WPM1483是一個(gè)單P溝道、-12V、-5A的功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。它采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，以提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WPM1483為無鉛、無鹵素。

特性：

溝槽技術(shù)

超高密度單元設(shè)計(jì)

優(yōu)異的ON電阻，適用于更高的直流電流

極低的閾值電壓

小型SOT-23封裝

應(yīng)用：

繼電器、螺線管、電機(jī)、LED等的驅(qū)動(dòng)器

DC-DC轉(zhuǎn)換器電路

電源開關(guān)

負(fù)載開關(guān)

充電應(yīng)用

    WPM1483是一款P溝道功率MOSFET，采用先進(jìn)溝槽技術(shù)，具有低RDS(ON)和低柵極電荷，適用于高效、高可靠性電力管理應(yīng)用。可承受-5A直流電流，極低閾值電壓降低功耗。小型SOT-23封裝，無鉛無鹵素，環(huán)保且易于集成。適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)，驅(qū)動(dòng)繼電器、電機(jī)等應(yīng)用。詳情查閱手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WAS4642Q-24/TR 模擬開關(guān)/多路復(fù)用器 封裝：QFN2534-24L。中文資料WILLSEMI韋爾WNM01N10

ESD5311N：單線、雙向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器。

     ESD5311N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別針對(duì)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，以防止由靜電放電（ESD）引起的過度壓力。其內(nèi)部包含一個(gè)低電容的轉(zhuǎn)向二極管對(duì)和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，它可以提供高達(dá)±20kV（接觸放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。采用DFN1006-2L封裝，為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，無鉛且不含鹵素。

      其主要特性包括：截止電壓：5V，根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸放電），根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護(hù)：4A（8/20μs），低電容：CJ = 0.25pF（典型值），低漏電流：IR < 1nA（典型值），低箝位電壓：VCL = 21V（典型值）@ IPP = 16A（TLP），固態(tài)硅技。

     應(yīng)用領(lǐng)域包括：USB 2.0和USB 3.0，HDMI 1.3和HDMI 1.4，SATA和eSATA，DVI，IEEE 1394，PCI Express，便攜式電子設(shè)備，筆記本電腦。

     ESD5311N為高速數(shù)據(jù)接口提供了出色的靜電放電保護(hù)，適用于高數(shù)據(jù)傳輸和嚴(yán)格ESD防護(hù)應(yīng)用。如有進(jìn)一步問題或需求，請(qǐng)隨時(shí)與我們聯(lián)系。我們期待與您合作，為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WS72142RB521S30-2/TR 肖特基二極管 封裝：SOD-523。

    WAS3157B是一款高性能的單刀雙擲（SPDT）CMOS模擬開關(guān)，專為總線切換或音頻切換應(yīng)用設(shè)計(jì)。它具備高達(dá)400MHz的-3dB帶寬和低導(dǎo)通電阻（典型值為5.5Ω）。此外，其SEL引腳具有過壓保護(hù)功能，允許引腳上的電壓超過VCC，至高可達(dá)7.0V，而不會(huì)損壞部件或影響其操作，無論工作電壓如何。WAS3157B還配備了智能電路，以至小化VCC泄漏電流，即使在SEL控制電壓低于VCC電源電壓時(shí)也是如此。簡而言之，在實(shí)際應(yīng)用中，無需額外的設(shè)備來使SEL電平與VCC電平保持一致。WAS3157B采用標(biāo)準(zhǔn)的SOT-363(SC-70-6L)封裝，標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

特性：

· 電源電壓：1.5~5.5V

· 導(dǎo)通電阻：在VCC=4.5V時(shí)為5.5Ω-3dB

· 帶寬：在CL=5pF時(shí)為400MHz

· 斷開隔離度：在10MHz時(shí)為-69dB

· 低靜態(tài)電流：<1uA

· 先斷后合功能ESD保護(hù)：HBM為±8000V，MM為±600V

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 手機(jī)

· MID（移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備）

· 其他便攜式設(shè)備

    WAS3157B是一款功能強(qiáng)大且易于集成的模擬開關(guān)解決方案，適用于需要高效、可靠的切換功能的各種便攜式設(shè)備。其優(yōu)異的性能和多種保護(hù)功能使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備中的理想選擇。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。

ESD5451N：雙向瞬態(tài)電壓保護(hù)神

     ESD5451N是一款高效的雙向瞬態(tài)電壓抑制器，專為保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態(tài)電壓侵害而設(shè)計(jì)。它能承受高達(dá)±30kV的接觸和空氣放電，以及峰值脈沖電流達(dá)8A（8/20μs），為低速數(shù)據(jù)線和控制線提供強(qiáng)大的保護(hù)

    這款抑制器采用DFN1006-2L封裝，具有無鉛和無鹵素等環(huán)保特性。其反向截止電壓為±5VMax，電容典型值為17.5pF，漏電流極低，典型值小于1nA。此外，其低鉗位電壓特性使其在電流脈沖下仍能保持穩(wěn)定的電壓輸出。

    ESD5451N適用于多種應(yīng)用場景，包括手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦等便攜式設(shè)備，以及網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備等。其出色的瞬態(tài)電壓抑制能力和穩(wěn)定性，為電子設(shè)備提供了可靠的保障。

    安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷，可以提供樣品供您測試。如有關(guān)于ESD5451N的進(jìn)一步問題或需求，請(qǐng)隨時(shí)與我們聯(lián)系。我們期待與您合作，為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。 WS72552M-8/TR 運(yùn)算放大器 封裝：MSOP-8。

WNM2021：單N溝道、20V、0.6A功率MOSFET

產(chǎn)品描述

    WNM2021是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2021為無鉛產(chǎn)品。小型SOT-323封裝

產(chǎn)品特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 出色的導(dǎo)通電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 電源轉(zhuǎn)換器電路

· 便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源切換

     WNM2021是一款高性能的N溝道功率MOSFET，具有出色的RDS(ON)和低柵極電荷。其先進(jìn)的溝槽技術(shù)和高密度單元設(shè)計(jì)使其在DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。極低的閾值電壓和小型SOT-323封裝使其成為便攜式設(shè)備負(fù)載/電源切換的理想選擇。此外，WNM2021作為無鉛產(chǎn)品，符合環(huán)保要求。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 ESD5431N-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。中文資料WILLSEMI韋爾WNM01N10

WS74199B-6/TR 電流感應(yīng)放大器 封裝：SOT-363。中文資料WILLSEMI韋爾WNM01N10

WS4612：60mΩ電流限制型電源分配開關(guān)

產(chǎn)品描述

    WS4612是一款具有高側(cè)開關(guān)和極低導(dǎo)通電阻的P-MOSFET。其集成的電流限制功能可以限制大電容負(fù)載、過載電流和短路電流的涌入，從而保護(hù)電源。此外，WS4612還集成了反向保護(hù)功能，當(dāng)設(shè)備關(guān)閉時(shí)，可以消除開關(guān)上的任何反向電流流動(dòng)。設(shè)備關(guān)閉時(shí)，輸出自動(dòng)放電，使輸出電壓迅速關(guān)閉。熱關(guān)斷功能可以保護(hù)設(shè)備和負(fù)載。WS4612提供SOT-23-5L和TSOT-23-5L兩種封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性

· 輸入電壓范圍：2.5-5.5V

· 主開關(guān)RON：60mΩ@VIN=5.0V

· 電流限制精度：±15%

· 調(diào)整電流限制范圍：0.1A-2.5A（典型值）

· 典型上升時(shí)間：600μS

· 靜態(tài)供電電流：26μA

· 欠壓鎖定

· 自動(dòng)放電

· 反向阻斷（無“體二極管”）

· 過溫保護(hù)

應(yīng)用領(lǐng)域

· USB外設(shè)

· USB Dongle

· USB 3G數(shù)據(jù)卡

· 3.3V或5V電源開關(guān)

· 3.3V或5V電源分配

     WS4612是功能豐富的電源分配開關(guān)，專為現(xiàn)代電子設(shè)備電源管理和保護(hù)設(shè)計(jì)。極低導(dǎo)通電阻和集成電流限制功能，應(yīng)對(duì)高電容負(fù)載和短路情況。反向保護(hù)和自動(dòng)放電功能增強(qiáng)安全性。適用于USB外設(shè)、數(shù)據(jù)卡和電源分配，確保設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行。緊湊封裝，環(huán)保無鉛無鹵素設(shè)計(jì)，易集成。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WNM01N10