鋰金屬電池生產(chǎn)線解析
米開羅那鋰金屬固態(tài)電池成套實(shí)驗(yàn)線正式向客戶交付
?專為固態(tài)電池研發(fā)|米開羅那正式推出鋰金屬全固態(tài)電池實(shí)驗(yàn)線
鋰銅復(fù)合帶負(fù)極制片機(jī):鋰銅負(fù)極制片的好幫手
米開羅那出席第五屆中國固態(tài)電池技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用研討會
米開羅那(東莞)工業(yè)智能科技有限公司在香港城市大學(xué)-復(fù)旦大學(xué)
新能源鋰電設(shè)備維護(hù)管理:延長設(shè)備使用壽命的技巧
新能源鋰電設(shè)備的技術(shù)前沿:探索未來電池制造的發(fā)展方向
鋰電池全套設(shè)備運(yùn)行與維護(hù):優(yōu)化設(shè)備性能的實(shí)用技巧-工業(yè)鋰電池
鋰電池自動組裝設(shè)備:實(shí)現(xiàn)高精度與高穩(wěn)定性生產(chǎn)的必備條件
ESD5311N:單線、雙向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器。
ESD5311N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別針對連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,以防止由靜電放電(ESD)引起的過度壓力。其內(nèi)部包含一個低電容的轉(zhuǎn)向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),它可以提供高達(dá)±20kV(接觸放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。采用DFN1006-2L封裝,為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品,無鉛且不含鹵素。
其主要特性包括:截止電壓:5V,根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線瞬態(tài)保護(hù):±20kV(接觸放電),根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護(hù):4A(8/20μs),低電容:CJ = 0.25pF(典型值),低漏電流:IR < 1nA(典型值),低箝位電壓:VCL = 21V(典型值)@ IPP = 16A(TLP),固態(tài)硅技。
應(yīng)用領(lǐng)域包括:USB 2.0和USB 3.0,HDMI 1.3和HDMI 1.4,SATA和eSATA,DVI,IEEE 1394,PCI Express,便攜式電子設(shè)備,筆記本電腦。
ESD5311N為高速數(shù)據(jù)接口提供了出色的靜電放電保護(hù),適用于高數(shù)據(jù)傳輸和嚴(yán)格ESD防護(hù)應(yīng)用。如有進(jìn)一步問題或需求,請隨時與我們聯(lián)系。我們期待與您合作,為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。 WL2801E18-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5。中文資料WILLSEMI韋爾WPM03137E
WS3222是一款具有可調(diào)OVLO(過壓鎖定)閾值電壓的過壓保護(hù)(OVP)負(fù)載開關(guān)。當(dāng)輸入電壓超過閾值時,該設(shè)備將關(guān)閉內(nèi)部MOSFET,斷開輸入到輸出的連接,以保護(hù)負(fù)載。當(dāng)OVLO輸入設(shè)定低于外部OVLO選擇電壓時,WS3222會自動選擇內(nèi)部固定的OVLO閾值電壓。過壓保護(hù)閾值電壓可以通過外部電阻分壓器進(jìn)行調(diào)整,OVLO閾值電壓范圍為4V~15V。過熱保護(hù)(OTP)功能監(jiān)控芯片溫度,以保護(hù)設(shè)備。WS3222采用DFN2×2-8L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品無鉛且無鹵素。
特點(diǎn):
· 輸入電壓:29V
· 導(dǎo)通電阻:45mΩ(典型值)
· 超快OVP響應(yīng)時間:450ns(典型值)
· 可調(diào)OVLO
· 閾值電壓:4V~15V
應(yīng)用:
· 手機(jī)和平板電腦
· 便攜式媒體播放器
· STB、OTT(機(jī)頂盒、互聯(lián)網(wǎng)電視)
· 汽車DVR、汽車媒體系統(tǒng)外設(shè)
WS3222是專為現(xiàn)代便攜設(shè)備設(shè)計(jì)的靈活高效過壓保護(hù)開關(guān)。其特色在于可調(diào)OVLO閾值,為不同應(yīng)用提供定制化保護(hù)。超快450納秒OVP響應(yīng)時間確保負(fù)載在瞬間過壓下得到保護(hù)。低導(dǎo)通電阻減少正常功耗。集成OTP功能增強(qiáng)可靠性。緊湊封裝適合空間受限應(yīng)用,符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。如需更多信息,請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WMM7027ABENA0-4/TRWNM4002-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝:SOT-523-3。
WAS3157B是一款高性能的單刀雙擲(SPDT)CMOS模擬開關(guān),專為總線切換或音頻切換應(yīng)用設(shè)計(jì)。它具備高達(dá)400MHz的-3dB帶寬和低導(dǎo)通電阻(典型值為5.5Ω)。此外,其SEL引腳具有過壓保護(hù)功能,允許引腳上的電壓超過VCC,至高可達(dá)7.0V,而不會損壞部件或影響其操作,無論工作電壓如何。WAS3157B還配備了智能電路,以至小化VCC泄漏電流,即使在SEL控制電壓低于VCC電源電壓時也是如此。簡而言之,在實(shí)際應(yīng)用中,無需額外的設(shè)備來使SEL電平與VCC電平保持一致。WAS3157B采用標(biāo)準(zhǔn)的SOT-363(SC-70-6L)封裝,標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。
特性:
· 電源電壓:1.5~5.5V
· 導(dǎo)通電阻:在VCC=4.5V時為5.5Ω-3dB
· 帶寬:在CL=5pF時為400MHz
· 斷開隔離度:在10MHz時為-69dB
· 低靜態(tài)電流:<1uA
· 先斷后合功能ESD保護(hù):HBM為±8000V,MM為±600V
應(yīng)用領(lǐng)域:
· 手機(jī)
· MID(移動互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備)
· 其他便攜式設(shè)備
WAS3157B是一款功能強(qiáng)大且易于集成的模擬開關(guān)解決方案,適用于需要高效、可靠的切換功能的各種便攜式設(shè)備。其優(yōu)異的性能和多種保護(hù)功能使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備中的理想選擇。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。
WL2803E:極低壓差、500mA、CMOSLDO(低壓差線性穩(wěn)壓器
產(chǎn)品描述
WL2803E系列是一款具有極低壓差、低靜態(tài)電流和高電源抑制比(PSRR)的CMOSLDO。在500mA負(fù)載電流下,其壓差電壓典型值為130mV。由于采用CMOS結(jié)構(gòu),WL2803E在整個輸入電壓范圍內(nèi)的靜態(tài)電流典型值為150μA,使其成為需要高輸出電流的消費(fèi)者和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的理想選擇。
WL2803E系列提供從1.2V到3.3V的寬輸出電壓范圍版本,步長為0.1V。WL2803E系列還提供了過熱保護(hù)(OTP)和限流功能,以確保在錯誤條件下芯片和電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性,并使用微調(diào)技術(shù)保證輸出電壓精度在±2%以內(nèi)。
封裝與環(huán)保信息:WL2803E穩(wěn)壓器采用SOT-23-5L封裝,并符合無鉛和無鹵素環(huán)保要求。
產(chǎn)品特性
輸入電壓:2.5V~5.5V
輸出電壓:1.2V~3.3V
輸出電流:500mA
PSRR:65dB@1KHz
壓差電壓:130mV@IOUT=0.5A
輸出噪聲:100uV
靜態(tài)電流:150μA(典型值)
應(yīng)用領(lǐng)域
LCD電視
機(jī)頂盒(STB)
計(jì)算機(jī)和圖形卡
網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備
其他便攜式電子設(shè)備
WL2803E是一款高性能LDO,壓差低、PSRR高、靜態(tài)電流低。適用于消費(fèi)電子產(chǎn)品和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用,輸出電壓準(zhǔn)確穩(wěn)定。具備過熱保護(hù)和限流功能,增強(qiáng)可靠性。您如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESDA6V8AV5-5/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:SOT-553。
ESD5311X是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)引起的過應(yīng)力影響。ESD5311X包含一個極低電容的轉(zhuǎn)向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD5311X可提供高達(dá)±20kV(接觸放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn),能承受高達(dá)4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5311X采用WBFBP-02C-C封裝,為標(biāo)準(zhǔn)無鉛且無鹵素產(chǎn)品。
主要特性:
截止電壓:5V
根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線瞬態(tài)保護(hù):±20kV(接觸放電)
根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護(hù):4A(8/20μs)
極低電容:CJ=0.25pF(典型值)
極低漏電流:IR<1nA(典型值)
低鉗位電壓:VCL=22V(典型值)@IPP=16A(TLP)
固態(tài)硅技術(shù)
應(yīng)用領(lǐng)域:
USB2.0和USB3.0
HDMI1.3和HDMI1.4
SATA和eSATA
DVI
IEEE 1394
PCI Express
便攜式電子設(shè)備
筆記本電腦
ESD5311X是一款專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)的瞬態(tài)電壓抑制器,可承受高達(dá)±20kV的靜電放電和4A的峰值脈沖電流,保護(hù)電子組件免受損害。適用于USB、HDMI、SATA等接口,確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆€(wěn)定性。緊湊、環(huán)保,廣泛應(yīng)用于便攜式設(shè)備和筆記本電腦。如需更多信息,請查閱手冊或聯(lián)系我們。 ESD5302N-3/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:DFN1006-3L。代理分銷商WILLSEMI韋爾WNMD2162B
WL2803E30-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5。中文資料WILLSEMI韋爾WPM03137E
WPM1481:單P溝道、-12V、-5.1A功率MOSFET
產(chǎn)品描述:
WPM1481是一款P溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì),以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WPM1481為無鉛產(chǎn)品。小型DFN2*2-6L封裝。
產(chǎn)品特性:
· 溝槽技術(shù)
· 超高密度單元設(shè)計(jì)
· 出色的導(dǎo)通電阻
· 適用于更高的直流電流
· 極低的閾值電壓
應(yīng)用領(lǐng)域:
· 繼電器、電磁閥、電機(jī)、LED等的驅(qū)動器
· DC-DC轉(zhuǎn)換電路
· 電源開關(guān)
· 負(fù)載開關(guān)
· 充電應(yīng)用
WPM1481是一款高性能的P溝道功率MOSFET,專為高電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其出色的RDS(ON)和極低的閾值電壓使其成為DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路的理想選擇。同時,其小型DFN2*2-6L封裝使得它在空間受限的應(yīng)用中也能發(fā)揮出色。WPM1481作為無鉛產(chǎn)品,還符合環(huán)保要求。無論是用于驅(qū)動繼電器、電磁閥、電機(jī)還是LED,WPM1481都能提供可靠且高效的性能。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WPM03137E