鋰金屬電池生產(chǎn)線解析
米開(kāi)羅那鋰金屬固態(tài)電池成套實(shí)驗(yàn)線正式向客戶交付
?專為固態(tài)電池研發(fā)|米開(kāi)羅那正式推出鋰金屬全固態(tài)電池實(shí)驗(yàn)線
鋰銅復(fù)合帶負(fù)極制片機(jī):鋰銅負(fù)極制片的好幫手
米開(kāi)羅那出席第五屆中國(guó)固態(tài)電池技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用研討會(huì)
米開(kāi)羅那(東莞)工業(yè)智能科技有限公司在香港城市大學(xué)-復(fù)旦大學(xué)
新能源鋰電設(shè)備維護(hù)管理:延長(zhǎng)設(shè)備使用壽命的技巧
新能源鋰電設(shè)備的技術(shù)前沿:探索未來(lái)電池制造的發(fā)展方向
鋰電池全套設(shè)備運(yùn)行與維護(hù):優(yōu)化設(shè)備性能的實(shí)用技巧-工業(yè)鋰電池
鋰電池自動(dòng)組裝設(shè)備:實(shí)現(xiàn)高精度與高穩(wěn)定性生產(chǎn)的必備條件
WAS4729QB:低導(dǎo)通電阻(0.8?)雙SPDT模擬開(kāi)關(guān),具有負(fù)擺幅音頻功能
產(chǎn)品描述:
WAS4729QB是一款高性能的雙單極雙擲(SPDT)模擬開(kāi)關(guān),具有負(fù)擺幅音頻功能,其典型導(dǎo)通電阻Ron為0.8?(在3.6VVCC下)。該開(kāi)關(guān)在2.3V至5.5V的寬VCC范圍內(nèi)工作,并設(shè)計(jì)為先斷后通的操作模式。選擇輸入與TTL電平兼容。WAS4729QB還配備了智能電路,即使在控制電壓低于VCC電源電壓時(shí),也能至小化VCC泄漏電流。這一特性非常適合移動(dòng)手機(jī)應(yīng)用,因?yàn)樗试S直接與基帶處理器的通用I/O接口,同時(shí)極大限度地減少電池消耗。換句話說(shuō),在實(shí)際應(yīng)用中,無(wú)需額外的設(shè)備來(lái)將控制電平調(diào)整到與VCC相同。WAS4729QB采用QFN1418-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛且無(wú)鹵素。
產(chǎn)品特性
供電電壓:2.3V~5.5V
極低導(dǎo)通電阻:0.8?(在3.6V下)
高關(guān)斷隔離度:-81dB@1KHz
串?dāng)_抑制:-83dB@1KHz-3dB帶寬:80MHz
軌到軌信號(hào)范圍
先斷后通開(kāi)關(guān)
HBM JEDEC:JESD22-A114IO至GND:±8KV
電源至GND:±5KV
應(yīng)用領(lǐng)域
手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)和筆記本電腦
LCD顯示器、電視和機(jī)頂盒
音頻和視頻信號(hào)路由
WAS4729QB是高性能模擬開(kāi)關(guān),專為移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì),適合音頻和視頻信號(hào)路由,性能優(yōu)越可靠。詳情請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 ESD5311N-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:X1-DFN1006-2。代理分銷商WILLSEMI韋爾WS4632C
WS4665是一個(gè)單通道負(fù)載開(kāi)關(guān),提供可配置的上升時(shí)間以極小化涌流。該設(shè)備包含一個(gè)N型MOSFET,可以在0.8V至5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作,并支持連續(xù)電流上線為6A。開(kāi)關(guān)由開(kāi)/關(guān)輸入(ON)控制,該輸入能夠直接與低電壓控制信號(hào)接口。在WS4665中,增加了一個(gè)230Ω的片上負(fù)載電阻,用于在開(kāi)關(guān)關(guān)閉時(shí)進(jìn)行快速輸出放電。WS4665采用小型、節(jié)省空間的2.00mmx2.00mm8引腳DFN封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛且無(wú)鹵素。
主要特性:
· 集成單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)
· 輸入電壓范圍:0.8V至5.5V
· 極低導(dǎo)通電阻(RON)RON=14mΩatVIN=5V(VBIAS=5V)
· 連續(xù)開(kāi)關(guān)上限電流為6A
· 低控制輸入閾值,支持1.2V、1.8V、2.5V和3.3V邏輯
· 可配置的上升時(shí)間
· 快速輸出放電(QOD)
· ESD性能經(jīng)過(guò)JESD22測(cè)試2000VHBM和1000VCDM
應(yīng)用領(lǐng)域:
· 超極本TM
· 筆記本電腦/上網(wǎng)本
· 平板電腦
· 消費(fèi)電子產(chǎn)品
· 機(jī)頂盒/住宅網(wǎng)關(guān)
· 電信系統(tǒng)
WS4665適用于多種應(yīng)用場(chǎng)合,如超極本、筆記本電腦/上網(wǎng)本、平板電腦、消費(fèi)電子產(chǎn)品、機(jī)頂盒/住宅網(wǎng)關(guān)以及電信系統(tǒng)等。如需更多信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)或與我們聯(lián)系。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WS4632CWD1033E-5/TR DC-DC電源芯片 封裝:SOT-23-5L。
WS3202E:過(guò)壓和過(guò)流保護(hù)IC
產(chǎn)品描述:
WS3202E是一款集過(guò)壓保護(hù)(OVP)和過(guò)流保護(hù)(OCP)功能于一體的保護(hù)設(shè)備。當(dāng)輸入電壓或輸入電流超過(guò)閾值時(shí),該設(shè)備會(huì)關(guān)閉內(nèi)部MOSFET,斷開(kāi)IN到OUT的連接,以保護(hù)負(fù)載。此外,過(guò)溫保護(hù)(OTP)功能會(huì)監(jiān)控芯片溫度,確保設(shè)備安全。封裝形式:SOT-23-6L
產(chǎn)品特性:
· 高壓技術(shù)
· 輸入電壓:25V
· 輸出上電時(shí)間:8ms(典型值)
· OVP閾值:6.1V(典型值)
· OVP響應(yīng)時(shí)間:<1us
· OCP閾值:2A(最小值)
· 輸出放電功能
應(yīng)用領(lǐng)域:
· GPS設(shè)備
· PMP(便攜式媒體播放器)
· MID(移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備)
· PAD(平板電腦)
· 數(shù)碼相機(jī)
· 數(shù)字?jǐn)z像機(jī)
WS3202E是一款功能強(qiáng)大的過(guò)壓和過(guò)流保護(hù)IC,為電子設(shè)備提供了雙重安全保障。其高壓技術(shù)、快速響應(yīng)時(shí)間和靈活的輸出放電功能使其在各種應(yīng)用場(chǎng)合中表現(xiàn)出色,特別適用于需要高穩(wěn)定性和可靠性的電子設(shè)備,如GPS、PMP、MID、PAD以及數(shù)碼相機(jī)和攝像機(jī)等。WS3202E采用SOT-23-6L封裝,方便集成到各種電路板中,同時(shí)其無(wú)鉛和無(wú)鹵素特性也符合環(huán)保要求。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。
ESD5471X1線雙向瞬態(tài)電壓抑制器
產(chǎn)品描述:
ESD5471X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)。它特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)、電氣快速瞬態(tài)(EFT)和雷電引起的過(guò)應(yīng)力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD5471X可用于提供高達(dá)±30kV(接觸和空氣放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)6A的峰值脈沖電流(8/20μs)。ESD5471X采用FBP-02C封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛且無(wú)鹵素。
產(chǎn)品特性:
反向截止電壓:±5V
根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)標(biāo)準(zhǔn),每條線路的瞬態(tài)保護(hù):±30kV(接觸和空氣放電)
IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)
IEC61000-4-5(浪涌):6A(8/20μs)
電容:CJ=9pF(典型值)
低漏電流
低鉗位電壓:VCL=12V(典型值)@IPP=16A(TLP)
固態(tài)硅技術(shù)
應(yīng)用領(lǐng)域:
手機(jī)
平板電腦
筆記本電腦
其他便攜式設(shè)備
網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備
ESD5471X是專為保護(hù)敏感電子組件設(shè)計(jì)的雙向瞬態(tài)電壓抑制器,能抵御靜電放電、電氣快速瞬態(tài)和雷電等過(guò)應(yīng)力。其優(yōu)越的保護(hù)能力和低漏電流特性使其成為手機(jī)、平板、筆記本等便攜式設(shè)備及網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備的理想保護(hù)元件。采用固態(tài)硅技術(shù),既高性能又緊湊,方便集成。詳情請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WS74199B-6/TR 電流感應(yīng)放大器 封裝:SOT-363。
WNM2021:?jiǎn)蜰溝道、20V、0.6A功率MOSFET
產(chǎn)品描述
WNM2021是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì),提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2021為無(wú)鉛產(chǎn)品。小型SOT-323封裝
產(chǎn)品特性:
· 溝槽技術(shù)
· 超高密度單元設(shè)計(jì)
· 出色的導(dǎo)通電阻
· 極低的閾值電壓
應(yīng)用領(lǐng)域:
· DC/DC轉(zhuǎn)換器
· 電源轉(zhuǎn)換器電路
· 便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源切換
WNM2021是一款高性能的N溝道功率MOSFET,具有出色的RDS(ON)和低柵極電荷。其先進(jìn)的溝槽技術(shù)和高密度單元設(shè)計(jì)使其在DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。極低的閾值電壓和小型SOT-323封裝使其成為便攜式設(shè)備負(fù)載/電源切換的理想選擇。此外,WNM2021作為無(wú)鉛產(chǎn)品,符合環(huán)保要求。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WMM7040DTHN0-8/TR MEMS麥克風(fēng)(硅麥)封裝:SMD-8P,3x4mm。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WS72142
WL2836D30-4/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:DFN-4-EP(1x1)。代理分銷商WILLSEMI韋爾WS4632C
ESDA6V8AV6靜電放電(ESD)保護(hù)的瞬態(tài)電壓抑制器
產(chǎn)品描述:
ESDA6V8AV6是一款五線路的ESD瞬態(tài)電壓抑制器,為可能受到靜電放電(ESD)影響的敏感電子組件提供了極高的保護(hù)水平。對(duì)于正瞬態(tài),這些設(shè)備將電壓鉗制在邏輯電平供電之上;對(duì)于負(fù)瞬態(tài),則鉗制在低于地的二極管壓降。ESDA6V8AV6能夠安全地消散±20kV的ESD沖擊,超過(guò)了IEC61000-4-2國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的至高上限要求。使用MILSTD-883(方法3015)中的人體模型(HBM)ESD規(guī)格,該設(shè)備為大于±16kV的接觸放電提供了保護(hù)。ESDA6V8AV6采用SOT-563SMT封裝,工作電壓為5伏特。
規(guī)格特性:
· 工作峰值反向電壓:5V
· 低漏電流:<1uA@3V
· 高ESD保護(hù)水平:每HBM>20kV
· IEC61000-4-2四級(jí)ESD保護(hù)
· IEC61000-4-4四級(jí)EFT保護(hù)
· 五種單獨(dú)的單向配置
機(jī)械特性:
· 無(wú)空洞、轉(zhuǎn)移模制、熱固性塑料外殼
· 耐腐蝕表面,易于焊接
應(yīng)用領(lǐng)域:
· 手機(jī)和配件
· 個(gè)人數(shù)字助理(PDA)
· 筆記本電腦、臺(tái)式機(jī)和服務(wù)器
· 便攜式儀器
· 數(shù)碼相機(jī)
· 外設(shè)MP3播放器
ESDA6V8AV6是五線路ESD保護(hù)器,保護(hù)電子組件免受靜電放電影響。具有強(qiáng)ESD保護(hù)和低漏電流,能承受±20kV沖擊。符合電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn),適用于手機(jī)、筆記本等便攜式設(shè)備。詳情查閱手冊(cè)或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WS4632C