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品均不含鉛和鹵素,符合環(huán)保要求。
特點與優(yōu)勢:
· 輸出電流折返
· 寬輸入電壓范圍:2V至5.5V
· 可調(diào)輸出電壓:0.8V至5V
· 輸出電流:300mA
· 低功耗:靜態(tài)電流典型值為75μA,關(guān)機電流小于1μA
· 低壓降:在輸出電流為0.3A時,壓降為141mV。
· 電源抑制比:在1kHz、輸出電壓為3V時,PSRR高達70dB
· 低輸出電壓噪聲:典型值為12μVRMS
· 輸出電壓容差:±2%
· 推薦電容器:建議使用1μF的電容器以優(yōu)化性能
· 封裝與環(huán)保:SOT-23-5L
應(yīng)用領(lǐng)域:
· MP3/MP4播放器
· 手機、無線電話、數(shù)碼相機
· 藍牙、無線手持設(shè)備
· 其他便攜式電子設(shè)備
WL2811EA系列以其出色的性能、靈活的輸出電壓調(diào)整、高效的電流管理以及環(huán)保的封裝特性,成為便攜式電子設(shè)備的理想電源解決方案。無論是音頻播放、通信還是無線連接,它都能為設(shè)備提供穩(wěn)定、高效的電源支持。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WPM3401AWS742905M-8/TR 運算放大器 封裝:MSOP-8。
ESD5311Z單線、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器
產(chǎn)品描述
ESD5311Z是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它特別針對連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,以防止因靜電放電(ESD)而產(chǎn)生的過應(yīng)力。ESD5311Z包含一個極低電容的轉(zhuǎn)向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD5311Z可用于提供高達±20kV(接觸放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5311Z采用DFN0603-2L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。
產(chǎn)品特性
截止電壓:5V
每條線路根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)標(biāo)準(zhǔn)進行瞬態(tài)保護:±20kV(接觸放電)
根據(jù)IEC61000-4-4(EFT)標(biāo)準(zhǔn)進行瞬態(tài)保護:40A(5/50ns)
根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)標(biāo)準(zhǔn)進行瞬態(tài)保護:4A(8/20μs)
極低電容:CJ=0.25pF(典型值)
極低漏電流:IR<1nA(典型值)
低鉗位電壓:VCL=21V(典型值)@IPP=16A(TLP)
應(yīng)用領(lǐng)域
USB2.0和USB3.0
HDMI1.3和HDMI1.4
SATA和eSATA
DVI
IEEE 1394
PCI Express
便攜式電子設(shè)備
筆記本電腦
ESD5311Z專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計,極低電容,出色保護,防止靜電放電損害。適用于USB、HDMI等接口,保護敏感組件。緊湊封裝,適合便攜式設(shè)備。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。
WAS3157B是一款高性能的單刀雙擲(SPDT)CMOS模擬開關(guān),專為總線切換或音頻切換應(yīng)用設(shè)計。它具備高達400MHz的-3dB帶寬和低導(dǎo)通電阻(典型值為5.5Ω)。此外,其SEL引腳具有過壓保護功能,允許引腳上的電壓超過VCC,至高可達7.0V,而不會損壞部件或影響其操作,無論工作電壓如何。WAS3157B還配備了智能電路,以至小化VCC泄漏電流,即使在SEL控制電壓低于VCC電源電壓時也是如此。簡而言之,在實際應(yīng)用中,無需額外的設(shè)備來使SEL電平與VCC電平保持一致。WAS3157B采用標(biāo)準(zhǔn)的SOT-363(SC-70-6L)封裝,標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。
特性:
· 電源電壓:1.5~5.5V
· 導(dǎo)通電阻:在VCC=4.5V時為5.5Ω-3dB
· 帶寬:在CL=5pF時為400MHz
· 斷開隔離度:在10MHz時為-69dB
· 低靜態(tài)電流:<1uA
· 先斷后合功能ESD保護:HBM為±8000V,MM為±600V
應(yīng)用領(lǐng)域:
· 手機
· MID(移動互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備)
· 其他便攜式設(shè)備
WAS3157B是一款功能強大且易于集成的模擬開關(guān)解決方案,適用于需要高效、可靠的切換功能的各種便攜式設(shè)備。其優(yōu)異的性能和多種保護功能使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備中的理想選擇。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WL2836D18-4/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:XDFN-4-EP(1x1)。
WPM3401:單P溝道、-30V、-4.6A功率MOSFET
WPM3401是一種P溝道邏輯增強型功率場效應(yīng)晶體管,采用高單元密度、DMOS溝槽技術(shù)生產(chǎn)。這種高密度工藝特別定制于極小化導(dǎo)通電阻。這些器件特別適合低電壓應(yīng)用、筆記本電腦的電源管理以及其他需要高側(cè)開關(guān)的電池供電電路。
其主要特性包括:
· 溝槽技術(shù)
· 超高密度的單元設(shè)計
· 優(yōu)異的導(dǎo)通電阻,適用于更高的直流電流
· 小型SOT-23-3L封裝
應(yīng)用領(lǐng)域包括:
· 筆記本電腦的電源管理
· 便攜式設(shè)備
· 電池供電系統(tǒng)
· DC/DC轉(zhuǎn)換器
· 負(fù)載開關(guān)
WPM3401是一種高性能的功率MOSFET,專為需要高效、緊湊和可靠功率管理的應(yīng)用而設(shè)計。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 RB521C30-2/TR 肖特基二極管 封裝:SOD-923。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5451ZL
WNM2030-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝:SOT-723。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WPM03120E
WNM2020是一款N溝道增強型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用了先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計,以在低柵極電荷下提供出色的RDS(ON)。這款器件非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2020是無鉛且無鹵素的。
WNM2020是一款高性能的N溝道MOS場效應(yīng)晶體管,專為高效率的電源管理應(yīng)用而設(shè)計。其采用的先進溝槽技術(shù)使得該晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)下具有很低的電阻(RDS(ON)),從而減少了功率損耗并提高了整體效率。同時,低柵極電荷使得該晶體管能夠快速響應(yīng)柵極驅(qū)動信號,進一步提高了開關(guān)速度。這款晶體管非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器,其中高效率的電源開關(guān)是至關(guān)重要的。
此外,它還可以用于各種充電電路,如電池充電器和太陽能充電器,以確保能量的有效轉(zhuǎn)換和利用。作為一款標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品,WNM2020不僅具有出色的電性能,還符合環(huán)保要求,不含有鉛和鹵素等有害物質(zhì)。這使得它在各種環(huán)保法規(guī)日益嚴(yán)格的市場中具有廣的適用性??傊?,WNM2020是一款高性能、高效率且環(huán)保的N溝道增強型MOS場效應(yīng)晶體管,非常適合用于各種電源管理和充電應(yīng)用。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WPM03120E