WNM6002是一種N型增強型MOS場效應晶體管，利用先進的溝槽和電荷控制設計，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于電源開關、負載開關和充電電路。標準產品WNM6002為無鉛且不含鹵素。小型SOT-323封裝。

主要特性：

· 溝槽技術

· 超高密度單元設計

· 適用于高直流電流的優(yōu)異導通電阻

· 極低的閾值電壓

應用領域：

· 繼電器、電磁鐵、電機、LED等的驅動

· DC-DC轉換器電路

· 電源開關

· 負載開關

· 充電電路

    WNM6002N型增強型MOS場效應晶體管是一種高性能、高效能的半導體器件，專為現代電子設備中的電源管理和開關應用而設計。其采用先進的溝槽技術和電荷控制設計，確保了出色的RDS(ON)和低柵極電荷，從而提供了高效的電流控制和低功耗操作。WNM6002的超高密度單元設計使其在高直流電流下仍能保持優(yōu)異的導通電阻，確保了高效的能量轉換和散熱。同時，極低的閾值電壓保證了快速的開關響應和穩(wěn)定的性能。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 WL2836D33-4/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝：UDFN-4-EP(1x1)。代理分銷商WILLSEMI韋爾WAS3157D

  WPM2015xx是一款P溝道增強型MOS場效應晶體管（MOSFET）。它采用先進的溝槽技術和設計，具有出色的RDS(ON)（導通電阻）和低柵極電荷。這使得WPM2015xx在中等電源電流和電流產出量的應用中表現出色，尤其適用于電池管理、電機控制和高速開關等場景。

  WPM2015xx的主要特點包括：

1：穩(wěn)定的走電電壓和出色的導電電阻，這有助于在電子設備中實現高效、穩(wěn)定的性能。

2：適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路等應用，這些應用需要精確控制電流和電壓。

3：采用無鉛、無鹵的環(huán)保封裝，符合現代電子產品的環(huán)保要求。

4：具有超高密度電池設計，適用于需要高效率和高穩(wěn)定性的電池管理系統(tǒng)。

5：極低的閾值電壓和小型化的SOT-23封裝使得WPM2015xx在空間受限的應用中也能發(fā)揮出色的性能。

  在實際應用中，WPM2015xx可以用于繼電器、電磁鐵和電機等設備的驅動和控制。通過控制柵極電壓，WPM2015xx可以實現對電流的精確調節(jié)，從而實現對電機等設備的控制。

  安美斯科技專注于國產電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦WPM2015xx這款MOS，并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或支持，請隨時聯系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾ESD56201D20WL2805N33-3/TR 線性穩(wěn)壓器（LDO）封裝：SOT-23-3L。

    ESD5311X是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護高速數據接口而設計。它特別用于保護連接到數據和傳輸線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）引起的過應力影響。ESD5311X包含一個極低電容的轉向二極管對和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準，ESD5311X可提供高達±20kV（接觸放電）的ESD保護，并根據IEC61000-4-5標準，能承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5311X采用WBFBP-02C-C封裝，為標準無鉛且無鹵素產品。

主要特性：

截止電壓：5V

根據IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態(tài)保護：±20kV（接觸放電）

根據IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護：4A（8/20μs）

極低電容：CJ=0.25pF（典型值）

極低漏電流：IR<1nA（典型值）

低鉗位電壓：VCL=22V（典型值）@IPP=16A（TLP）

固態(tài)硅技術

應用領域：

USB2.0和USB3.0

HDMI1.3和HDMI1.4

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便攜式電子設備

筆記本電腦

    ESD5311X是一款專為高速數據接口設計的瞬態(tài)電壓抑制器，可承受高達±20kV的靜電放電和4A的峰值脈沖電流，保護電子組件免受損害。適用于USB、HDMI、SATA等接口，確保數據傳輸的穩(wěn)定性。緊湊、環(huán)保，廣泛應用于便攜式設備和筆記本電腦。如需更多信息，請查閱手冊或聯系我們。

WNMD2171雙N溝道、20V、6.0A功率MOSFET

產品描述：

     WNMD2171是一款雙N溝道增強型MOSFET場效應晶體管。這款MOSFET的特殊設計使得在電路板上連接其漏極變得不必要，因為MOSFET1和MOSFET2的漏極是內部連接的。該產品采用先進的溝槽技術和設計，提供了出色的導通電阻（RSS(ON)）和低柵極電荷。這款器件專為鋰離子電池保護電路而設計。WNMD2171采用CSP-4L封裝。標準產品WNMD2171是無鉛和無鹵素的。小型CSP4L封裝。

產品特性：

· 溝槽技術

· 超高密度單元設計

· 出色的導通電阻

· 極低的閾值電壓

應用領域：

· 鋰離子電池保護電路

       WNMD2171是一款采用先進技術的雙N溝道MOSFET，特別適用于鋰離子電池保護電路。其內部連接的漏極設計簡化了電路布局，而優(yōu)異的導通電阻和極低的閾值電壓則提供了高效的電池管理。這款產品的小型CSP-4L封裝使其成為空間受限應用中的理想選擇。此外，其無鉛和無鹵素的特點也符合現代環(huán)保標準。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 WPM3021-8/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：SOP-8。

    WL2803E系列是一種采用CMOS工藝制造的低壓差線性穩(wěn)壓器，具有極低的壓降、低靜態(tài)電流和高電源抑制比（PSRR）等特點。在500mA的負載電流下，其壓降只有130mV（典型值）。這使得它在需要高輸出電流的消費者和網絡應用中極具吸引力。

特性：

· 輸入電壓范圍：2.5V至5.5V

· 輸出電壓范圍：1.2V至3.3V，步長為0.1V

· 輸出電流：500mAPSRR（電源抑制比）：在1KHz時為65dB

· 壓降電壓：在IOUT=0.5A時為130mV

· 輸出噪聲：100uV

· 靜態(tài)電流：典型值為150μA

此外，WL2803E系列還具備熱關斷（OTP）和電流限制功能，以確保在異常條件下芯片和電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性。同時，采用微調技術保證輸出電壓精度在±2%以內。

應用：

· LCD電視

· 機頂盒（STB）

· 計算機、圖形卡

· 網絡通信設備

· 其他便攜式電子設備

    WL2803E系列CMOSLDO為現代電子設備提供穩(wěn)定電源，具有極

低壓降、低靜態(tài)電流和高電源抑制比，有效減少電源噪聲干擾。寬輸出電壓范圍和微調技術滿足各種應用需求，適用于LCD電視、機頂盒和計算機通信設備。緊湊封裝和環(huán)保設計使其易于集成。如需更多信息，請查閱數據手冊或聯系我們。 ESD5341N-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WSB5524D

SPD9112W-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：SOT-323。代理分銷商WILLSEMI韋爾WAS3157D

WNM2016A：N溝道增強型MOSFET場效應晶體管

產品描述：

WNM2016A它采用先進的溝槽技術和設計，以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。該器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WNM2016A為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。

產品特性：

· 溝槽技術

· 超高密度單元

· 設計出色的ON電阻

· 極低的閾值電壓

應用領域：

· DC/DC轉換器

· 電源轉換器

· 電路便攜式設備的負載/電源開關      

      WNM2016A是一款高性能的N溝道MOSFET，專為現代電子設備中的高效能量轉換和開關應用而設計。其獨特的溝槽技術和高密度單元設計提供了優(yōu)越的電氣性能，包括低RDS(ON)和低柵極電荷，從而實現高效能量轉換和減少熱量損失。此外，極低的閾值電壓和SOT-23小型封裝使其成為便攜式設備中的理想選擇，因為它既能夠提供強大的性能，又能夠節(jié)省空間。無論是DC/DC轉換器、電源轉換器電路，還是便攜式設備的負載/電源開關，WNM2016A都是一個出色的選擇，能夠確保設備的穩(wěn)定運行和高效能量管理。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WAS3157D