WPM1481：單P溝道、-12V、-5.1A功率MOSFET

產(chǎn)品描述：

    WPM1481是一款P溝道增強型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用了先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計，以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標準產(chǎn)品WPM1481為無鉛產(chǎn)品。小型DFN2*2-6L封裝。

產(chǎn)品特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計

· 出色的導(dǎo)通電阻

· 適用于更高的直流電流

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 繼電器、電磁閥、電機、LED等的驅(qū)動器

· DC-DC轉(zhuǎn)換電路

· 電源開關(guān)

· 負載開關(guān)

· 充電應(yīng)用  

     WPM1481是一款高性能的P溝道功率MOSFET，專為高電流應(yīng)用而設(shè)計。其出色的RDS(ON)和極低的閾值電壓使其成為DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路的理想選擇。同時，其小型DFN2*2-6L封裝使得它在空間受限的應(yīng)用中也能發(fā)揮出色。WPM1481作為無鉛產(chǎn)品，還符合環(huán)保要求。無論是用于驅(qū)動繼電器、電磁閥、電機還是LED，WPM1481都能提供可靠且高效的性能。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WPM3401-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOT-23-3L。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5401N

     ESD9X5VL是一款單向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），為可能遭受靜電放電（ESD）的敏感電子元件提供極高水平的保護。它被設(shè)計用于替代消費設(shè)備中的多層變阻器（MLV），適用于手機、筆記本電腦、平板電腦、機頂盒、液晶電視等設(shè)備。ESD9X5VL結(jié)合了一對極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準，它可用于提供高達±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受8/20μs脈沖的峰值電流高達4A。ESD9X5VL采用FBP-02C封裝，標準產(chǎn)品為無鉛、無鹵素。

特性：

· 截止電壓：5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）為每條線路提供瞬態(tài)保護：±20kV（接觸和空氣放電）

· IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

· IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=1.2pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=18V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子產(chǎn)品

· 筆記本電腦

    ESD9X5VL是保護高速數(shù)據(jù)接口免受靜電放電損害的瞬態(tài)電壓抑制器。響應(yīng)迅速，避免噪聲和干擾，高可靠且適用于便攜式設(shè)備。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WS4696EWL2815D18-4/TR 線性穩(wěn)壓器韋爾 封裝:X2-DFN1010-4-EP。

WD1502F：28V,2A降壓型（Step-Down）直流/直流（DC/DC）轉(zhuǎn)換器

    WD1502F是一款高效率、同步降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器。它可以在4.5V至28V的輸入電壓范圍內(nèi)工作，并提供高達2A的連續(xù)輸出電流。內(nèi)部同步功率開關(guān)可在不使用外部肖特基二極管的情況下提供高效率。WD1502F以650kHz的固定開關(guān)頻率工作，并采用脈沖寬度調(diào)制（PWM）。在輕負載電流時，它會進入脈沖跳變調(diào)制（PSM）操作，以在整個負載電流范圍內(nèi)保持高效率和低輸出紋波。WD1502F具有短路保護、熱保護和輸入欠壓鎖定功能。它采用TSOT-23-6L封裝，為標準無鉛和無鹵素產(chǎn)品。

其主要特性包括：

· 寬范圍4.5V~28V的工作輸入電壓

· 典型的650kHz開關(guān)頻率

· 2A連續(xù)輸出電流

· 低至2μA的關(guān)機電流，60μA的靜態(tài)電流

· 內(nèi)部5mS軟啟動

· 峰值效率>94%

· 150mΩ內(nèi)部功率HSMOSFET開關(guān)

· 75mΩ內(nèi)部同步LSMOSFET開關(guān)

· 逐周期過流保護

應(yīng)用領(lǐng)域包括：

· 12V、24V分布式電源總線供電

· 工業(yè)應(yīng)用

· 白色家電

· 消費類應(yīng)用

     WD1502F適用于需要高效、緊湊和可靠電源轉(zhuǎn)換的多種應(yīng)用。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

    WL2801E系列是一款高精度、低噪聲、高速、低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器，具有優(yōu)異的紋波抑制能力。該系列為手機、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了經(jīng)濟高效的新一代性能。其電流限制器的折回電路不止作為短路保護，還在輸出引腳處作為輸出電流限制器。

產(chǎn)品特點：

· 輸入電壓范圍：2.7V至5.5V

· 輸出電壓范圍：1.2V至3.3V

· 輸出電流：在輸出電壓小于2V時，典型值為200mA；在輸出電壓大于2V時，典型值為300mA。

· 電源抑制比（PSRR）：在217Hz時達到75dB

· 壓差電壓：在輸出電流為200mA時，壓差為170mV

· 靜態(tài)電流：典型值為70μA

· 關(guān)斷電流：小于0.1μA

· 推薦電容器：1uF

應(yīng)用領(lǐng)域：

· MP3/MP4播放器

· 手機和無線電話

· 數(shù)碼相機

· 藍牙和無線手持設(shè)備

· 其他便攜式電子設(shè)備

    WL2801E系列以其高精度、低噪聲和高效能的特點，為現(xiàn)代便攜式設(shè)備提供了理想的電源管理解決方案。無論是手機、筆記本電腦還是MP3播放器，它都能確保設(shè)備在長時間使用中保持出色的性能和穩(wěn)定的電力供應(yīng)。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD5441N02-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。

WNMD2171雙N溝道、20V、6.0A功率MOSFET

產(chǎn)品描述：

     WNMD2171是一款雙N溝道增強型MOSFET場效應(yīng)晶體管。這款MOSFET的特殊設(shè)計使得在電路板上連接其漏極變得不必要，因為MOSFET1和MOSFET2的漏極是內(nèi)部連接的。該產(chǎn)品采用先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計，提供了出色的導(dǎo)通電阻（RSS(ON)）和低柵極電荷。這款器件專為鋰離子電池保護電路而設(shè)計。WNMD2171采用CSP-4L封裝。標準產(chǎn)品WNMD2171是無鉛和無鹵素的。小型CSP4L封裝。

產(chǎn)品特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計

· 出色的導(dǎo)通電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 鋰離子電池保護電路

       WNMD2171是一款采用先進技術(shù)的雙N溝道MOSFET，特別適用于鋰離子電池保護電路。其內(nèi)部連接的漏極設(shè)計簡化了電路布局，而優(yōu)異的導(dǎo)通電阻和極低的閾值電壓則提供了高效的電池管理。這款產(chǎn)品的小型CSP-4L封裝使其成為空間受限應(yīng)用中的理想選擇。此外，其無鉛和無鹵素的特點也符合現(xiàn)代環(huán)保標準。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD5B5VL-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：SOD-523。中文資料WILLSEMI韋爾ESD5431ZL

WNM3018-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOT-323。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5401N

WNM2021：單N溝道、20V、0.6A功率MOSFET

產(chǎn)品描述

    WNM2021是一款N溝道增強型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標準產(chǎn)品WNM2021為無鉛產(chǎn)品。小型SOT-323封裝

產(chǎn)品特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計

· 出色的導(dǎo)通電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 電源轉(zhuǎn)換器電路

· 便攜式設(shè)備的負載/電源切換

     WNM2021是一款高性能的N溝道功率MOSFET，具有出色的RDS(ON)和低柵極電荷。其先進的溝槽技術(shù)和高密度單元設(shè)計使其在DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。極低的閾值電壓和小型SOT-323封裝使其成為便攜式設(shè)備負載/電源切換的理想選擇。此外，WNM2021作為無鉛產(chǎn)品，符合環(huán)保要求。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5401N