WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升壓轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品描述：

     WD3133是一款高效率、高功率的峰值電流模式升壓轉(zhuǎn)換器。內(nèi)部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET，至小電流限制為1A。對于使用鋰離子電池的便攜式設(shè)備，WD3133可以從3.3V~5V的輸入電壓輸出典型的12V/200mA~300mA。這款升壓轉(zhuǎn)換器WD3133采用脈沖寬度調(diào)制（PWM）模式，固定開關(guān)頻率為1.2MHz，以減少輸出紋波并提高轉(zhuǎn)換效率。它還允許使用小型外部組件。在輕負(fù)載電流下，轉(zhuǎn)換器進(jìn)入跳過模式，以在絕大部分的負(fù)載電流范圍內(nèi)保持高效率。內(nèi)置的軟啟動電路可以至小化啟動時的涌入電流。WD3133采用SOT-23-5L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性：

寬輸入電壓范圍：2.7V至5.5V1.25V（±2%）

高精度參考電壓1.2MHz開關(guān)頻率

高達(dá)93%的效率

超過1A（至小值）的功率開關(guān)電流限制

從3.3V~5V的輸入提供典型的12V/200mA~300mA輸出

內(nèi)置軟啟動

應(yīng)用領(lǐng)域：

智能手機

平板電腦

便攜式游戲機

平板電腦（PADs）

      WD3133是專為便攜式設(shè)備設(shè)計的高效升壓轉(zhuǎn)換器，1.2MHz開關(guān)頻率和寬輸入電壓范圍使其適用于多種場景，如智能手機、平板電腦和游戲機等。其軟啟動電路和電流限制功能增強了安全性和可靠性，是電源管理的理想選擇。如需更多信息，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD54211N-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：WBFBP-02C-C。中文資料WILLSEMI韋爾WCR1K2N65TF

    WD3168：5V/300mA開關(guān)電容電壓轉(zhuǎn)換器，它能夠從一個非穩(wěn)壓輸入電壓中產(chǎn)生一個穩(wěn)定、低噪聲、低紋波的5V輸出電壓。即使在VIN大于5V的情況下，它也能維持5V的穩(wěn)壓輸出。它能夠以小巧的封裝提供≧300mA的電流。當(dāng)負(fù)載電流在典型條件下低于4mA時，WD3168會進(jìn)入跳模模式，此時其靜態(tài)電流會降低到170uA。只需3個外部電容器即可產(chǎn)生輸出電壓，從而節(jié)省PCB空間。

    此外，其軟啟動功能在開機和電源瞬態(tài)狀態(tài)下會限制涌入電流。WD3168內(nèi)置了電流限制保護(hù)功能，適合HDMI、USBOTG和其他電池供電的應(yīng)用。SOT-23-6L封裝，并在-40℃至+85℃的環(huán)境溫度范圍內(nèi)工作。

   其主要特性包括：

1、 輸出電流為300mA

2、寬輸入電壓范圍：2.7V至5.5V

3、固定輸出電壓為5.0V

4、雙倍電荷泵

5、較小外部元件：無需電感器

6、高頻操作：1.7MHz

7、自動軟啟動限制涌入電流

8、低紋波和EMI

9、過熱和過流保護(hù)

10、無負(fù)載條件下典型靜態(tài)電流為170uA（跳模模式）

   其應(yīng)用領(lǐng)域包括：

1、3V至5V的升壓轉(zhuǎn)換

2、USBOn-The-Go或HDMI5V供電

3、從較低軌道提供的本地5V供電

4、電池備份系統(tǒng)

5、手持便攜式設(shè)備

    WD3168是一種效率高、可靠的電源IC，適用于各種需要5V穩(wěn)定輸出的應(yīng)用場景。如需更詳細(xì)的信息或產(chǎn)品規(guī)格書請聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WMM7035AT0-6/TRESD5451NL-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。

ESD5305F：四通道單向低電容瞬態(tài)電壓抑制器

      產(chǎn)品描述：ESD5305F是一款專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計的低電容瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列。它特別用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件，免受由靜電放電（ESD）引起的過應(yīng)力影響。ESD5305F結(jié)合了四對低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管，以提供各方面的瞬態(tài)保護(hù)。封裝與環(huán)保信息：ESD5305F采用SOT23-6L封裝，滿足無鉛和無鹵素環(huán)保要求。

產(chǎn)品特性：

反向截止電壓：5V

根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，每條線路提供±30kV（接觸放電）的ESD保護(hù)

根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)，可承受高達(dá)6A（8/20μs）的峰值脈沖電流

低電容：CI/O-GND=0.65pF（典型值，Vcc=浮動狀態(tài)）；CI/O-GND=0.35pF（典型值，Vcc=5V）

極低泄漏電流：IR<1nA（典型值）

低鉗位電壓：VCL=16.5V@IPP=16A（TLP）

采用固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域：

USB2.0

HDMI1.3

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便攜式電子產(chǎn)品

筆記本電腦

關(guān)于ESD5305F 如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

    WNM2020是一款N溝道增強型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計，以在低柵極電荷下提供出色的RDS（ON）。這款器件非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2020是無鉛且無鹵素的。

    WNM2020是一款高性能的N溝道MOS場效應(yīng)晶體管，專為高效率的電源管理應(yīng)用而設(shè)計。其采用的先進(jìn)溝槽技術(shù)使得該晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)下具有很低的電阻（RDS（ON）），從而減少了功率損耗并提高了整體效率。同時，低柵極電荷使得該晶體管能夠快速響應(yīng)柵極驅(qū)動信號，進(jìn)一步提高了開關(guān)速度。這款晶體管非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器，其中高效率的電源開關(guān)是至關(guān)重要的。

    此外，它還可以用于各種充電電路，如電池充電器和太陽能充電器，以確保能量的有效轉(zhuǎn)換和利用。作為一款標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，WNM2020不僅具有出色的電性能，還符合環(huán)保要求，不含有鉛和鹵素等有害物質(zhì)。這使得它在各種環(huán)保法規(guī)日益嚴(yán)格的市場中具有廣的適用性?？傊?，WNM2020是一款高性能、高效率且環(huán)保的N溝道增強型MOS場效應(yīng)晶體管，非常適合用于各種電源管理和充電應(yīng)用。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WS72551E-5/TR 運算放大器 封裝：SOT-23-5L。

WD1502F：28V,2A降壓型（Step-Down）直流/直流（DC/DC）轉(zhuǎn)換器

    WD1502F是一款高效率、同步降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器。它可以在4.5V至28V的輸入電壓范圍內(nèi)工作，并提供高達(dá)2A的連續(xù)輸出電流。內(nèi)部同步功率開關(guān)可在不使用外部肖特基二極管的情況下提供高效率。WD1502F以650kHz的固定開關(guān)頻率工作，并采用脈沖寬度調(diào)制（PWM）。在輕負(fù)載電流時，它會進(jìn)入脈沖跳變調(diào)制（PSM）操作，以在整個負(fù)載電流范圍內(nèi)保持高效率和低輸出紋波。WD1502F具有短路保護(hù)、熱保護(hù)和輸入欠壓鎖定功能。它采用TSOT-23-6L封裝，為標(biāo)準(zhǔn)無鉛和無鹵素產(chǎn)品。

其主要特性包括：

· 寬范圍4.5V~28V的工作輸入電壓

· 典型的650kHz開關(guān)頻率

· 2A連續(xù)輸出電流

· 低至2μA的關(guān)機電流，60μA的靜態(tài)電流

· 內(nèi)部5mS軟啟動

· 峰值效率>94%

· 150mΩ內(nèi)部功率HSMOSFET開關(guān)

· 75mΩ內(nèi)部同步LSMOSFET開關(guān)

· 逐周期過流保護(hù)

應(yīng)用領(lǐng)域包括：

· 12V、24V分布式電源總線供電

· 工業(yè)應(yīng)用

· 白色家電

· 消費類應(yīng)用

     WD1502F適用于需要高效、緊湊和可靠電源轉(zhuǎn)換的多種應(yīng)用。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WPM2080-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOT-23-3L。中文資料WILLSEMI韋爾WPM3005

WL2803K33-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝：SOT-89-5。中文資料WILLSEMI韋爾WCR1K2N65TF

    WL2803E系列是一種采用CMOS工藝制造的低壓差線性穩(wěn)壓器，具有極低的壓降、低靜態(tài)電流和高電源抑制比（PSRR）等特點。在500mA的負(fù)載電流下，其壓降只有130mV（典型值）。這使得它在需要高輸出電流的消費者和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中極具吸引力。

特性：

· 輸入電壓范圍：2.5V至5.5V

· 輸出電壓范圍：1.2V至3.3V，步長為0.1V

· 輸出電流：500mAPSRR（電源抑制比）：在1KHz時為65dB

· 壓降電壓：在IOUT=0.5A時為130mV

· 輸出噪聲：100uV

· 靜態(tài)電流：典型值為150μA

此外，WL2803E系列還具備熱關(guān)斷（OTP）和電流限制功能，以確保在異常條件下芯片和電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性。同時，采用微調(diào)技術(shù)保證輸出電壓精度在±2%以內(nèi)。

應(yīng)用：

· LCD電視

· 機頂盒（STB）

· 計算機、圖形卡

· 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備

· 其他便攜式電子設(shè)備

    WL2803E系列CMOSLDO為現(xiàn)代電子設(shè)備提供穩(wěn)定電源，具有極

低壓降、低靜態(tài)電流和高電源抑制比，有效減少電源噪聲干擾。寬輸出電壓范圍和微調(diào)技術(shù)滿足各種應(yīng)用需求，適用于LCD電視、機頂盒和計算機通信設(shè)備。緊湊封裝和環(huán)保設(shè)計使其易于集成。如需更多信息，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WCR1K2N65TF