ESD5301N：低電容單線單向瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述：

      ESD5301N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）引起的過度應(yīng)力影響。

      包含一對(duì)低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，它可以提供高達(dá)±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。

      采用DFN1006-2L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性：

 1、截止電壓：5V

 2、根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線路瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸和空氣放電）

 3、 IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

 4、 IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）

 5、低電容：CJ=0.4pFtyp.

 6、低漏電流：IR<1nAtyp.

 7、低鉗位電壓：VCL=14.5Vtyp.@IPP=16A(TLP)

 8、固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域：

 1、USB2.0和USB3.0

 2、HDMI1.3和HDMI1.4

 3、SATA和eSATA

 4、DVI

 5、IEEE1394

 6、PCIExpress

 7、便攜式電子產(chǎn)品和筆記本電腦

安美斯科技專注于國(guó)產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD5301N這款TVS，并愿意提供樣品供您測(cè)試。如需更多信息或技術(shù)支持，請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系我們。 WL2836E08-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝：SOT-23-5L。中文資料WILLSEMI韋爾WS72142

WSB5546N-肖特基勢(shì)壘二極管

特性：

· 低反向電流

· 0.2A平均整流正向電流

· 無鉛和無鹵素：WSB5546N是一款環(huán)保產(chǎn)品，不含鉛和鹵素。

· 快速開關(guān)和低正向電壓降

· 反向阻斷

應(yīng)用：

· 電源管理

· 信號(hào)處理

· 電子設(shè)備保護(hù)

    總之，WSB5546N是一款具有低反向電流、0.2A平均整流正向電流以及無鉛無鹵素環(huán)保特性的肖特基勢(shì)壘二極管。它為各種應(yīng)用提供了高效、可靠且環(huán)保的解決方案WSB5546N是一款肖特基勢(shì)壘二極管，具有一些明顯的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。肖特基勢(shì)壘二極管是一種特殊的二極管類型，它結(jié)合了肖特基二極管和勢(shì)壘二極管的優(yōu)點(diǎn)。肖特基二極管具有快速開關(guān)能力和低正向電壓降，而勢(shì)壘二極管則具有出色的反向阻斷能力。因此，WSB5546N結(jié)合了這些特點(diǎn)，提供了一種高效、可靠且環(huán)保的解決方案。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WH2516DWPM3401-3/TR 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOT-23-3L。

    ESD5311X是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）引起的過應(yīng)力影響。ESD5311X包含一個(gè)極低電容的轉(zhuǎn)向二極管對(duì)和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，ESD5311X可提供高達(dá)±20kV（接觸放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)，能承受高達(dá)4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5311X采用WBFBP-02C-C封裝，為標(biāo)準(zhǔn)無鉛且無鹵素產(chǎn)品。

主要特性：

截止電壓：5V

根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸放電）

根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護(hù)：4A（8/20μs）

極低電容：CJ=0.25pF（典型值）

極低漏電流：IR<1nA（典型值）

低鉗位電壓：VCL=22V（典型值）@IPP=16A（TLP）

固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域：

USB2.0和USB3.0

HDMI1.3和HDMI1.4

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便攜式電子設(shè)備

筆記本電腦

    ESD5311X是一款專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)的瞬態(tài)電壓抑制器，可承受高達(dá)±20kV的靜電放電和4A的峰值脈沖電流，保護(hù)電子組件免受損害。適用于USB、HDMI、SATA等接口，確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆€(wěn)定性。緊湊、環(huán)保，廣泛應(yīng)用于便攜式設(shè)備和筆記本電腦。如需更多信息，請(qǐng)查閱手冊(cè)或聯(lián)系我們。

ESD73011N：?jiǎn)尉€、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

     ESD73011N是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別用來保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，以防止由靜電放電（ESD）引起的過度壓力。ESD73011N包含一個(gè)極低電容的轉(zhuǎn)向二極管對(duì)和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，它可以提供高達(dá)±20kV（接觸放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73011N采用DFN1006-2L封裝，為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，無鉛且不含鹵素。

其主要特性包括：

· 截止電壓：5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸放電）

· 根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護(hù)：5.5A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=0.40pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=9.5V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域包括：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

     ESD73011N為需要高速數(shù)據(jù)傳輸和嚴(yán)格ESD防護(hù)的應(yīng)用提供了出色的保護(hù)。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系制造商。 WNMD2171-4/TR 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：CSP-4L。

WPM3401：?jiǎn)蜳溝道、-30V、-4.6A功率MOSFET

     WPM3401是一種P溝道邏輯增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管，采用高單元密度、DMOS溝槽技術(shù)生產(chǎn)。這種高密度工藝特別定制于極小化導(dǎo)通電阻。這些器件特別適合低電壓應(yīng)用、筆記本電腦的電源管理以及其他需要高側(cè)開關(guān)的電池供電電路。

其主要特性包括：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度的單元設(shè)計(jì)

· 優(yōu)異的導(dǎo)通電阻，適用于更高的直流電流

· 小型SOT-23-3L封裝

應(yīng)用領(lǐng)域包括：

· 筆記本電腦的電源管理

· 便攜式設(shè)備

· 電池供電系統(tǒng)

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 負(fù)載開關(guān)

      WPM3401是一種高性能的功率MOSFET，專為需要高效、緊湊和可靠功率管理的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WMM7027ATHD1-4/TR MEMS麥克風(fēng)（硅麥） 封裝：SMD-4P,1.9x2.8mm。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WNT2F04

ESDA6V8AV6-6/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：SOT-563。中文資料WILLSEMI韋爾WS72142

    WS4601是一款具有極低導(dǎo)通電阻的P-MOSFET高側(cè)開關(guān)。集成的電流限制功能可以限制大電容負(fù)載、過載電流和短路電流的涌入，從而保護(hù)電源。WS4601還集成了反向保護(hù)功能，當(dāng)設(shè)備關(guān)閉時(shí)，可以消除開關(guān)上的任何反向電流流動(dòng)。設(shè)備關(guān)閉時(shí)，輸出自動(dòng)放電，使輸出電壓迅速關(guān)閉。熱關(guān)斷功能可以保護(hù)設(shè)備和負(fù)載。WS4601采用SOT-23-5L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品是無鉛且無鹵素的。

特性：

· 輸入電壓范圍：2.5~5.5V

· 主開關(guān)RON：80mΩ@VIN=5V

· 持續(xù)輸出電流：1.0A

· 電流限制閾值：1.5A（典型值）

· 電流限制精度：±20%

· 輸出短路電流：0.7A（典型值）

· 自動(dòng)放電反向阻斷（無“體二極管”）

· 過溫保護(hù)

應(yīng)用：

· USB外設(shè)USB Dongle

· USB 3G數(shù)據(jù)卡

· 3.3V或5V電源開關(guān)

· 3.3V或5V電源分配

    WS4601是一款專為現(xiàn)代電子設(shè)備設(shè)計(jì)的高性能高側(cè)開關(guān)。其極低導(dǎo)通電阻的P-MOSFET結(jié)構(gòu)使其在處理大電流時(shí)高效且節(jié)能。集成的電流限制功能保護(hù)電源免受過大電流損害，確保系統(tǒng)穩(wěn)定可靠。自動(dòng)放電功能和反向保護(hù)功能進(jìn)一步增強(qiáng)系統(tǒng)安全性。適用于USB外設(shè)、USB Dongle等需要高效電源管理的場(chǎng)合。無論3.3V還是5V系統(tǒng)，WS4601都提供出色的性能和保護(hù)機(jī)制，確保設(shè)備正常運(yùn)行。如需更多信息，請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WS72142