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中文資料WILLSEMI韋爾ESD5411N

來源: 發(fā)布時間:2024-05-01

    WS4665是一個單通道負載開關(guān),提供可配置的上升時間以極小化涌流。該設(shè)備包含一個N型MOSFET,可以在0.8V至5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作,并支持連續(xù)電流上線為6A。開關(guān)由開/關(guān)輸入(ON)控制,該輸入能夠直接與低電壓控制信號接口。在WS4665中,增加了一個230Ω的片上負載電阻,用于在開關(guān)關(guān)閉時進行快速輸出放電。WS4665采用小型、節(jié)省空間的2.00mmx2.00mm8引腳DFN封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

主要特性:

· 集成單通道負載開關(guān)

· 輸入電壓范圍:0.8V至5.5V

· 極低導(dǎo)通電阻(RON)RON=14mΩatVIN=5V(VBIAS=5V)

· 連續(xù)開關(guān)上限電流為6A

· 低控制輸入閾值,支持1.2V、1.8V、2.5V和3.3V邏輯

· 可配置的上升時間

· 快速輸出放電(QOD)

· ESD性能經(jīng)過JESD22測試2000VHBM和1000VCDM


應(yīng)用領(lǐng)域:

· 超極本TM

· 筆記本電腦/上網(wǎng)本

· 平板電腦

· 消費電子產(chǎn)品

· 機頂盒/住宅網(wǎng)關(guān)

· 電信系統(tǒng)

    WS4665適用于多種應(yīng)用場合,如超極本、筆記本電腦/上網(wǎng)本、平板電腦、消費電子產(chǎn)品、機頂盒/住宅網(wǎng)關(guān)以及電信系統(tǒng)等。如需更多信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)數(shù)據(jù)手冊或與我們聯(lián)系。 ESD5471X-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:FBP-02C。中文資料WILLSEMI韋爾ESD5411N

中文資料WILLSEMI韋爾ESD5411N,WILLSEMI韋爾

ESD9B5VL:單線雙向瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述

     ESD9B5VL是一個雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)。它特別設(shè)計用于保護連接到低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件,免受由靜電放電(ESD)、電氣快速瞬態(tài)(EFT)和雷電引起的過應(yīng)力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標準,ESD9B5VL可用于提供高達±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護,并可根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達3A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD9B5VL采用FBP-02C封裝。標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

產(chǎn)品特性

· 反向截止電壓:±5VMax

· 根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線路

· 瞬態(tài)保護:±20kV(接觸和空氣放電)

· 根據(jù)IEC61000-4-4(EFT)的瞬態(tài)保護:20A(5/50ns)

· 根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護:3A(8/20μs)

· 電容:CJ=5.0pFtyp

· 低泄漏電流:IR<1nAtyp

· 低箝位電壓:VCL=13Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域

· 手機

· 平板電腦

· 筆記本電腦

· 其他便攜式設(shè)備

· 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備    

    ESD9B5VL是高效的瞬態(tài)電壓抑制器,保護電子設(shè)備免受靜電放電等瞬態(tài)事件影響。適用于手機、平板等便攜式設(shè)備,保護敏感電子組件。高保護能力、低泄漏和低箝位電壓,穩(wěn)定可靠。詳情請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾ESD56181W09ESD5451X-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:FBP-02C。

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ESD56151Wxx:電源保護新選擇

     ESD56151Wxx雙向瞬態(tài)電壓抑制器,是為現(xiàn)代電子設(shè)備中的電源接口設(shè)計。它的反向截止電壓范圍是4.5V至5V,有效保護電路免受過高電壓的損害。這款抑制器符合IEC61000-4-5標準,為電路提供強大的浪涌保護,同時遵循IEC61000-4-2標準,提供±30kV的ESD保護。 

     ESD56151Wxx的特點在于其低鉗位電壓設(shè)計,能迅速將電壓限制在安全范圍內(nèi),減少對敏感電子元件的損害。其采用的固態(tài)硅技術(shù)確保了出色的穩(wěn)定性和可靠性,確保在長期使用中仍能保持優(yōu)異的性能。 

     這款ESD適用于各種需要電源保護和管理的應(yīng)用場景,如便攜式電子設(shè)備、通信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備以及工業(yè)控制系統(tǒng)等。它能從各方面保護電源接口,提高設(shè)備穩(wěn)定性和可靠性,延長使用壽命,降低維修和更換成本。 

     安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD56151Wxx這款ESD,并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或技術(shù)支持,請隨時聯(lián)系我們。

WL2803E:極低壓差、500mA、CMOSLDO(低壓差線性穩(wěn)壓器

產(chǎn)品描述

     WL2803E系列是一款具有極低壓差、低靜態(tài)電流和高電源抑制比(PSRR)的CMOSLDO。在500mA負載電流下,其壓差電壓典型值為130mV。由于采用CMOS結(jié)構(gòu),WL2803E在整個輸入電壓范圍內(nèi)的靜態(tài)電流典型值為150μA,使其成為需要高輸出電流的消費者和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的理想選擇。

     WL2803E系列提供從1.2V到3.3V的寬輸出電壓范圍版本,步長為0.1V。WL2803E系列還提供了過熱保護(OTP)和限流功能,以確保在錯誤條件下芯片和電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性,并使用微調(diào)技術(shù)保證輸出電壓精度在±2%以內(nèi)。

    封裝與環(huán)保信息:WL2803E穩(wěn)壓器采用SOT-23-5L封裝,并符合無鉛和無鹵素環(huán)保要求。

產(chǎn)品特性

輸入電壓:2.5V~5.5V

輸出電壓:1.2V~3.3V

輸出電流:500mA

PSRR:65dB@1KHz

壓差電壓:130mV@IOUT=0.5A

輸出噪聲:100uV

靜態(tài)電流:150μA(典型值)

應(yīng)用領(lǐng)域

LCD電視

機頂盒(STB)

計算機和圖形卡

網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備

其他便攜式電子設(shè)備  

      WL2803E是一款高性能LDO,壓差低、PSRR高、靜態(tài)電流低。適用于消費電子產(chǎn)品和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用,輸出電壓準確穩(wěn)定。具備過熱保護和限流功能,增強可靠性。您如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD5304D-10/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:UDFN-10(1x2.5)。

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WPM1481:單P溝道、-12V、-5.1A功率MOSFET

產(chǎn)品描述:

    WPM1481是一款P溝道增強型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用了先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計,以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標準產(chǎn)品WPM1481為無鉛產(chǎn)品。小型DFN2*2-6L封裝。

產(chǎn)品特性:

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計

· 出色的導(dǎo)通電阻

· 適用于更高的直流電流

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域:

· 繼電器、電磁閥、電機、LED等的驅(qū)動器

· DC-DC轉(zhuǎn)換電路

· 電源開關(guān)

· 負載開關(guān)

· 充電應(yīng)用  

     WPM1481是一款高性能的P溝道功率MOSFET,專為高電流應(yīng)用而設(shè)計。其出色的RDS(ON)和極低的閾值電壓使其成為DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路的理想選擇。同時,其小型DFN2*2-6L封裝使得它在空間受限的應(yīng)用中也能發(fā)揮出色。WPM1481作為無鉛產(chǎn)品,還符合環(huán)保要求。無論是用于驅(qū)動繼電器、電磁閥、電機還是LED,WPM1481都能提供可靠且高效的性能。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 SPD8811B-2/TR 半導(dǎo)體放電管(TSS) 封裝:SMB。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WS3226C60

WD1502F-6/TR DC-DC電源芯片 封裝:TSOT-23-6L。中文資料WILLSEMI韋爾ESD5411N

  WPM2015xx是一款P溝道增強型MOS場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。它采用先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計,具有出色的RDS(ON)(導(dǎo)通電阻)和低柵極電荷。這使得WPM2015xx在中等電源電流和電流產(chǎn)出量的應(yīng)用中表現(xiàn)出色,尤其適用于電池管理、電機控制和高速開關(guān)等場景。

  WPM2015xx的主要特點包括:

1:穩(wěn)定的走電電壓和出色的導(dǎo)電電阻,這有助于在電子設(shè)備中實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的性能。

2:適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路等應(yīng)用,這些應(yīng)用需要精確控制電流和電壓。

3:采用無鉛、無鹵的環(huán)保封裝,符合現(xiàn)代電子產(chǎn)品的環(huán)保要求。

4:具有超高密度電池設(shè)計,適用于需要高效率和高穩(wěn)定性的電池管理系統(tǒng)。

5:極低的閾值電壓和小型化的SOT-23封裝使得WPM2015xx在空間受限的應(yīng)用中也能發(fā)揮出色的性能。

  在實際應(yīng)用中,WPM2015xx可以用于繼電器、電磁鐵和電機等設(shè)備的驅(qū)動和控制。通過控制柵極電壓,WPM2015xx可以實現(xiàn)對電流的精確調(diào)節(jié),從而實現(xiàn)對電機等設(shè)備的控制。

  安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦WPM2015xx這款MOS,并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或支持,請隨時聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾ESD5411N