鋰金屬電池生產(chǎn)線(xiàn)解析
米開(kāi)羅那鋰金屬固態(tài)電池成套實(shí)驗(yàn)線(xiàn)正式向客戶(hù)交付
?專(zhuān)為固態(tài)電池研發(fā)|米開(kāi)羅那正式推出鋰金屬全固態(tài)電池實(shí)驗(yàn)線(xiàn)
鋰銅復(fù)合帶負(fù)極制片機(jī):鋰銅負(fù)極制片的好幫手
米開(kāi)羅那出席第五屆中國(guó)固態(tài)電池技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用研討會(huì)
米開(kāi)羅那(東莞)工業(yè)智能科技有限公司在香港城市大學(xué)-復(fù)旦大學(xué)
新能源鋰電設(shè)備維護(hù)管理:延長(zhǎng)設(shè)備使用壽命的技巧
新能源鋰電設(shè)備的技術(shù)前沿:探索未來(lái)電池制造的發(fā)展方向
鋰電池全套設(shè)備運(yùn)行與維護(hù):優(yōu)化設(shè)備性能的實(shí)用技巧-工業(yè)鋰電池
鋰電池自動(dòng)組裝設(shè)備:實(shí)現(xiàn)高精度與高穩(wěn)定性生產(chǎn)的必備條件
WD3139:高效38V升壓型白色LED驅(qū)動(dòng)器
產(chǎn)品描述
WD3139是一款恒定電流、高效率的LED驅(qū)動(dòng)器。其內(nèi)部MOSFET可以驅(qū)動(dòng)高達(dá)10個(gè)串聯(lián)的白色LED,電流限制為1.2A,過(guò)壓保護(hù)為38V??梢詫⒚}沖寬度調(diào)制(PWM)信號(hào)應(yīng)用于EN引腳以實(shí)現(xiàn)LED調(diào)光。該設(shè)備以1MHz的固定開(kāi)關(guān)頻率運(yùn)行,以減少輸出紋波、提高轉(zhuǎn)換效率,并允許使用小型外部組件。
封裝與環(huán)保信息:WD3139采用TSOT-23-6L封裝,標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛和無(wú)鹵素。
產(chǎn)品特性:
輸入電壓范圍:2.7~5.5V
開(kāi)路LED保護(hù):38V(典型值)
參考電壓:200mV(±5%)
開(kāi)關(guān)頻率:1MHz(典型值)
效率:高達(dá)92%
主開(kāi)關(guān)電流限制:1.2A(典型值)
PWM調(diào)光頻率:5KHz至200KHzPWM
調(diào)光占空比:0.5%~100%
應(yīng)用領(lǐng)域:
智能手機(jī)
平板電腦
便攜式游戲機(jī)
WD3139是一款專(zhuān)為串聯(lián)白色LED設(shè)計(jì)的高效驅(qū)動(dòng)器。提供1.2A電流限制和38V過(guò)壓保護(hù),確保LED穩(wěn)定安全。支持PWM調(diào)光,1MHz開(kāi)關(guān)頻率提升轉(zhuǎn)換效率并減少輸出紋波。適用于智能手機(jī)、平板等便攜設(shè)備的LED背光或指示燈。小巧封裝且環(huán)保,是理想選擇。詳情請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WD1042E-5/TR DC-DC電源芯片 封裝:SOT-23-5L。規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾WNM4013
ESD5311X是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專(zhuān)為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線(xiàn)的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)引起的過(guò)應(yīng)力影響。ESD5311X包含一個(gè)極低電容的轉(zhuǎn)向二極管對(duì)和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD5311X可提供高達(dá)±20kV(接觸放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn),能承受高達(dá)4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5311X采用WBFBP-02C-C封裝,為標(biāo)準(zhǔn)無(wú)鉛且無(wú)鹵素產(chǎn)品。
主要特性:
截止電壓:5V
根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線(xiàn)瞬態(tài)保護(hù):±20kV(接觸放電)
根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護(hù):4A(8/20μs)
極低電容:CJ=0.25pF(典型值)
極低漏電流:IR<1nA(典型值)
低鉗位電壓:VCL=22V(典型值)@IPP=16A(TLP)
固態(tài)硅技術(shù)
應(yīng)用領(lǐng)域:
USB2.0和USB3.0
HDMI1.3和HDMI1.4
SATA和eSATA
DVI
IEEE 1394
PCI Express
便攜式電子設(shè)備
筆記本電腦
ESD5311X是一款專(zhuān)為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)的瞬態(tài)電壓抑制器,可承受高達(dá)±20kV的靜電放電和4A的峰值脈沖電流,保護(hù)電子組件免受損害。適用于USB、HDMI、SATA等接口,確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆€(wěn)定性。緊湊、環(huán)保,廣泛應(yīng)用于便攜式設(shè)備和筆記本電腦。如需更多信息,請(qǐng)查閱手冊(cè)或聯(lián)系我們。 代理分銷(xiāo)商WILLSEMI韋爾WSB5556ZWD3139F-6/TR LED驅(qū)動(dòng) 封裝:TSOT-23-6。
BL1551B是一款模擬開(kāi)關(guān),具體地說(shuō):它是一個(gè)單通道、高帶寬的單刀雙擲(SPDT)模擬開(kāi)關(guān)。這種開(kāi)關(guān)特別適用于數(shù)據(jù)和音頻信號(hào)的切換。
以下是BL1551B的主要特性和優(yōu)勢(shì):
高帶寬:BL1551B具有高達(dá)350MHz的帶寬,這使得它能夠處理高速信號(hào)切換,滿(mǎn)足許多高速應(yīng)用的需求。
低導(dǎo)通電阻:在5V工作電壓下,其導(dǎo)通電阻為2.7Ω,這有助于減少信號(hào)在開(kāi)關(guān)過(guò)程中的損失,保證信號(hào)的完整性。
高效的隔離度:在1MHz的頻率下,BL1551B的隔離度達(dá)到-84dB,這意味著在開(kāi)關(guān)處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí),信號(hào)泄漏非常小,從而確保了良好的信號(hào)隔離效果。
寬工作電壓范圍:BL1551B的工作電壓范圍從1.8V到5.5V,這意味著它可以在多種不同的電壓環(huán)境下工作,為設(shè)計(jì)者提供了更大的靈活性。
此外,BL1551B的封裝類(lèi)型為SC-70-6,這有助于實(shí)現(xiàn)緊湊的電路設(shè)計(jì)和高效的熱性能。在實(shí)際應(yīng)用中,BL1551B可廣泛應(yīng)用于移動(dòng)電話(huà)、便攜式電子設(shè)備等領(lǐng)域。其出色的性能參數(shù)和廣泛的應(yīng)用范圍使得BL1551B在市場(chǎng)上具有一定的競(jìng)爭(zhēng)力。
安美斯科技專(zhuān)注于國(guó)產(chǎn)電子元器件代理分銷(xiāo),我們非常榮幸能為您推薦BL1551B這款模擬開(kāi)關(guān),并提供樣品供您測(cè)試,如需更多信息或支持,請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系我們。
WL2801E系列是一款高精度、低噪聲、高速、低壓差CMOS線(xiàn)性穩(wěn)壓器,具有優(yōu)異的紋波抑制能力。該系列為手機(jī)、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了經(jīng)濟(jì)高效的新一代性能。其電流限制器的折回電路不止作為短路保護(hù),還在輸出引腳處作為輸出電流限制器。
產(chǎn)品特點(diǎn):
· 輸入電壓范圍:2.7V至5.5V
· 輸出電壓范圍:1.2V至3.3V
· 輸出電流:在輸出電壓小于2V時(shí),典型值為200mA;在輸出電壓大于2V時(shí),典型值為300mA。
· 電源抑制比(PSRR):在217Hz時(shí)達(dá)到75dB
· 壓差電壓:在輸出電流為200mA時(shí),壓差為170mV
· 靜態(tài)電流:典型值為70μA
· 關(guān)斷電流:小于0.1μA
· 推薦電容器:1uF
應(yīng)用領(lǐng)域:
· MP3/MP4播放器
· 手機(jī)和無(wú)線(xiàn)電話(huà)
· 數(shù)碼相機(jī)
· 藍(lán)牙和無(wú)線(xiàn)手持設(shè)備
· 其他便攜式電子設(shè)備
WL2801E系列以其高精度、低噪聲和高效能的特點(diǎn),為現(xiàn)代便攜式設(shè)備提供了理想的電源管理解決方案。無(wú)論是手機(jī)、筆記本電腦還是MP3播放器,它都能確保設(shè)備在長(zhǎng)時(shí)間使用中保持出色的性能和穩(wěn)定的電力供應(yīng)。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WNM6002-3/TR 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 封裝:SOT-323-3。
WPM3401:?jiǎn)蜳溝道、-30V、-4.6A功率MOSFET
WPM3401是一種P溝道邏輯增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管,采用高單元密度、DMOS溝槽技術(shù)生產(chǎn)。這種高密度工藝特別定制于極小化導(dǎo)通電阻。這些器件特別適合低電壓應(yīng)用、筆記本電腦的電源管理以及其他需要高側(cè)開(kāi)關(guān)的電池供電電路。
其主要特性包括:
· 溝槽技術(shù)
· 超高密度的單元設(shè)計(jì)
· 優(yōu)異的導(dǎo)通電阻,適用于更高的直流電流
· 小型SOT-23-3L封裝
應(yīng)用領(lǐng)域包括:
· 筆記本電腦的電源管理
· 便攜式設(shè)備
· 電池供電系統(tǒng)
· DC/DC轉(zhuǎn)換器
· 負(fù)載開(kāi)關(guān)
WPM3401是一種高性能的功率MOSFET,專(zhuān)為需要高效、緊湊和可靠功率管理的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 ESDA6V8AV6-6/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:SOT-563。代理分銷(xiāo)商WILLSEMI韋爾ESD56241D07
ESD9B5VL-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:FBP-02C。規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾WNM4013
WSB5546N-肖特基勢(shì)壘二極管
特性:
· 低反向電流
· 0.2A平均整流正向電流
· 無(wú)鉛和無(wú)鹵素:WSB5546N是一款環(huán)保產(chǎn)品,不含鉛和鹵素。
· 快速開(kāi)關(guān)和低正向電壓降
· 反向阻斷
應(yīng)用:
· 電源管理
· 信號(hào)處理
· 電子設(shè)備保護(hù)
總之,WSB5546N是一款具有低反向電流、0.2A平均整流正向電流以及無(wú)鉛無(wú)鹵素環(huán)保特性的肖特基勢(shì)壘二極管。它為各種應(yīng)用提供了高效、可靠且環(huán)保的解決方案WSB5546N是一款肖特基勢(shì)壘二極管,具有一些明顯的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。肖特基勢(shì)壘二極管是一種特殊的二極管類(lèi)型,它結(jié)合了肖特基二極管和勢(shì)壘二極管的優(yōu)點(diǎn)。肖特基二極管具有快速開(kāi)關(guān)能力和低正向電壓降,而勢(shì)壘二極管則具有出色的反向阻斷能力。因此,WSB5546N結(jié)合了這些特點(diǎn),提供了一種高效、可靠且環(huán)保的解決方案。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾WNM4013