鋰金屬電池生產(chǎn)線解析
米開(kāi)羅那鋰金屬固態(tài)電池成套實(shí)驗(yàn)線正式向客戶交付
?專為固態(tài)電池研發(fā)|米開(kāi)羅那正式推出鋰金屬全固態(tài)電池實(shí)驗(yàn)線
鋰銅復(fù)合帶負(fù)極制片機(jī):鋰銅負(fù)極制片的好幫手
米開(kāi)羅那出席第五屆中國(guó)固態(tài)電池技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用研討會(huì)
米開(kāi)羅那(東莞)工業(yè)智能科技有限公司在香港城市大學(xué)-復(fù)旦大學(xué)
新能源鋰電設(shè)備維護(hù)管理:延長(zhǎng)設(shè)備使用壽命的技巧
新能源鋰電設(shè)備的技術(shù)前沿:探索未來(lái)電池制造的發(fā)展方向
鋰電池全套設(shè)備運(yùn)行與維護(hù):優(yōu)化設(shè)備性能的實(shí)用技巧-工業(yè)鋰電池
鋰電池自動(dòng)組裝設(shè)備:實(shí)現(xiàn)高精度與高穩(wěn)定性生產(chǎn)的必備條件
ESD5301N:低電容單線單向瞬態(tài)電壓抑制器
產(chǎn)品描述:
ESD5301N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)引起的過(guò)度應(yīng)力影響。
包含一對(duì)低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),它可以提供高達(dá)±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。
采用DFN1006-2L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛且無(wú)鹵素。
產(chǎn)品特性:
1、截止電壓:5V
2、根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線路瞬態(tài)保護(hù):±20kV(接觸和空氣放電)
3、 IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)
4、 IEC61000-4-5(浪涌):4A(8/20μs)
5、低電容:CJ=0.4pFtyp.
6、低漏電流:IR<1nAtyp.
7、低鉗位電壓:VCL=14.5Vtyp.@IPP=16A(TLP)
8、固態(tài)硅技術(shù)
應(yīng)用領(lǐng)域:
1、USB2.0和USB3.0
2、HDMI1.3和HDMI1.4
3、SATA和eSATA
4、DVI
5、IEEE1394
6、PCIExpress
7、便攜式電子產(chǎn)品和筆記本電腦
安美斯科技專注于國(guó)產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD5301N這款TVS,并愿意提供樣品供您測(cè)試。如需更多信息或技術(shù)支持,請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系我們。 ESD9N5B-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:DFN1006-2。代理分銷商WILLSEMI韋爾SPD9261A
ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器
產(chǎn)品描述:
ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列,專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它被特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件,免受靜電放電(ESD)引起的過(guò)度應(yīng)力。ESD73034D結(jié)合了四對(duì)極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD73034D可用于提供高達(dá)±10kV(接觸放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)5.5A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛和無(wú)鹵素。
產(chǎn)品特性:
· 截止電壓:±3.3VMax
· 根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線路瞬態(tài)保護(hù):±10kV(接觸放電)
· 根據(jù)IEC61000-4-4(EFT)的瞬態(tài)保護(hù):40A(5/50ns)
· 根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護(hù):5.5A(8/20μs)
· 極低電容:CJ=0.2pFtyp
· 低漏電流低箝位電壓:VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)
· 固態(tài)硅技術(shù)
應(yīng)用領(lǐng)域:
· USB3.0和USB3.1
· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0
· 便攜式電子設(shè)備
· 筆記本電腦
ESD73034D是專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)的瞬態(tài)電壓抑制器,保護(hù)敏感元件免受靜電放電損害。適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設(shè)備。緊湊、環(huán)保。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WCR420N65TFESD9B5VL-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:FBP-02C。
WL2801E是一款優(yōu)異的低噪聲、高PSRR(電源抑制比)以及高速CMOSLDO(低壓差線性穩(wěn)壓器)。其高精度與出色的性能,使其在手機(jī)、筆記本電腦以及其他便攜式設(shè)備中表現(xiàn)出色,為用戶提供了前所未有的性價(jià)比體驗(yàn)。這款設(shè)備不僅具有出色的限流折回電路,能夠同時(shí)作為短路保護(hù)和輸出電流限制器,而且采用標(biāo)準(zhǔn)的SOT-23-5L封裝,確保產(chǎn)品的環(huán)保性和安全性。
WL2801E的主要特性包括寬輸入電壓范圍(2.7V~5.5V)、靈活的輸出電壓范圍(1.2V~3.3V)、以及高達(dá)300mA的輸出電流能力。其高達(dá)75dB的PSRR在217Hz下表現(xiàn)出色,確保了電源噪聲的有效抑制。此外,其低dropout電壓(170mV@IOUT=200mA)和極低靜態(tài)電流(70μA)使得它在低功耗應(yīng)用中表現(xiàn)突出。
這款產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域較廣,包括MP3/MP4播放器、手機(jī)、無(wú)線電話、數(shù)碼相機(jī)、藍(lán)牙和無(wú)線手持設(shè)備以及其他便攜式電子設(shè)備。無(wú)論是對(duì)于追求高性能的設(shè)計(jì)師,還是對(duì)于尋求成本效益的生產(chǎn)商,WL2801E都是理想的選擇。
安美斯科技專注于國(guó)產(chǎn)電子元器件的代理分銷,并可以提供樣品。這體現(xiàn)了我們對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量的自信和對(duì)客戶需求的深入理解。選擇安美斯科技,您將獲得優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。
WNM2021:?jiǎn)蜰溝道、20V、0.6A功率MOSFET
產(chǎn)品描述
WNM2021是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì),提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2021為無(wú)鉛產(chǎn)品。小型SOT-323封裝
產(chǎn)品特性:
· 溝槽技術(shù)
· 超高密度單元設(shè)計(jì)
· 出色的導(dǎo)通電阻
· 極低的閾值電壓
應(yīng)用領(lǐng)域:
· DC/DC轉(zhuǎn)換器
· 電源轉(zhuǎn)換器電路
· 便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源切換
WNM2021是一款高性能的N溝道功率MOSFET,具有出色的RDS(ON)和低柵極電荷。其先進(jìn)的溝槽技術(shù)和高密度單元設(shè)計(jì)使其在DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。極低的閾值電壓和小型SOT-323封裝使其成為便攜式設(shè)備負(fù)載/電源切換的理想選擇。此外,WNM2021作為無(wú)鉛產(chǎn)品,符合環(huán)保要求。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WSB5524D-2/TR 肖特基二極管 封裝:FBP1608-2L。
WS3222是一款具有可調(diào)OVLO(過(guò)壓鎖定)閾值電壓的過(guò)壓保護(hù)(OVP)負(fù)載開(kāi)關(guān)。當(dāng)輸入電壓超過(guò)閾值時(shí),該設(shè)備將關(guān)閉內(nèi)部MOSFET,斷開(kāi)輸入到輸出的連接,以保護(hù)負(fù)載。當(dāng)OVLO輸入設(shè)定低于外部OVLO選擇電壓時(shí),WS3222會(huì)自動(dòng)選擇內(nèi)部固定的OVLO閾值電壓。過(guò)壓保護(hù)閾值電壓可以通過(guò)外部電阻分壓器進(jìn)行調(diào)整,OVLO閾值電壓范圍為4V~15V。過(guò)熱保護(hù)(OTP)功能監(jiān)控芯片溫度,以保護(hù)設(shè)備。WS3222采用DFN2×2-8L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品無(wú)鉛且無(wú)鹵素。
特點(diǎn):
· 輸入電壓:29V
· 導(dǎo)通電阻:45mΩ(典型值)
· 超快OVP響應(yīng)時(shí)間:450ns(典型值)
· 可調(diào)OVLO
· 閾值電壓:4V~15V
應(yīng)用:
· 手機(jī)和平板電腦
· 便攜式媒體播放器
· STB、OTT(機(jī)頂盒、互聯(lián)網(wǎng)電視)
· 汽車DVR、汽車媒體系統(tǒng)外設(shè)
WS3222是專為現(xiàn)代便攜設(shè)備設(shè)計(jì)的靈活高效過(guò)壓保護(hù)開(kāi)關(guān)。其特色在于可調(diào)OVLO閾值,為不同應(yīng)用提供定制化保護(hù)。超快450納秒OVP響應(yīng)時(shí)間確保負(fù)載在瞬間過(guò)壓下得到保護(hù)。低導(dǎo)通電阻減少正常功耗。集成OTP功能增強(qiáng)可靠性。緊湊封裝適合空間受限應(yīng)用,符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。如需更多信息,請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WL2803E18-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WAS7222Q
WS74199Q-10/TR 電流感應(yīng)放大器 封裝:WQFN-10(1.4x1.8)。代理分銷商WILLSEMI韋爾SPD9261A
WSB5546N-肖特基勢(shì)壘二極管
特性:
· 低反向電流
· 0.2A平均整流正向電流
· 無(wú)鉛和無(wú)鹵素:WSB5546N是一款環(huán)保產(chǎn)品,不含鉛和鹵素。
· 快速開(kāi)關(guān)和低正向電壓降
· 反向阻斷
應(yīng)用:
· 電源管理
· 信號(hào)處理
· 電子設(shè)備保護(hù)
總之,WSB5546N是一款具有低反向電流、0.2A平均整流正向電流以及無(wú)鉛無(wú)鹵素環(huán)保特性的肖特基勢(shì)壘二極管。它為各種應(yīng)用提供了高效、可靠且環(huán)保的解決方案WSB5546N是一款肖特基勢(shì)壘二極管,具有一些明顯的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。肖特基勢(shì)壘二極管是一種特殊的二極管類型,它結(jié)合了肖特基二極管和勢(shì)壘二極管的優(yōu)點(diǎn)。肖特基二極管具有快速開(kāi)關(guān)能力和低正向電壓降,而勢(shì)壘二極管則具有出色的反向阻斷能力。因此,WSB5546N結(jié)合了這些特點(diǎn),提供了一種高效、可靠且環(huán)保的解決方案。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾SPD9261A